Влияние эффекта близости на возникновение пороговой и когерентной неустойчивости неравновесного сверхпроводящего состояния в сэндвиче MoRe/Al
Был изучен эффект близости в сэндвичах MoRe/Al с различными критическими температурами Tc плёнок MoRe. Сделана оценка параметров эффекта близости γ, γBN, γm и γB. На вольт-амперных характеристиках туннельных контактов MoRe/Al—I—Pb наблюдались особенности, связанные с неустойчивостью неравновесного с...
Saved in:
| Published in: | Металлофизика и новейшие технологии |
|---|---|
| Date: | 2013 |
| Main Authors: | Дубина, Д.С., Руденко, Э.М., Краковный, А.А., Носков, В.Л. |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
2013
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/104210 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Влияние эффекта близости на возникновение пороговой и когерентной неустойчивости неравновесного сверхпроводящего состояния в сэндвиче MoRe/Al / Д.С. Дубина, Э.М. Руденко, А.А. Краковный, В.Л. Носков // Металлофизика и новейшие технологии. — 2013. — Т. 35, № 9. — С. 1185-1196. — Бібліогр.: 18 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineSimilar Items
-
Джозефсоновский π-контакт в структуре MoRe—Ni₂MnGa—I—Pb/Sn
by: Руденко, Э.М., et al.
Published: (2014) -
Influence of external microwave radiation on transport characteristics of superconducting MoRe–Si(W)–MoRe junctions
by: A. P. Shapovalov, et al.
Published: (2021) -
Charge transport in superconducting heterostructures MoRe–Si(W)–MoRe with hybrid semiconductor barrier with metal nanoclusters
by: V. E. Shaternik, et al.
Published: (2017) -
Charge Transport in MoRe—Si(W)—MoRe Heterostructures under Various Levels of Semiconductor Layer Alloying
by: A. P. Shapovalov
Published: (2013) -
Excess Quasi-Particle Current in Josephson Superconductor—Doped Semiconductor—Superconductor Heterostructures MoRe—Si (W)—MoRe
by: V. E. Shaternik, et al.
Published: (2014)