Формирование никель-платинового силицидного слоя в качестве барьерного для диода Шоттки
Предложен новый метод формирования барьера Шоттки, который включает магнетронное нанесение из многокомпонентной мишени, содержащей ванадий, платину и никель, тонкой пленки на кремнии с последующей ступенчатой термообработкой. С использованием данного метода изготовлены диоды Шоттки с высотой барьера...
Saved in:
| Published in: | Электрические контакты и электроды |
|---|---|
| Date: | 2014 |
| Main Authors: | , , , , , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут проблем матеріалознавства ім. І.М. Францевича НАН України
2014
|
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/104006 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Формирование никель-платинового силицидного слоя в качестве барьерного для диода Шоттки / П.В. Кучинский, Ф.Ф. Комаров, О.В. Мильчанин, Т.Б. Ковалева, В.А. Солодуха, А.С. Турцевич, Я.А. Соловьев, С.В. Гапоненко // Электрические контакты и электроды. — К.: ИПМ НАН України, 2014. — С. 211-219. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862652105604464640 |
|---|---|
| author | Кучинский, П.В. Комаров, Ф.Ф. Мильчанин, О.В. Ковалева, Т.Б. Солодуха, В.А. Турцевич, А.С. Соловьев, Я.А. Гапоненко, С.В. |
| author_facet | Кучинский, П.В. Комаров, Ф.Ф. Мильчанин, О.В. Ковалева, Т.Б. Солодуха, В.А. Турцевич, А.С. Соловьев, Я.А. Гапоненко, С.В. |
| citation_txt | Формирование никель-платинового силицидного слоя в качестве барьерного для диода Шоттки / П.В. Кучинский, Ф.Ф. Комаров, О.В. Мильчанин, Т.Б. Ковалева, В.А. Солодуха, А.С. Турцевич, Я.А. Соловьев, С.В. Гапоненко // Электрические контакты и электроды. — К.: ИПМ НАН України, 2014. — С. 211-219. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Электрические контакты и электроды |
| description | Предложен новый метод формирования барьера Шоттки, который включает магнетронное нанесение из многокомпонентной мишени, содержащей ванадий, платину и никель, тонкой пленки на кремнии с последующей ступенчатой термообработкой. С использованием данного метода изготовлены диоды Шоттки с высотой барьера 0,69—0,71 В. Установлено, что барьерный слой состоит из силицидной фазы Ni1-xPtxSi.
Запропоновано новий метод формування бар’єра Шоттки, який включає магнетронне нанесення з многокомпонентної мішені, що має в складі ванадій, платину та нікель, тонкої плівки на кремнії з наступною ступеневою термообробкою. З використанням данного методу виготовлено діоди Шоттки з высотою бар’єру 0,69—0,71 В. Встановлено, що бар’ерний шар складається з сіліцидної фази Ni1-xPtxSi.
A new method of forming a Schottky barrier, including a magnetron deposition of thin compound metal films (Pt, Ni and V) on silicon and a subsequent heat treatment step, was proposed. Using this method Schottky diodes were fabricated with a barrier height from 0,69 to 0,71 V. It was found that the barrier layer consists of Ni1-xPtxSi silicide phase.
|
| first_indexed | 2025-12-01T20:30:47Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-104006 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2311-0627 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-01T20:30:47Z |
| publishDate | 2014 |
| publisher | Інститут проблем матеріалознавства ім. І.М. Францевича НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Кучинский, П.В. Комаров, Ф.Ф. Мильчанин, О.В. Ковалева, Т.Б. Солодуха, В.А. Турцевич, А.С. Соловьев, Я.А. Гапоненко, С.В. 2016-06-28T21:08:52Z 2016-06-28T21:08:52Z 2014 Формирование никель-платинового силицидного слоя в качестве барьерного для диода Шоттки / П.В. Кучинский, Ф.Ф. Комаров, О.В. Мильчанин, Т.Б. Ковалева, В.А. Солодуха, А.С. Турцевич, Я.А. Соловьев, С.В. Гапоненко // Электрические контакты и электроды. — К.: ИПМ НАН України, 2014. — С. 211-219. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. 2311-0627 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/104006 539.234,538.911,549.086,621.382.22 Предложен новый метод формирования барьера Шоттки, который включает магнетронное нанесение из многокомпонентной мишени, содержащей ванадий, платину и никель, тонкой пленки на кремнии с последующей ступенчатой термообработкой. С использованием данного метода изготовлены диоды Шоттки с высотой барьера 0,69—0,71 В. Установлено, что барьерный слой состоит из силицидной фазы Ni1-xPtxSi. Запропоновано новий метод формування бар’єра Шоттки, який включає магнетронне нанесення з многокомпонентної мішені, що має в складі ванадій, платину та нікель, тонкої плівки на кремнії з наступною ступеневою термообробкою. З використанням данного методу виготовлено діоди Шоттки з высотою бар’єру 0,69—0,71 В. Встановлено, що бар’ерний шар складається з сіліцидної фази Ni1-xPtxSi. A new method of forming a Schottky barrier, including a magnetron deposition of thin compound metal films (Pt, Ni and V) on silicon and a subsequent heat treatment step, was proposed. Using this method Schottky diodes were fabricated with a barrier height from 0,69 to 0,71 V. It was found that the barrier layer consists of Ni1-xPtxSi silicide phase. ru Інститут проблем матеріалознавства ім. І.М. Францевича НАН України Электрические контакты и электроды Формирование никель-платинового силицидного слоя в качестве барьерного для диода Шоттки Формування нікель-платинового сіліцидного шару в якості бар’єрного для діода Шоттки Formation of nickel-platinum silicide layer as a barrier Schottky diodes Article published earlier |
| spellingShingle | Формирование никель-платинового силицидного слоя в качестве барьерного для диода Шоттки Кучинский, П.В. Комаров, Ф.Ф. Мильчанин, О.В. Ковалева, Т.Б. Солодуха, В.А. Турцевич, А.С. Соловьев, Я.А. Гапоненко, С.В. |
| title | Формирование никель-платинового силицидного слоя в качестве барьерного для диода Шоттки |
| title_alt | Формування нікель-платинового сіліцидного шару в якості бар’єрного для діода Шоттки Formation of nickel-platinum silicide layer as a barrier Schottky diodes |
| title_full | Формирование никель-платинового силицидного слоя в качестве барьерного для диода Шоттки |
| title_fullStr | Формирование никель-платинового силицидного слоя в качестве барьерного для диода Шоттки |
| title_full_unstemmed | Формирование никель-платинового силицидного слоя в качестве барьерного для диода Шоттки |
| title_short | Формирование никель-платинового силицидного слоя в качестве барьерного для диода Шоттки |
| title_sort | формирование никель-платинового силицидного слоя в качестве барьерного для диода шоттки |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/104006 |
| work_keys_str_mv | AT kučinskiipv formirovanienikelʹplatinovogosilicidnogosloâvkačestvebarʹernogodlâdiodašottki AT komarovff formirovanienikelʹplatinovogosilicidnogosloâvkačestvebarʹernogodlâdiodašottki AT milʹčaninov formirovanienikelʹplatinovogosilicidnogosloâvkačestvebarʹernogodlâdiodašottki AT kovalevatb formirovanienikelʹplatinovogosilicidnogosloâvkačestvebarʹernogodlâdiodašottki AT soloduhava formirovanienikelʹplatinovogosilicidnogosloâvkačestvebarʹernogodlâdiodašottki AT turcevičas formirovanienikelʹplatinovogosilicidnogosloâvkačestvebarʹernogodlâdiodašottki AT solovʹevâa formirovanienikelʹplatinovogosilicidnogosloâvkačestvebarʹernogodlâdiodašottki AT gaponenkosv formirovanienikelʹplatinovogosilicidnogosloâvkačestvebarʹernogodlâdiodašottki AT kučinskiipv formuvannâníkelʹplatinovogosílícidnogošaruvâkostíbarêrnogodlâdíodašottki AT komarovff formuvannâníkelʹplatinovogosílícidnogošaruvâkostíbarêrnogodlâdíodašottki AT milʹčaninov formuvannâníkelʹplatinovogosílícidnogošaruvâkostíbarêrnogodlâdíodašottki AT kovalevatb formuvannâníkelʹplatinovogosílícidnogošaruvâkostíbarêrnogodlâdíodašottki AT soloduhava formuvannâníkelʹplatinovogosílícidnogošaruvâkostíbarêrnogodlâdíodašottki AT turcevičas formuvannâníkelʹplatinovogosílícidnogošaruvâkostíbarêrnogodlâdíodašottki AT solovʹevâa formuvannâníkelʹplatinovogosílícidnogošaruvâkostíbarêrnogodlâdíodašottki AT gaponenkosv formuvannâníkelʹplatinovogosílícidnogošaruvâkostíbarêrnogodlâdíodašottki AT kučinskiipv formationofnickelplatinumsilicidelayerasabarrierschottkydiodes AT komarovff formationofnickelplatinumsilicidelayerasabarrierschottkydiodes AT milʹčaninov formationofnickelplatinumsilicidelayerasabarrierschottkydiodes AT kovalevatb formationofnickelplatinumsilicidelayerasabarrierschottkydiodes AT soloduhava formationofnickelplatinumsilicidelayerasabarrierschottkydiodes AT turcevičas formationofnickelplatinumsilicidelayerasabarrierschottkydiodes AT solovʹevâa formationofnickelplatinumsilicidelayerasabarrierschottkydiodes AT gaponenkosv formationofnickelplatinumsilicidelayerasabarrierschottkydiodes |