Стики меж зерен у полікристалічних плівках кремнію

Методами атомової силової мікроскопії та трансмісійної електронної мікроскопії, залежно від типу вихідної структури та фізико-хемічного впливу під час зростання, в леґованих фосфором полікристалічних кремнійових плівках досліджено характеристики меж зерен, проаналізовано механізми формування як потр...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в:Металлофизика и новейшие технологии
Дата:2013
ISSN:1024-1809
Автори: Богорош, О.Т., Воронов, С.О., Шматко, І.О., Шматко, О.А.
Формат: Стаття
Мова:Українська
Опубліковано: Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України 2013
Теми:
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/104075
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Стики меж зерен у полікристалічних плівках кремнію / О.Т. Богорош, С.О. Воронов, І.О. Шматко, О.А. Шматко // Металлофизика и новейшие технологии. — 2013. — Т. 35, № 2. — С. 187-197. — Бібліогр.: 19 назв. — укр.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
_version_ 1862603757255131136
author Богорош, О.Т.
Воронов, С.О.
Шматко, І.О.
Шматко, О.А.
author_facet Богорош, О.Т.
Воронов, С.О.
Шматко, І.О.
Шматко, О.А.
citation_txt Стики меж зерен у полікристалічних плівках кремнію / О.Т. Богорош, С.О. Воронов, І.О. Шматко, О.А. Шматко // Металлофизика и новейшие технологии. — 2013. — Т. 35, № 2. — С. 187-197. — Бібліогр.: 19 назв. — укр.
collection DSpace DC
container_title Металлофизика и новейшие технологии
description Методами атомової силової мікроскопії та трансмісійної електронної мікроскопії, залежно від типу вихідної структури та фізико-хемічного впливу під час зростання, в леґованих фосфором полікристалічних кремнійових плівках досліджено характеристики меж зерен, проаналізовано механізми формування як потрійних стиків меж, так і множинних, що відрізняються кількістю та взаємним розташуванням спеціяльних меж Σ3ⁿ і меж загального типу. Результати аналізи схильности стиків меж зерен різних типів до рухливости і взаємодії з ними домішкових кластерів є підставою для розроблення принципів керування структурою, її морфологічними особливостями, комплексом фізичних та механічних властивостей плівкових матеріялів. Методами атомной силовой микроскопии и трансмиссионной электронной микроскопии, в зависимости от типа исходной структуры и физико-химического влияния во время роста, в легированных фосфором поликристаллических кремниевых пленках исследованы характеристики границ зёрен, проанализированы механизмы формирования как тройных стыков границ, так и множественных стыков, отличающихся количеством и взаимным расположением специальных границ Σ3ⁿ и границ общего типа. Результаты анализа склонности стыков границ зёрен разных типов к подвижности и взаимодействия с ними примесных кластеров являются основой для разработки принципов управления структурой, её морфологическими особенностями, комплексом физических и механических свойств плёночных материалов. The structural characteristics of grain boundaries of polycrystalline silicon films doped by phosphorous are investigated by atomic force microscopy and transmission electron microscopy. The formation mechanisms of triple- and multiple-grain junctions, which are different by quantity and relative arrangement of special boundaries Σ3ⁿ and boundaries of general type, are analysed. Effects of analysis of inclination of different types’ grain junctions to mobility and interactions with impurity clusters are the basis for working out of principles for control of structure, its morphological features, a complex of physical and mechanical properties of film materials.
first_indexed 2025-11-28T07:22:19Z
format Article
fulltext
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-104075
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
issn 1024-1809
language Ukrainian
last_indexed 2025-11-28T07:22:19Z
publishDate 2013
publisher Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
record_format dspace
spelling Богорош, О.Т.
Воронов, С.О.
Шматко, І.О.
Шматко, О.А.
2016-07-01T09:09:51Z
2016-07-01T09:09:51Z
2013
Стики меж зерен у полікристалічних плівках кремнію / О.Т. Богорош, С.О. Воронов, І.О. Шматко, О.А. Шматко // Металлофизика и новейшие технологии. — 2013. — Т. 35, № 2. — С. 187-197. — Бібліогр.: 19 назв. — укр.
1024-1809
PACS numbers: 68.37.Lp, 68.37.Ps, 68.55.ag, 68.55.J-, 68.55.Ln, 68.60.Dv
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/104075
Методами атомової силової мікроскопії та трансмісійної електронної мікроскопії, залежно від типу вихідної структури та фізико-хемічного впливу під час зростання, в леґованих фосфором полікристалічних кремнійових плівках досліджено характеристики меж зерен, проаналізовано механізми формування як потрійних стиків меж, так і множинних, що відрізняються кількістю та взаємним розташуванням спеціяльних меж Σ3ⁿ і меж загального типу. Результати аналізи схильности стиків меж зерен різних типів до рухливости і взаємодії з ними домішкових кластерів є підставою для розроблення принципів керування структурою, її морфологічними особливостями, комплексом фізичних та механічних властивостей плівкових матеріялів.
Методами атомной силовой микроскопии и трансмиссионной электронной микроскопии, в зависимости от типа исходной структуры и физико-химического влияния во время роста, в легированных фосфором поликристаллических кремниевых пленках исследованы характеристики границ зёрен, проанализированы механизмы формирования как тройных стыков границ, так и множественных стыков, отличающихся количеством и взаимным расположением специальных границ Σ3ⁿ и границ общего типа. Результаты анализа склонности стыков границ зёрен разных типов к подвижности и взаимодействия с ними примесных кластеров являются основой для разработки принципов управления структурой, её морфологическими особенностями, комплексом физических и механических свойств плёночных материалов.
The structural characteristics of grain boundaries of polycrystalline silicon films doped by phosphorous are investigated by atomic force microscopy and transmission electron microscopy. The formation mechanisms of triple- and multiple-grain junctions, which are different by quantity and relative arrangement of special boundaries Σ3ⁿ and boundaries of general type, are analysed. Effects of analysis of inclination of different types’ grain junctions to mobility and interactions with impurity clusters are the basis for working out of principles for control of structure, its morphological features, a complex of physical and mechanical properties of film materials.
uk
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
Металлофизика и новейшие технологии
Дефекты кристаллической решётки
Стики меж зерен у полікристалічних плівках кремнію
Grain Boundary Junctions in Polycrystalline Silicon Films
Article
published earlier
spellingShingle Стики меж зерен у полікристалічних плівках кремнію
Богорош, О.Т.
Воронов, С.О.
Шматко, І.О.
Шматко, О.А.
Дефекты кристаллической решётки
title Стики меж зерен у полікристалічних плівках кремнію
title_alt Grain Boundary Junctions in Polycrystalline Silicon Films
title_full Стики меж зерен у полікристалічних плівках кремнію
title_fullStr Стики меж зерен у полікристалічних плівках кремнію
title_full_unstemmed Стики меж зерен у полікристалічних плівках кремнію
title_short Стики меж зерен у полікристалічних плівках кремнію
title_sort стики меж зерен у полікристалічних плівках кремнію
topic Дефекты кристаллической решётки
topic_facet Дефекты кристаллической решётки
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/104075
work_keys_str_mv AT bogorošot stikimežzerenupolíkristalíčnihplívkahkremníû
AT voronovso stikimežzerenupolíkristalíčnihplívkahkremníû
AT šmatkoío stikimežzerenupolíkristalíčnihplívkahkremníû
AT šmatkooa stikimežzerenupolíkristalíčnihplívkahkremníû
AT bogorošot grainboundaryjunctionsinpolycrystallinesiliconfilms
AT voronovso grainboundaryjunctionsinpolycrystallinesiliconfilms
AT šmatkoío grainboundaryjunctionsinpolycrystallinesiliconfilms
AT šmatkooa grainboundaryjunctionsinpolycrystallinesiliconfilms