Формирование никель-платинового силицидного слоя в качестве барьерного для диода Шоттки

Формирование никель-платинового силицидного слоя в качестве барьерного для диода Шоттки

Предложен новый метод формирования барьера Шоттки, который включает магнетронное нанесение из многокомпонентной мишени, содержащей ванадий, платину и никель, тонкой пленки на кремнии с последующей ступенчатой термообработкой. С использованием данного метода изготовлены диоды Шоттки с высотой барьера...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Электрические контакты и электроды
Datum:2014
Hauptverfasser: Кучинский, П.В., Комаров, Ф.Ф., Мильчанин, О.В., Ковалева, Т.Б., Солодуха, В.А., Турцевич, А.С., Соловьев, Я.А., Гапоненко, С.В.
Format: Artikel
Sprache:Russian
Veröffentlicht: Інститут проблем матеріалознавства ім. І.М. Францевича НАН України 2014
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/104006
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Формирование никель-платинового силицидного слоя в качестве барьерного для диода Шоттки / П.В. Кучинский, Ф.Ф. Комаров, О.В. Мильчанин, Т.Б. Ковалева, В.А. Солодуха, А.С. Турцевич, Я.А. Соловьев, С.В. Гапоненко // Электрические контакты и электроды. — К.: ИПМ НАН України, 2014. — С. 211-219. — Бібліогр.: 11 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-104006
record_format dspace
spelling Кучинский, П.В.
Комаров, Ф.Ф.
Мильчанин, О.В.
Ковалева, Т.Б.
Солодуха, В.А.
Турцевич, А.С.
Соловьев, Я.А.
Гапоненко, С.В.
2016-06-28T21:08:52Z
2016-06-28T21:08:52Z
2014
Формирование никель-платинового силицидного слоя в качестве барьерного для диода Шоттки / П.В. Кучинский, Ф.Ф. Комаров, О.В. Мильчанин, Т.Б. Ковалева, В.А. Солодуха, А.С. Турцевич, Я.А. Соловьев, С.В. Гапоненко // Электрические контакты и электроды. — К.: ИПМ НАН України, 2014. — С. 211-219. — Бібліогр.: 11 назв. — рос.
2311-0627
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/104006
539.234,538.911,549.086,621.382.22
Предложен новый метод формирования барьера Шоттки, который включает магнетронное нанесение из многокомпонентной мишени, содержащей ванадий, платину и никель, тонкой пленки на кремнии с последующей ступенчатой термообработкой. С использованием данного метода изготовлены диоды Шоттки с высотой барьера 0,69—0,71 В. Установлено, что барьерный слой состоит из силицидной фазы Ni1-xPtxSi.
Запропоновано новий метод формування бар’єра Шоттки, який включає магнетронне нанесення з многокомпонентної мішені, що має в складі ванадій, платину та нікель, тонкої плівки на кремнії з наступною ступеневою термообробкою. З використанням данного методу виготовлено діоди Шоттки з высотою бар’єру 0,69—0,71 В. Встановлено, що бар’ерний шар складається з сіліцидної фази Ni1-xPtxSi.
A new method of forming a Schottky barrier, including a magnetron deposition of thin compound metal films (Pt, Ni and V) on silicon and a subsequent heat treatment step, was proposed. Using this method Schottky diodes were fabricated with a barrier height from 0,69 to 0,71 V. It was found that the barrier layer consists of Ni1-xPtxSi silicide phase.
ru
Інститут проблем матеріалознавства ім. І.М. Францевича НАН України
Электрические контакты и электроды
Формирование никель-платинового силицидного слоя в качестве барьерного для диода Шоттки
Формування нікель-платинового сіліцидного шару в якості бар’єрного для діода Шоттки
Formation of nickel-platinum silicide layer as a barrier Schottky diodes
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Формирование никель-платинового силицидного слоя в качестве барьерного для диода Шоттки
spellingShingle Формирование никель-платинового силицидного слоя в качестве барьерного для диода Шоттки
Кучинский, П.В.
Комаров, Ф.Ф.
Мильчанин, О.В.
Ковалева, Т.Б.
Солодуха, В.А.
Турцевич, А.С.
Соловьев, Я.А.
Гапоненко, С.В.
title_short Формирование никель-платинового силицидного слоя в качестве барьерного для диода Шоттки
title_full Формирование никель-платинового силицидного слоя в качестве барьерного для диода Шоттки
title_fullStr Формирование никель-платинового силицидного слоя в качестве барьерного для диода Шоттки
title_full_unstemmed Формирование никель-платинового силицидного слоя в качестве барьерного для диода Шоттки
title_sort формирование никель-платинового силицидного слоя в качестве барьерного для диода шоттки
author Кучинский, П.В.
Комаров, Ф.Ф.
Мильчанин, О.В.
Ковалева, Т.Б.
Солодуха, В.А.
Турцевич, А.С.
Соловьев, Я.А.
Гапоненко, С.В.
author_facet Кучинский, П.В.
Комаров, Ф.Ф.
Мильчанин, О.В.
Ковалева, Т.Б.
Солодуха, В.А.
Турцевич, А.С.
Соловьев, Я.А.
Гапоненко, С.В.
publishDate 2014
language Russian
container_title Электрические контакты и электроды
publisher Інститут проблем матеріалознавства ім. І.М. Францевича НАН України
format Article
title_alt Формування нікель-платинового сіліцидного шару в якості бар’єрного для діода Шоттки
Formation of nickel-platinum silicide layer as a barrier Schottky diodes
description Предложен новый метод формирования барьера Шоттки, который включает магнетронное нанесение из многокомпонентной мишени, содержащей ванадий, платину и никель, тонкой пленки на кремнии с последующей ступенчатой термообработкой. С использованием данного метода изготовлены диоды Шоттки с высотой барьера 0,69—0,71 В. Установлено, что барьерный слой состоит из силицидной фазы Ni1-xPtxSi. Запропоновано новий метод формування бар’єра Шоттки, який включає магнетронне нанесення з многокомпонентної мішені, що має в складі ванадій, платину та нікель, тонкої плівки на кремнії з наступною ступеневою термообробкою. З використанням данного методу виготовлено діоди Шоттки з высотою бар’єру 0,69—0,71 В. Встановлено, що бар’ерний шар складається з сіліцидної фази Ni1-xPtxSi. A new method of forming a Schottky barrier, including a magnetron deposition of thin compound metal films (Pt, Ni and V) on silicon and a subsequent heat treatment step, was proposed. Using this method Schottky diodes were fabricated with a barrier height from 0,69 to 0,71 V. It was found that the barrier layer consists of Ni1-xPtxSi silicide phase.
issn 2311-0627
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/104006
citation_txt Формирование никель-платинового силицидного слоя в качестве барьерного для диода Шоттки / П.В. Кучинский, Ф.Ф. Комаров, О.В. Мильчанин, Т.Б. Ковалева, В.А. Солодуха, А.С. Турцевич, Я.А. Соловьев, С.В. Гапоненко // Электрические контакты и электроды. — К.: ИПМ НАН України, 2014. — С. 211-219. — Бібліогр.: 11 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT kučinskiipv formirovanienikelʹplatinovogosilicidnogosloâvkačestvebarʹernogodlâdiodašottki
AT komarovff formirovanienikelʹplatinovogosilicidnogosloâvkačestvebarʹernogodlâdiodašottki
AT milʹčaninov formirovanienikelʹplatinovogosilicidnogosloâvkačestvebarʹernogodlâdiodašottki
AT kovalevatb formirovanienikelʹplatinovogosilicidnogosloâvkačestvebarʹernogodlâdiodašottki
AT soloduhava formirovanienikelʹplatinovogosilicidnogosloâvkačestvebarʹernogodlâdiodašottki
AT turcevičas formirovanienikelʹplatinovogosilicidnogosloâvkačestvebarʹernogodlâdiodašottki
AT solovʹevâa formirovanienikelʹplatinovogosilicidnogosloâvkačestvebarʹernogodlâdiodašottki
AT gaponenkosv formirovanienikelʹplatinovogosilicidnogosloâvkačestvebarʹernogodlâdiodašottki
AT kučinskiipv formuvannâníkelʹplatinovogosílícidnogošaruvâkostíbarêrnogodlâdíodašottki
AT komarovff formuvannâníkelʹplatinovogosílícidnogošaruvâkostíbarêrnogodlâdíodašottki
AT milʹčaninov formuvannâníkelʹplatinovogosílícidnogošaruvâkostíbarêrnogodlâdíodašottki
AT kovalevatb formuvannâníkelʹplatinovogosílícidnogošaruvâkostíbarêrnogodlâdíodašottki
AT soloduhava formuvannâníkelʹplatinovogosílícidnogošaruvâkostíbarêrnogodlâdíodašottki
AT turcevičas formuvannâníkelʹplatinovogosílícidnogošaruvâkostíbarêrnogodlâdíodašottki
AT solovʹevâa formuvannâníkelʹplatinovogosílícidnogošaruvâkostíbarêrnogodlâdíodašottki
AT gaponenkosv formuvannâníkelʹplatinovogosílícidnogošaruvâkostíbarêrnogodlâdíodašottki
AT kučinskiipv formationofnickelplatinumsilicidelayerasabarrierschottkydiodes
AT komarovff formationofnickelplatinumsilicidelayerasabarrierschottkydiodes
AT milʹčaninov formationofnickelplatinumsilicidelayerasabarrierschottkydiodes
AT kovalevatb formationofnickelplatinumsilicidelayerasabarrierschottkydiodes
AT soloduhava formationofnickelplatinumsilicidelayerasabarrierschottkydiodes
AT turcevičas formationofnickelplatinumsilicidelayerasabarrierschottkydiodes
AT solovʹevâa formationofnickelplatinumsilicidelayerasabarrierschottkydiodes
AT gaponenkosv formationofnickelplatinumsilicidelayerasabarrierschottkydiodes
first_indexed 2025-12-01T20:30:47Z
last_indexed 2025-12-01T20:30:47Z
_version_ 1850860983801610240

Ähnliche Einträge