Электросопротивление многослойных композиций Al–Cu и графит–фторопласт

Изучено особенности поведения электросопротивления σ⁻¹ многослойных композиций (МСК) Al–Cu при изменении толщины слоя в диапазоне h = 20–350 нм и МСК графит–фторопласт (h = 300–1600 нм). Показано, что в отличие от МСК Al–Cu, где σ⁻¹ нарастает с уменьшением h за счёт неупругого рассеяния электронов...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Металлофизика и новейшие технологии
Datum:2013
Hauptverfasser: Беженар, А.А., Занмин Дун, Копань, В.С., Рево, С.Л., Хуторянская, Н.В.
Format: Artikel
Sprache:Russian
Veröffentlicht: Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України 2013
Schlagworte:
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/104112
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Электросопротивление многослойных композиций Al–Cu и графит–фторопласт / А.А. Беженар, Дун Занмин, В.С. Копань, С.Л. Рево, Н.В. Хуторянская // Металлофизика и новейшие технологии. — 2013. — Т. 35, № 5. — С. 595-602. — Бібліогр.: 12 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-104112
record_format dspace
spelling Беженар, А.А.
Занмин Дун
Копань, В.С.
Рево, С.Л.
Хуторянская, Н.В.
2016-07-01T19:17:34Z
2016-07-01T19:17:34Z
2013
Электросопротивление многослойных композиций Al–Cu и графит–фторопласт / А.А. Беженар, Дун Занмин, В.С. Копань, С.Л. Рево, Н.В. Хуторянская // Металлофизика и новейшие технологии. — 2013. — Т. 35, № 5. — С. 595-602. — Бібліогр.: 12 назв. — рос.
1024-1809
PACS numbers: 72.80Tm, 73.21Ас, 73.40.Gk, 73.40.Jn, 73.40.Ns, 73.50.Mx, 81.20.Hy
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/104112
Изучено особенности поведения электросопротивления σ⁻¹ многослойных композиций (МСК) Al–Cu при изменении толщины слоя в диапазоне h = 20–350 нм и МСК графит–фторопласт (h = 300–1600 нм). Показано, что в отличие от МСК Al–Cu, где σ⁻¹ нарастает с уменьшением h за счёт неупругого рассеяния электронов на границах между слоями, в компози-ции графит–фторопласт оно нарастает за счет туннелирования носителей тока через зазоры между частицами графита.
Вивчено залежність електроопору σ⁻¹ багатошарових композицій (БШК) Al–Cu від товщини шару в діапазоні h = 20–350 нм та БШК графіт–фторо-пласт (h = 300–1600 нм). Показано, що в БШК Al–Cu σ⁻¹ наростає зі зменшенням h за рахунок непружного розсіювання електронів на границях між шарами, а в БШК графіт–фторопласт — за рахунок тунелювання че-рез зазори між частинками графіту.
The dependence of the electrical resistivity σ⁻¹ of multilayer compositions (MLC) of Al–Cu on the thickness of layer in the range h = 20–350 nm and MLC of graphite-fluoroplastic (h = 300–1600 nm) is investigated. It is shown that σ⁻¹ grows with decreasing of h due to the inelastic scattering of electrons at the boundaries between layers in the MLC of Al–Cu and due to tunnelling through the gaps between the graphite particles in the MLC of graphite–fluoroplastic.
ru
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
Металлофизика и новейшие технологии
Электронные структура и свойства
Электросопротивление многослойных композиций Al–Cu и графит–фторопласт
Electrical Resistance of the Al–Cu and Graphite–Fluoro-plastic Multilayer Compositions
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Электросопротивление многослойных композиций Al–Cu и графит–фторопласт
spellingShingle Электросопротивление многослойных композиций Al–Cu и графит–фторопласт
Беженар, А.А.
Занмин Дун
Копань, В.С.
Рево, С.Л.
Хуторянская, Н.В.
Электронные структура и свойства
title_short Электросопротивление многослойных композиций Al–Cu и графит–фторопласт
title_full Электросопротивление многослойных композиций Al–Cu и графит–фторопласт
title_fullStr Электросопротивление многослойных композиций Al–Cu и графит–фторопласт
title_full_unstemmed Электросопротивление многослойных композиций Al–Cu и графит–фторопласт
title_sort электросопротивление многослойных композиций al–cu и графит–фторопласт
author Беженар, А.А.
Занмин Дун
Копань, В.С.
Рево, С.Л.
Хуторянская, Н.В.
author_facet Беженар, А.А.
Занмин Дун
Копань, В.С.
Рево, С.Л.
Хуторянская, Н.В.
topic Электронные структура и свойства
topic_facet Электронные структура и свойства
publishDate 2013
language Russian
container_title Металлофизика и новейшие технологии
publisher Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
format Article
title_alt Electrical Resistance of the Al–Cu and Graphite–Fluoro-plastic Multilayer Compositions
description Изучено особенности поведения электросопротивления σ⁻¹ многослойных композиций (МСК) Al–Cu при изменении толщины слоя в диапазоне h = 20–350 нм и МСК графит–фторопласт (h = 300–1600 нм). Показано, что в отличие от МСК Al–Cu, где σ⁻¹ нарастает с уменьшением h за счёт неупругого рассеяния электронов на границах между слоями, в компози-ции графит–фторопласт оно нарастает за счет туннелирования носителей тока через зазоры между частицами графита. Вивчено залежність електроопору σ⁻¹ багатошарових композицій (БШК) Al–Cu від товщини шару в діапазоні h = 20–350 нм та БШК графіт–фторо-пласт (h = 300–1600 нм). Показано, що в БШК Al–Cu σ⁻¹ наростає зі зменшенням h за рахунок непружного розсіювання електронів на границях між шарами, а в БШК графіт–фторопласт — за рахунок тунелювання че-рез зазори між частинками графіту. The dependence of the electrical resistivity σ⁻¹ of multilayer compositions (MLC) of Al–Cu on the thickness of layer in the range h = 20–350 nm and MLC of graphite-fluoroplastic (h = 300–1600 nm) is investigated. It is shown that σ⁻¹ grows with decreasing of h due to the inelastic scattering of electrons at the boundaries between layers in the MLC of Al–Cu and due to tunnelling through the gaps between the graphite particles in the MLC of graphite–fluoroplastic.
issn 1024-1809
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/104112
fulltext
citation_txt Электросопротивление многослойных композиций Al–Cu и графит–фторопласт / А.А. Беженар, Дун Занмин, В.С. Копань, С.Л. Рево, Н.В. Хуторянская // Металлофизика и новейшие технологии. — 2013. — Т. 35, № 5. — С. 595-602. — Бібліогр.: 12 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT beženaraa élektrosoprotivleniemnogosloinyhkompoziciialcuigrafitftoroplast
AT zanmindun élektrosoprotivleniemnogosloinyhkompoziciialcuigrafitftoroplast
AT kopanʹvs élektrosoprotivleniemnogosloinyhkompoziciialcuigrafitftoroplast
AT revosl élektrosoprotivleniemnogosloinyhkompoziciialcuigrafitftoroplast
AT hutorânskaânv élektrosoprotivleniemnogosloinyhkompoziciialcuigrafitftoroplast
AT beženaraa electricalresistanceofthealcuandgraphitefluoroplasticmultilayercompositions
AT zanmindun electricalresistanceofthealcuandgraphitefluoroplasticmultilayercompositions
AT kopanʹvs electricalresistanceofthealcuandgraphitefluoroplasticmultilayercompositions
AT revosl electricalresistanceofthealcuandgraphitefluoroplasticmultilayercompositions
AT hutorânskaânv electricalresistanceofthealcuandgraphitefluoroplasticmultilayercompositions
first_indexed 2025-11-24T10:11:30Z
last_indexed 2025-11-24T10:11:30Z
_version_ 1850844658595266560