Формирование никель-платинового силицидного слоя в качестве барьерного для диода Шоттки
Предложен новый метод формирования барьера Шоттки, который включает магнетронное нанесение из многокомпонентной мишени, содержащей ванадий, платину и никель, тонкой пленки на кремнии с последующей ступенчатой термообработкой. С использованием данного метода изготовлены диоды Шоттки с высотой барьера...
Saved in:
| Published in: | Электрические контакты и электроды |
|---|---|
| Date: | 2014 |
| Main Authors: | Кучинский, П.В., Комаров, Ф.Ф., Мильчанин, О.В., Ковалева, Т.Б., Солодуха, В.А., Турцевич, А.С., Соловьев, Я.А., Гапоненко, С.В. |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут проблем матеріалознавства ім. І.М. Францевича НАН України
2014
|
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/104006 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Формирование никель-платинового силицидного слоя в качестве барьерного для диода Шоттки / П.В. Кучинский, Ф.Ф. Комаров, О.В. Мильчанин, Т.Б. Ковалева, В.А. Солодуха, А.С. Турцевич, Я.А. Соловьев, С.В. Гапоненко // Электрические контакты и электроды. — К.: ИПМ НАН України, 2014. — С. 211-219. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineSimilar Items
Повышение надежности диодов Шоттки при воздействии разрядов cтатического электричества
by: Солодуха, В.А., et al.
Published: (2012)
by: Солодуха, В.А., et al.
Published: (2012)
Радиационно стойкая фотоструктура на основе Cr/In₂Hg₃Te₆ для диода Шоттки
by: Ащеулов, А.А., et al.
Published: (2016)
by: Ащеулов, А.А., et al.
Published: (2016)
Исследование промежуточных слоёв диода с барьером Шоттки Al-pCdTe-Мо
by: Мирсагатов, Ш.А., et al.
Published: (2012)
by: Мирсагатов, Ш.А., et al.
Published: (2012)
Радиационно стойкая фотоструктура на основе Cr/In2Hg3Te6 для диода Шоттки
by: Ashcheulov, A. A., et al.
Published: (2016)
by: Ashcheulov, A. A., et al.
Published: (2016)
Полиядерные аминоэтилатные комплексы никель (II)—кобальт (III) и никель (II)—хром (III)
by: Рейтер, Л.Г., et al.
Published: (2007)
by: Рейтер, Л.Г., et al.
Published: (2007)
Направленность сверхизлучения из плазмы сильноточного импульсного плазменного диода
by: Целуйко, А.Ф., et al.
Published: (2010)
by: Целуйко, А.Ф., et al.
Published: (2010)
Тонкопленочные элементы кремниевых диодов Шоттки для высокотемпературного микромонтажа
by: Баранов, В.В., et al.
Published: (2007)
by: Баранов, В.В., et al.
Published: (2007)
Численное моделирование диэлектрического барьерного разряда в воздухе
by: Редчиц, Д.А.
Published: (2014)
by: Редчиц, Д.А.
Published: (2014)
Латеральная фотоЭДС в контакте Шоттки
by: Венгер, Е.Ф., et al.
Published: (2010)
by: Венгер, Е.Ф., et al.
Published: (2010)
Деградация контакта Шоттки при термическом отжиге
by: Венгер, Е.Ф., et al.
Published: (2012)
by: Венгер, Е.Ф., et al.
Published: (2012)
Формирование композиционных покрытий никель – бор – азот
by: Кузей, А.М., et al.
Published: (2010)
by: Кузей, А.М., et al.
Published: (2010)
Пассивация и восстановление никель-цеолитных катализаторов
by: Галинский, А.А., et al.
Published: (1984)
by: Галинский, А.А., et al.
Published: (1984)
Технология получения пленок силицида палладия для мощных диодов Шоттки
by: Ануфриев, Л.П., et al.
Published: (2005)
by: Ануфриев, Л.П., et al.
Published: (2005)
Измерение температурной зависимости факторов эффективности поглощения платинового болометра на длине волны излучения 1,06 мкм
by: Погорелов, С.В., et al.
Published: (2014)
by: Погорелов, С.В., et al.
Published: (2014)
Моделювання комбінованого діода Шоттки
by: Кісельов, Є.М.
Published: (2013)
by: Кісельов, Є.М.
Published: (2013)
Электротехнология получения синтез-газа с использованием объёмных высоковольтных импульсных разрядов: коронного и барьерного
by: Бойко, Н.И., et al.
Published: (2014)
by: Бойко, Н.И., et al.
Published: (2014)
Отрицательная дифференциальная проводимость полупроводникового диода с туннельными боковыми границами
by: Прохоров, Э.Д., et al.
Published: (2010)
by: Прохоров, Э.Д., et al.
Published: (2010)
Опыт отработки барьерного целика под разведочную скважину в условиях ГП «Макеевуголь»
by: Дрибан, В.А., et al.
Published: (2012)
by: Дрибан, В.А., et al.
Published: (2012)
Формирование изолирующих и геттерирующих слоев в полупроводниках с использованием имплантации протонов средних энергий
by: Комаров, Ф.Ф., et al.
Published: (2008)
by: Комаров, Ф.Ф., et al.
Published: (2008)
Импедансные характеристики диода с туннельными и резонансно-туннельными границами
by: Прохоров, Э.Д., et al.
Published: (2011)
by: Прохоров, Э.Д., et al.
Published: (2011)
Моделирование тепловых процессов высокочастотного кремниевого p-i-n-диода
by: Каримов, А.В., et al.
Published: (2014)
by: Каримов, А.В., et al.
Published: (2014)
Электролитические сплавы олово — никель как анодные материалы литий-ионных аккумуляторов
by: Глоба, Н.И., et al.
Published: (2013)
by: Глоба, Н.И., et al.
Published: (2013)
Аномальный фотовольтаический эффект в структуре с барьером Шоттки–Мотта
by: Каримов, А.В., et al.
Published: (2008)
by: Каримов, А.В., et al.
Published: (2008)
Ионный синтез нанокристаллов узкозонных полупроводников А³В⁵ в кремниевой матрице для систем оптоэлектроники
by: Комаров, Ф.Ф., et al.
Published: (2011)
by: Комаров, Ф.Ф., et al.
Published: (2011)
Кинетика и механизм выделения водорода на никелевом катоде, модифицированном сплавом никель—молибден, в щелочном растворе
by: Козин, Л.Ф., et al.
Published: (2009)
by: Козин, Л.Ф., et al.
Published: (2009)
Кинетика и механизм выделения водорода на никелевом электроде, модифицированном сплавом никель—вольфрам в щелочном растворе
by: Козин, Л.Ф., et al.
Published: (2009)
by: Козин, Л.Ф., et al.
Published: (2009)
Эффективность генерации планарного диода с туннельным анодом и туннельной боковой границей
by: Прохоров, Э.Д., et al.
Published: (2014)
by: Прохоров, Э.Д., et al.
Published: (2014)
Разработка процесса электрохимического осаждения никель-алмазного покрытия с модифицированными фосфором ДНА
by: Долматов, В.Ю., et al.
Published: (2019)
by: Долматов, В.Ю., et al.
Published: (2019)
Управление падением напряжения кремниевого диода путем облучения электронами и термической обработки
by: Каримов, А.В., et al.
Published: (2018)
by: Каримов, А.В., et al.
Published: (2018)
Аномалия Шоттки линейного двупреломления света в антиферромагнитном кристалле LiCoPO₄
by: Харченко, Н.Ф., et al.
Published: (2008)
by: Харченко, Н.Ф., et al.
Published: (2008)
ВЫСОКОВОЛЬТНЫЙ КОМПЛЕКС С ДВУМЯ ВЫСОКОЧАСТОТНЫМИ ГЕНЕРАТОРАМИ ИМПУЛЬСОВ, РЕГУЛИРУЮЩИМИ РЕЖИМЫ КОРОННОГО И БАРЬЕРНОГО РАЗРЯДОВ ПРИ ОБРАБОТКЕ ГАЗООБРАЗНЫХ УГЛЕВОДОРОДОВ
by: Бойко, Н.И., et al.
Published: (2012)
by: Бойко, Н.И., et al.
Published: (2012)
Высоковольтный комплекс с двумя высокочастотными генераторами импульсов, регулирующими режимы коронного и барьерного разрядов при обработке газообразных углеводородов
by: Бойко, Н.И., et al.
Published: (2012)
by: Бойко, Н.И., et al.
Published: (2012)
Пайка ZrO2-керамики к ниобию контактно-реактивным способом через никель
by: Дуров, А.В.
Published: (2008)
by: Дуров, А.В.
Published: (2008)
Прогнозирование разброса параметров полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
by: Горев, Н.Б., et al.
Published: (2006)
by: Горев, Н.Б., et al.
Published: (2006)
Влияние проникающей радиации на параметры кремниевого планарного высокочастотного высоковольтного выпрямительного диода
by: Рахматов, А.З., et al.
Published: (2011)
by: Рахматов, А.З., et al.
Published: (2011)
Оценка риска прорыва воды на примере барьерного целика между шахтами «Донецкая» и «Комсомолец Донбасса»
by: Улицкий, О.А., et al.
Published: (2001)
by: Улицкий, О.А., et al.
Published: (2001)
Сексолект в качестве объекта социофонетического исследования
by: Черныш, И.В.
Published: (2001)
by: Черныш, И.В.
Published: (2001)
Тонкопленочные элементы кремниевых диодов Шоттки для высокотемпературного микромонтажа
by: Baranov, V. V., et al.
Published: (2007)
by: Baranov, V. V., et al.
Published: (2007)
Методы определения высоты барьера шоттки из вольт-амперных характеристик (обзор)
by: Кудрик, Я.Я., et al.
Published: (2014)
by: Кудрик, Я.Я., et al.
Published: (2014)
Прогнозирование напряжения отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
by: Горев, Н.Б., et al.
Published: (2007)
by: Горев, Н.Б., et al.
Published: (2007)
Similar Items
-
Повышение надежности диодов Шоттки при воздействии разрядов cтатического электричества
by: Солодуха, В.А., et al.
Published: (2012) -
Радиационно стойкая фотоструктура на основе Cr/In₂Hg₃Te₆ для диода Шоттки
by: Ащеулов, А.А., et al.
Published: (2016) -
Исследование промежуточных слоёв диода с барьером Шоттки Al-pCdTe-Мо
by: Мирсагатов, Ш.А., et al.
Published: (2012) -
Радиационно стойкая фотоструктура на основе Cr/In2Hg3Te6 для диода Шоттки
by: Ashcheulov, A. A., et al.
Published: (2016) -
Полиядерные аминоэтилатные комплексы никель (II)—кобальт (III) и никель (II)—хром (III)
by: Рейтер, Л.Г., et al.
Published: (2007)