Вплив підшарів германію на поріг протікання струму в тонких плівках міді
В умовах статичного надвисокого вакууму при тиску залишкових газів, нижчому за 10⁻⁷ Па, вивчено процеси виникнення металевого характеру електропровідности в тонких плівках міді, нанесених на отоплене поліроване скло та на скло, попередньо покрите підшаром германію субатомової товщини. В условиях ста...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Металлофизика и новейшие технологии |
|---|---|
| Datum: | 2013 |
| Hauptverfasser: | , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainisch |
| Veröffentlicht: |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
2013
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/104065 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Вплив підшарів германію на поріг протікання струму в тонких плівках міді / Р.І. Бігун, М.Д. Бучковська, Н.С. Колтун, З.В. Стасюк, Д.С. Леонов // Металлофизика и новейшие технологии. — 2013. — Т. 35, № 1. — С. 85-93. — Бібліогр.: 5 назв. — укр. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1860055590672269312 |
|---|---|
| author | Бігун, Р.І. Бучковська, М.Д. Колтун, Н.С. Стасюк, З.В. Леонов, Д.С. |
| author_facet | Бігун, Р.І. Бучковська, М.Д. Колтун, Н.С. Стасюк, З.В. Леонов, Д.С. |
| citation_txt | Вплив підшарів германію на поріг протікання струму в тонких плівках міді / Р.І. Бігун, М.Д. Бучковська, Н.С. Колтун, З.В. Стасюк, Д.С. Леонов // Металлофизика и новейшие технологии. — 2013. — Т. 35, № 1. — С. 85-93. — Бібліогр.: 5 назв. — укр. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Металлофизика и новейшие технологии |
| description | В умовах статичного надвисокого вакууму при тиску залишкових газів, нижчому за 10⁻⁷ Па, вивчено процеси виникнення металевого характеру електропровідности в тонких плівках міді, нанесених на отоплене поліроване скло та на скло, попередньо покрите підшаром германію субатомової товщини.
В условиях статического сверхвысокого вакуума при давлении остаточных газов менее 10⁻⁷ Па исследованы процессы появления металлического характера электропроводности в тонких плёнках меди, нанесённых на оплавленное полированное стекло и на стекло, предварительно покрытое подслоем германия субатомной толщины.
The metallic conductivity appearance in thin metal films deposited on glass substrate and glass substrate predeposited with germanium underlayers under ultrahigh vacuum conditions (provided with residual gas pressure less than 10⁻⁷ Pa) is investigated.
|
| first_indexed | 2025-12-07T17:01:12Z |
| format | Article |
| fulltext |
85
МЕТАЛЛИЧЕСКИЕ ПОВЕРХНОСТИ И ПЛЁНКИ
PACS numbers:72.10.Fk, 73.23.-b,73.25.+i,73.40.-c,73.50.Bk,73.61.At, 85.40.Xx
Вплив підшарів германію на поріг протікання струму
в тонких плівках міді
Р. І. Бігун, М. Д. Бучковська, Н. С. Колтун, З. В. Стасюк, Д. С. Леонов
*
Львівський національний університет ім. Івана Франка,
вул. Драгоманова, 50,
79005 Львів, Україна
*Технічний центр НАН України,
вул. Покровська, 13,
04070 Київ, Україна
В умовах статичного надвисокого вакууму при тиску залишкових газів,
нижчому за 10
−7
Па, вивчено процеси виникнення металевого характеру
електропровідности в тонких плівках міді, нанесених на отоплене поліро-
ване скло та на скло, попередньо покрите підшаром германію субатомової
товщини. Визначено поріг протікання струму в свіжонанесених плівках та
плівках, термостабілізованих низькотемпературним відпалом при темпе-
ратурі 370 К. Залежності питомої електропровідности плівок від їхньої то-
вщини пояснено на основі сучасних модельних уявлень про перенесення
заряду в металевих зразках обмежених розмірів. Встановлено кореляцію
між особливостями будови плівок та величинами, що характеризують пе-
ренесення заряду в плівках (середні лінійні розміри кристалітів D в пло-
щині, паралельній підложжю, середня амплітуда поверхневих неоднорід-
ностей h, поріг протікання струму dс, параметри перенесення заряду).
В условиях статического сверхвысокого вакуума при давлении остаточных
газов менее 10
−7
Па исследованы процессы появления металлического ха-
рактера электропроводности в тонких плёнках меди, нанесённых на оплав-
ленное полированное стекло и на стекло, предварительно покрытое подсло-
ем германия субатомной толщины. Определён порог протекания тока в
свежесконденсированных плёнках и плёнках, термостабилизированных
низкотемпературным отжигом при температуре 370 К. Зависимости
удельной электропроводности плёнок от их толщины объяснены с помо-
щью современных модельных представлений о переносе заряда в металли-
ческих образцах ограниченных размеров. Установлена корреляция между
особенностями строения плёнок и величинами, характеризующими пере-
нос заряда в плёнках (средние линейные размеры кристаллитов D в плоско-
сти, параллельной подложке, средняя амплитуда поверхностных неодно-
родностей h, порог протекания тока dc, параметрыпереноса заряда).
Металлофиз. новейшие технол. / Metallofiz. Noveishie Tekhnol.
2013, т. 35, № 1, сс. 85—93
Оттиски доступны непосредственно от издателя
Фотокопирование разрешено только
в соответствии с лицензией
© 2013 ИМФ (Институт металлофизики
им. Г. В. Курдюмова НАН Украины)
Напечатано в Украине.
86 Р. І. БІГУН, М. Д. БУЧКОВСЬКА, Н. С. КОЛТУН та ін.
The metallic conductivity appearance in thin metal films deposited on glass
substrate and glass substrate predeposited with germanium underlayers under
ultrahigh vacuum conditions (provided with residual gas pressure less than
10
−7
Pa) is investigated. The current flow percolation in as deposited metal and
heat stabilized copper film at 370 K is revealed. Size dependences of conductiv-
ity are explained within the scope of contemporary electron transport models
in samples of limited dimensions. The correlation between the metal film struc-
ture and electron transport properties (such as average linear crystallite size,
D, in the plane parallel to substrate, average amplitude of surface asperities, h,
percolation threshold, dc, and electron transport parameters) are determined.
Ключові слова: тонкі металеві плівки, перколяція, електропровідність.
(Отримано 20 листопада 2012 р.)
1. ВСТУП
Однією з технологічних проблем, що виникають при виготовленні
ультратонких електропровідних шарів на поверхні діелектрика є
необхідність подолати вплив коагуляції зародків кристалізації ме-
талу. Внаслідок коагуляції металевий характер провідності в плів-
ках виникає при відносно великих масових товщинах плівок, оскі-
льки в початковій стадії росту формується шар з острівцевою стру-
ктурою і відповідно, з активаційним характером електропровіднос-
ти. Порогу протікання струму (percolation threshold) в плівці відпо-
відає мінімальна товщина плівки dc, при якій виникають перші ка-
нали провідности металевого характеру. Згідно з перколяційним
моделем [1] в околі переходу від острівцевої до електросуцільної
плівки залежність опору R плівки металу від товщини d можна
представити деякою універсальною функцією товщини:
R(d) ∝ (d − dc)
−γ
. (1)
Вираз (1) одержано на основі припущення, що (d − dc) ≅ (х − хc), де х –
параметр, який характеризує ступінь заповнености підкладки мета-
лом; хc – параметр перколяції, який відповідає ступеню заповненос-
ти поверхні підкладки, при якому острівці (кристаліти) сформують
перший провідний канал. Очевидно, що хc залежить від форми та ро-
змірів кристалітів. Показник степеня у виразі (1) залежить від меха-
нізму формування та росту плівки. Згідно з [2], при двовимірному ро-
сті плівки (2D-перколяція) величина показника степеня γ лежить в
межах від 1 до 1,3, а у випадку 3D-перколяції величина γ звичайно
перевищує 1,5. Відповідно ступінь заповнення поверхні кристаліта-
ми хc ≥ 0,3 при 2D перколяції, а для 3D режиму росту хc ≥ 0,5.
Послаблення впливу коагуляції на процес формування електри-
чно суцільної плівки може бути досягнуте або шляхом епітаксіяль-
ВПЛИВ ПІДШАРІВ Ge НА ПОРІГ ПРОТІКАННЯ СТРУМУ В ПЛІВКАХ Cu 87
ного нарощування матеріалу на орієнтованих підкладках, або шля-
хом попереднього нанесення на аморфну діелектричну підкладку
підшарів субатомної товщини поверхнево активних слабкопровід-
них речовин. Остання методика, зокрема, була використана нами
при вивченні впливу підшарів германію, кремнію та сурми на стру-
ктуру та електричні властивості плівок благородних металів нано-
метрової товщини [3].
Метою даної роботи було дослідити вплив підшару германію суба-
томної товщини на поріг протікання струму dc і електричні властиво-
сті свіжонанесених на охолоджену до 78 К підкладку плівок міді, а
також плівок цього металу, термостабілізованих відпалом при 370 К.
2. МЕТОДИКА ЕКСПЕРИМЕНТУ
Виготовлення та дослідження плівок міді проводили у відкачаних
скляних приладах до тиску залишкових газів 10
−7
Па (тиск актив-
них компонентів залишкових газів не перевищував 10
−9
Па). У ціло-
му методика експерименту включала основні деталі методик ви-
користаних в [3]. У процесі одержання вакууму в приладі всі його
деталі (в тому числі і підкладки для нанесення плівок) знегажува-
ли шляхом прогрівання в печі при температурі 673—693 К сумарно
протягом 30—40 год. Прогрівання в печі чергували із знегажуван-
ням металевих деталей (випаровувачів, ниток манометрів і таке
ін.) пропусканням через них електричного струму. Згадані запо-
біжні заходи дозволяють виключити з розгляду можливість за-
бруднення плівок у процесі дослідження їхніх властивостей і ни-
зькотемпературного відпалу домішками з підкладки та атмосфери
залишкових газів. Конденсація пари металу або германію здійс-
нювалась на охолоджену до 78 К підкладку з оплавленого поліро-
ваного скла. Нанесення підшару германію проводили безпосеред-
ньо перед нанесенням плівки міді. Досліджували свіжонанесені
плівки міді та плівки міді, відпалені прогрівом до температури
370 К протягом 0,5—1,0 годин. Конденсацію матеріалів здійсню-
вали з швидкістю не вищою за 0,01—0,1 нм/с. Масову товщину
плівок оцінювали за зсувом резонансної частоти п’єзокварцового
вібратора, розміщеного в потоці пари термічно випаровуваної ре-
човини. Підкладки з чистого скла, та скла покритого підшаром
германію, розміщені в приладі поруч і нанесення міді на них здій-
снювали одночасно. Опір плівок вимірювали неперервно в процесі
нанесення двозондовою методою за допомогою приладу Щ301-1 і
фіксували за допомогою ЕОМ. Фіксували опори, нижчі за 108
Ом.
Опір підшару германію перевищував цю величину. Вимірювання
опорів здійснювали одним приладом за допомогою електронної
схеми, яка дозволяла комутувати вимірювальний прилад з плів-
ками.
88 Р. І. БІГУН, М. Д. БУЧКОВСЬКА, Н. С. КОЛТУН та ін.
При дослідженні термостабілізованих плівок нанесення плівок
зростаючих товщин досягали шляхом додаткового нанесення мета-
лу. Електронно-мікроскопічне та електронографічне дослідження
термостабілізованих плівок міді [3] показало, що одержані плівки
міді є полікристалічними однорідними шарами, лінійні розміри
кристалітів (D = 13 нм та на підшарі германію D = 6,5 нм) в площи-
Рис. 1. Залежність опору R свіжонанесених плівок міді при Т = 78 К. Підк-
ладка: 1 – чиста поверхня скла; 2 – поверхня скла покрита підшаром ге-
рманію товщиною 5 нм.
Рис. 2. Залежність R = R(d − dc) у логарифмічному масштабі для свіжонане-
сених плівок міді при 78 К. Крива 1 – плівка міді, осаджена на чисту по-
верхню скла, крива 2 – плівка міді, осаджена на поверхню скла, покриту
підшаром германію товщиною 5 нм.
ВПЛИВ ПІДШАРІВ Ge НА ПОРІГ ПРОТІКАННЯ СТРУМУ В ПЛІВКАХ Cu 89
ні, паралельній підкладці, не залежать від товщини шару міді
(принаймні, до товщини 60 нм). Розміри кристалітів у цих плівках
залежить від параметрів підшару германію [3].
3. РЕЗУЛЬТАТИ ЕКСПЕРИМЕНТУ ТА ЇХНЄ ОБГОВОРЕННЯ
Характерною особливістю отриманих у роботі експериментальних
даних є те, що провідність у плівках, нанесених на підшар герма-
нію, виникає при товщинах менших за товщини, при яких фіксу-
ється провідність у плівках, нанесених на чисту поверхню поліро-
ваного скла. Сказане можна проілюструвати даними наведеними на
рис. 1, на якому показані графіки розмірних залежностей опору
свіжонанесених плівок міді на поверхню скла та на підшар герма-
нію товщиною 5 нм. Іншою характерною особливістю наведених на
рис. 1 даних є відмінності в опорах плівок однакових геометричних
розмірів у інтервалі товщин, що перевищують 10—15 нм: опір плі-
вок однакової товщини, нанесених на чисту поверхню скла завжди
менший за опір плівок, нанесених на поверхню підшару германію.
Такі особливості спостерігались у всіх проведених в даній роботі до-
слідженнях свіжонанесених та термостабілізованих плівок.
Цей результат стає зрозумілим з аналізу даних, отриманих в [3],
з яких випливає, що структура термостабілізованих при 370 К плі-
вок суттєво залежить від товщини підшару германію, оскільки пі-
дшар германію перешкоджає коагуляції зародків кристалізації мі-
ді. У згаданій роботі показано, що в плівках, напилених на основі
даної методики [3], розміри зерна при фіксованій товщині підшару
германію не залежать від товщини плівки міді, принаймні, до тов-
щини 50—60 нм. Середні лінійні розміри кристалітів D можна змі-
нювати шляхом вибору товщини підшару германію. Величина D в
плівках, нанесених на чисту поверхню скла завжди більша за сере-
дні лінійні розміри кристалів в плівках, нанесених на поверхню пі-
дшару германію. Саме тому вплив зерномежового розсіювання носі-
їв струму в більшій мірі проявляється на величині опору плівок,
нанесених на поверхню підшару германію.
Проаналізуємо дані, наведені на рис. 1, за допомогою перколяцій-
ного моделю [1, 2]. Графік експериментальної розмірної залежності
R = R(d) можна представити у вигляді лінійної залежности у подвій-
ному логарифмічному масштабі рис. 2. Для плівок свіжонанесених
на чисту поверхню скла (крива 1) одержуємо dc = 7 нм, а для плівок,
нанесених на поверхню підшару германію, товщиною 5 нм, dc = 4 нм.
Величини показників степеня γ відповідно дорівнюють 1,31 та 1,23.
Можна стверджувати, що в свіжонанесених на скло та підшар
германію плівках міді реалізується 2D-механізм перколяції, оскі-
льки величини γ близькі до 1,3. Для відпалених при 370 К плівок
одержали залежності подібного характеру, однак з іншими число-
90 Р. І. БІГУН, М. Д. БУЧКОВСЬКА, Н. С. КОЛТУН та ін.
вими параметрами. Зокрема для плівок, нанесених на чисту повер-
хню скла, dc = 10,5 нм, а γ = 1,5, що є свідченням переважаючого
впливу об’ємного формування плівки металу (3D-перколяція).
Оцінка величини показника степеня γ перколяційної залежности
здійснена з точністю не гіршою Δν = 0,01, оцінка dс здійснена з точ-
ністю не гіршою за 0,1 нм.
Зауважимо, що подібні лінійні залежності R = f(d − dc) для свіжо-
нанесених та термостабілізованих плівок міді одержано при вико-
ристанні підшарів германію різної товщини від 0 до 6 нм. Обгово-
рення цих даних буде проведено після кількісного аналізу розмір-
них залежностей питомого опору плівок.
Залежність питомого опору плівок міді від товщини можна кіль-
кісно описати за допомогою наближеного виразу теорії Намба, який
враховує існування на поверхні плівки макроскопічних неоднорід-
ностей з амплітудою h. Вираз теорії Намба придатний для опису ро-
змірних залежностей питомого опору плівок, в яких середні лінійні
розміри кристалітів D не залежать від товщини плівки, а тому мо-
жна використати модельну величину ρ∞ – питомий опір плівки не-
скінченої товщини (d → ∞), структура якої ідентична будові плівки
даної скінченної товщини d. Згідно з теорією Намба [3] розмірна за-
лежність питомого опору при умові дифузного поверхневого розсі-
ювання носіїв струму (коефіцієнт дзеркальности поверхневого роз-
сіювання р = 0) записується:
1
1
2 22
3
( ) 1 1 1 ,
8
h h
d
d d d
− −
∞
λ ρ = ρ − + −
(2)
де λ – середня довжина вільного пробігу носіїв струму в шарі металу.
У плівках великої товщини (d >> h) розмірна залежність добутку ρ(d)d
повинна бути лінійною. Лінійність графіка цього добутку для експе-
риментальних даних зберігається лише в тих випадках, коли структу-
ра плівки не залежить від її товщини і для опису властивостей плівок
можна використовувати величину ρ∞. На рисунку 3 наведено експери-
ментальні розмірні залежності ρ(d)d свіжонанесених на чисте поліро-
ване скло (крива 1) та скло, покрите підшаром германію товщиною
5 нм (крива 2). На графіках суцільними лініями показані найближчі
до експериментальних даних теоретичні криві, побудовані на основі
виразу (2) з відповідним підбором параметрів ρ∞ і h. Нахил лінійної ді-
лянки при d > 15 нм чисельно дорівнює ρ∞. Підганяльні параметри ви-
явились такими: ρ∞ = 10,6·108
Ом⋅м, h = 6,5 нм для плівок, нанесених
на чисту поверхню полірованого скла, та ρ∞ = 26,5⋅108
Ом⋅м, h = 3,3 нм
для плівок, нанесених на поверхню підшару германію товщиною 5 нм.
Зауважимо, що якісно подібні результати отримано для всіх дос-
ліджуваних розмірних залежностей опору свіжонанесених та тер-
ВПЛИВ ПІДШАРІВ Ge НА ПОРІГ ПРОТІКАННЯ СТРУМУ В ПЛІВКАХ Cu 91
мостабілізованих плівок, осаджених на чисту поверхню скла та по-
верхню скла, покриту підшарами германію різної товщини. На ос-
нові сказаного вище та результатів структурних досліджень плівок,
нанесених на скло або підшар германію [3], можна зробити висно-
вок, що використана в роботі методика напорошення плівок забез-
печує виготовлення об’єктів кожної серії із структурою (параметри
кристалічної ґратниці, середні лінійні розміри кристалітів у пло-
щині, паралельній підкладці), яка залишається незмінною в проце-
сі росту плівки і збільшення її товщини. Придатність виразу теорії
Намба для кількісного опису електропровідности плівок також пі-
дтверджує отриманий експериментальний факт (на рис. 3 в області
товщин d > 15 нм хід розмірних залежностей питомого опору повні-
стю співпадає з апроксимацією моделю Намба в одному і другому
випадку, а в області d < 15 нм можна спостерігати відхилення тео-
ретичної кривої від експериментальних даних).
Оцінку впливу зерномежового розсіювання носіїв струму на пе-
ренесення заряду в плівках можна здійснити з використанням ві-
домого виразу теорії Тельє—Тосcе—Пішар [3]:
0 0
1 3 (1 ) (1 ),t D t∞ρ ρ = + λ − + (3)
в якому ρ0 – питомий опір масивного зразка металу (монокристал); λ0 –
середня довжина вільного пробігу носіїв струму в цьому зразку; t –
ймовірність міжзеренного тунелювання носіїв струму. У [3] було пока-
зано, що в межах зміни середніх лінійних розмірів кристалітів для ві-
дпалених плівок, нанесених на скло і підшари германію різної товщи-
Рис. 3. Залежності ρ(d)d = f(d) свіжонанесених плівок міді осаджених на
скляну підкладку (крива 1) та підкладку попередньо покриту підшаром
германію 5 нм (крива 2) (Твим = Тнап = 78 К). Точки – експериментальні да-
ні, суцільні криві побудовані на основі теоретичного виразу моделю Намба.
92 Р. І. БІГУН, М. Д. БУЧКОВСЬКА, Н. С. КОЛТУН та ін.
ни, значення t = 0,71. На основі цих даних можна здійснити оцінку вели-
чин D і для свіжонанесених плівок, вважаючи, що зерномежове розсіян-
ня є основним механізмом релаксації носіїв струму в об’ємі плівки.
На рисунку 4 наведено зміни основних величин, що впливають на
перенесення заряду в свіжонанесених плівках міді при використанні
підшарів германію різної товщини, а на рис. 5 показано аналогічні змі-
ни цих величин для плівок міді, термостабілізованих при Т = 370 К. За-
уважимо, що величини D для відпалених плівок отримано за результа-
тами безпосередніх електронно-мікроскопічних та електронографічних
досліджень, а для свіжонанесених плівок величина D розрахована за
допомогою виразу (3). Величина h, розрахована для термостабілізова-
Рис. 4. Розмірні залежності параметрів D, h, dc, γ від товщини підшару ге-
рманію. Відпалені плівки міді. Виміри проведені при Т = 293 К.
Рис. 5. Розмірні залежності параметрів D, h, dc, γ від товщини підшару ге-
рманію. Свіжонанесені (quench condensed) плівки міді;Т = 78К.
ВПЛИВ ПІДШАРІВ Ge НА ПОРІГ ПРОТІКАННЯ СТРУМУ В ПЛІВКАХ Cu 93
них плівок, добре узгоджується з результатами проведених нами дослі-
джень плівок з використанням СТМ та АСМ [3, 4] та в роботі [5].
З даних, наведених на рис. 4 і рис. 5, можна зробити ряд цікавих
висновків про існування взаємозв’язку в змінах параметрів D, h, dс і γ,
обумовлених впливом особливостей будови плівок, нанесених на скло
та підшари германію різної товщини. Очевидним є те, що середня ам-
плітуда макроскопічних поверхневих неоднорідностей h та товщина
плівки dс, що відповідає появі першого каналу металевої провіднос-
ти, за своєю величиною близькі до половини середніх лінійних розмі-
рів кристалітів D у площині, паралельній підкладці. Одержаний ре-
зультат більш детально буде розглянутий в нашій наступній роботі.
Проте з наших експериментальних досліджень було встановлено, що
при зменшенні середніх лінійних розмірів кристалітів D в плівці ме-
талу, провідність у ній виникає при менших товщинах, в порівнянні з
аналогічною плівкою з більшими середніми лінійними розмірами
кристалітів. Підшари германію сприяють формуванню плівки з
меншими розмірами кристалітів, що обумовлено зменшенням проце-
су коалесценції зародків конденсату на поверхні підкладки. Тому
вплив підкладки на формування є більшим в порівнянні з вкладом
об’ємної взаємодії у зародку кристалізації. В результаті говорять про
2D-перколяцію (аналогія змочування рідиною поверхні (2D) та не-
змочування (3D)). На механізм перколяції вказують також зміни по-
казника степеня γ, однак вони достатньо малі (менші за 10%).
4. ВИСНОВКИ
Показано, що наявність на поверхні діелектричної підкладки під-
шару германію субатомної товщини знижує величину масової тов-
щини плівки металу, що відповідає порогу протікання струму (per-
colation threshold).
У свіжонанесених на чисте скло та на скло, покрите підшаром
германію, існує 2D-ріст плівки міді, а у термостабілізованих при
370 К плівках міді переважає 3D-механізм перколяції.
ЦИТОВАНА ЛІТЕРАТУРА
1. M. Walther, D. Cooke, C. Sherstan, M. Hajar, M. Freeman, and F. Hegmann,
Phys. Rev. B, 76: 125408(1-9) (2007).
2. K. H. Han, Z. S. Lim, and Sung-Ik Lee, Physica B, 167: 185 (1990).
3. А. П. Шпак, Р. І. Бігун, З. В. Стасюк, Ю. А. Куницький, Наносистеми, на-
номатеріали, нанотехнології, 8, вип. 2: 339 (2010).
4. Р. І. Бігун, З. В. Стасюк, Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології, 6,
вип. 1: 17 (2008).
5. H.-D. Liu, Y.-P. Zhao, G. Ramanath, S. P. Murarka, and G.-C. Wang, Thin Sol-
id Films, 384: 151 (2001).
|
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-104065 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1024-1809 |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2025-12-07T17:01:12Z |
| publishDate | 2013 |
| publisher | Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Бігун, Р.І. Бучковська, М.Д. Колтун, Н.С. Стасюк, З.В. Леонов, Д.С. 2016-06-30T17:20:13Z 2016-06-30T17:20:13Z 2013 Вплив підшарів германію на поріг протікання струму в тонких плівках міді / Р.І. Бігун, М.Д. Бучковська, Н.С. Колтун, З.В. Стасюк, Д.С. Леонов // Металлофизика и новейшие технологии. — 2013. — Т. 35, № 1. — С. 85-93. — Бібліогр.: 5 назв. — укр. 1024-1809 PACS numbers:72.10.Fk, 73.23.-b,73.25.+i,73.40.-c,73.50.Bk,73.61.At, 85.40.Xx https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/104065 В умовах статичного надвисокого вакууму при тиску залишкових газів, нижчому за 10⁻⁷ Па, вивчено процеси виникнення металевого характеру електропровідности в тонких плівках міді, нанесених на отоплене поліроване скло та на скло, попередньо покрите підшаром германію субатомової товщини. В условиях статического сверхвысокого вакуума при давлении остаточных газов менее 10⁻⁷ Па исследованы процессы появления металлического характера электропроводности в тонких плёнках меди, нанесённых на оплавленное полированное стекло и на стекло, предварительно покрытое подслоем германия субатомной толщины. The metallic conductivity appearance in thin metal films deposited on glass substrate and glass substrate predeposited with germanium underlayers under ultrahigh vacuum conditions (provided with residual gas pressure less than 10⁻⁷ Pa) is investigated. uk Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України Металлофизика и новейшие технологии Металлические поверхности и плёнки Вплив підшарів германію на поріг протікання струму в тонких плівках міді Влияние подслоёв германия на порог протекания тока в тонких плёнках меди Influence of Sublayers of Germanium on a Threshold of Percolation of a Current in Thin Films of Copper Article published earlier |
| spellingShingle | Вплив підшарів германію на поріг протікання струму в тонких плівках міді Бігун, Р.І. Бучковська, М.Д. Колтун, Н.С. Стасюк, З.В. Леонов, Д.С. Металлические поверхности и плёнки |
| title | Вплив підшарів германію на поріг протікання струму в тонких плівках міді |
| title_alt | Влияние подслоёв германия на порог протекания тока в тонких плёнках меди Influence of Sublayers of Germanium on a Threshold of Percolation of a Current in Thin Films of Copper |
| title_full | Вплив підшарів германію на поріг протікання струму в тонких плівках міді |
| title_fullStr | Вплив підшарів германію на поріг протікання струму в тонких плівках міді |
| title_full_unstemmed | Вплив підшарів германію на поріг протікання струму в тонких плівках міді |
| title_short | Вплив підшарів германію на поріг протікання струму в тонких плівках міді |
| title_sort | вплив підшарів германію на поріг протікання струму в тонких плівках міді |
| topic | Металлические поверхности и плёнки |
| topic_facet | Металлические поверхности и плёнки |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/104065 |
| work_keys_str_mv | AT bígunrí vplivpídšarívgermaníûnaporígprotíkannâstrumuvtonkihplívkahmídí AT bučkovsʹkamd vplivpídšarívgermaníûnaporígprotíkannâstrumuvtonkihplívkahmídí AT koltunns vplivpídšarívgermaníûnaporígprotíkannâstrumuvtonkihplívkahmídí AT stasûkzv vplivpídšarívgermaníûnaporígprotíkannâstrumuvtonkihplívkahmídí AT leonovds vplivpídšarívgermaníûnaporígprotíkannâstrumuvtonkihplívkahmídí AT bígunrí vliâniepodsloevgermaniânaporogprotekaniâtokavtonkihplenkahmedi AT bučkovsʹkamd vliâniepodsloevgermaniânaporogprotekaniâtokavtonkihplenkahmedi AT koltunns vliâniepodsloevgermaniânaporogprotekaniâtokavtonkihplenkahmedi AT stasûkzv vliâniepodsloevgermaniânaporogprotekaniâtokavtonkihplenkahmedi AT leonovds vliâniepodsloevgermaniânaporogprotekaniâtokavtonkihplenkahmedi AT bígunrí influenceofsublayersofgermaniumonathresholdofpercolationofacurrentinthinfilmsofcopper AT bučkovsʹkamd influenceofsublayersofgermaniumonathresholdofpercolationofacurrentinthinfilmsofcopper AT koltunns influenceofsublayersofgermaniumonathresholdofpercolationofacurrentinthinfilmsofcopper AT stasûkzv influenceofsublayersofgermaniumonathresholdofpercolationofacurrentinthinfilmsofcopper AT leonovds influenceofsublayersofgermaniumonathresholdofpercolationofacurrentinthinfilmsofcopper |