Вплив пластичного деформування на дефектно-домішковий стан та магнетні властивості кремнію (Cz-Si)

Досліджено зв'язок між сформованим за високотемпературного деформування дефектно-домішковим станом кристалів кремнію та його магнітними властивостями. Виявлена у здеформованих кристалах кремнію зміна магнітного моменту зумовлена впливом двох факторів - утворенням за умов деформації анізотропних...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Металлофизика и новейшие технологии
Дата:2013
Автори: Макара, В.А., Стебленко, Л.П., Плющай, І.В., Калініченко, Д.В., Курилюк, А.М., Кріт, О.М., Мельник, А.К.
Формат: Стаття
Мова:Ukrainian
Опубліковано: Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України 2013
Теми:
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/104091
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Вплив пластичного деформування на дефектно-домішковий стан та магнетні властивості кремнію (Cz-Si) / В.А. Макара, Л.П. Стебленко, І.В. Плющай, Д.В. Калініченко, А.М. Курилюк, О.М. Кріт, А.К. Мельник // Металлофизика и новейшие технологии. — 2013. — Т. 35, № 3. — С. 359-366. — Бібліогр.: 6 назв. — укр.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Опис
Резюме:Досліджено зв'язок між сформованим за високотемпературного деформування дефектно-домішковим станом кристалів кремнію та його магнітними властивостями. Виявлена у здеформованих кристалах кремнію зміна магнітного моменту зумовлена впливом двох факторів - утворенням за умов деформації анізотропних парамагнітних центрів на дислокаційних обірваних зв'язках та суттєвим збільшенням в околі дислокацій кількості домішок (кисню та вуглецю). В работе исследуется связь между сформированным при высокотемпературном деформировании дефектно-примесным состоянием кристаллов кремния и его магнитными свойствами. Выявленное в деформированных кристаллах кремния изменение магнитного момента связывается с влиянием двух факторов – образованием при деформации анизотропных парамагнитных центров на дислокационных оборванных связях и существенным увеличением в окрестности дислокаций количества примесей (кислорода и углерода). The correlation between the defect-impurity state formed at high temperature deformation in silicon crystals and its magnetic properties is investigated. The magnetic moment changes detected in the deformed silicon crystals are associated with the influence of two factors–the formation of anisotropic paramagnetic centres on dislocation dangling bonds due to the deformation and a substantial increase of the oxygen and carbon impurities in the vicinity of dislocations.
ISSN:1024-1809