Управление состояниями наночастицы антиферромагнетик—пьезоэлектрик с помощью магнитного и электрического полей

Антиферромагнитные (АФМ) материалы находят применение в устройствах спинтроники в роли «подмагничивающих» прослоек для ферромагнетиков, в том числе в элементах магнитной памяти. В данной работе мы
 рассматриваем наночастицу, которая представляет собой многослойную структуру – синтетический м...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Металлофизика и новейшие технологии
Datum:2013
ISSN:1024-1809
Hauptverfasser: Кондович, С.В., Гомонай, Е.В.
Format: Artikel
Sprache:Russisch
Veröffentlicht: Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України 2013
Schlagworte:
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/104234
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Управление состояниями наночастицы антиферромагнетик—пьезоэлектрик с помощью магнитного и электрического полей / С.В. Кондович, Е.В. Гомонай // Металлофизика и новейшие технологии. — 2013. — Т. 35, № 11. — С. 1451-1463. — Бібліогр.: 19 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Beschreibung
Zusammenfassung:Антиферромагнитные (АФМ) материалы находят применение в устройствах спинтроники в роли «подмагничивающих» прослоек для ферромагнетиков, в том числе в элементах магнитной памяти. В данной работе мы
 рассматриваем наночастицу, которая представляет собой многослойную структуру – синтетический мультиферроик, содержащий пьезоэлектрический и АФМ-слои, в качестве потенциального носителя информации.
 Хранение информации соответствует определённой ориентации АФМ-вектора в наночастице. Мы анализируем возможные способы переключения состояния такой частицы с помощью магнитного поля и предлагаем
 метод упрощения процесса переориентации АФМ-вектора, используя для управления состоянием образца не только магнитное, но также и электрическое поле. Антиферомагнетні (АФМ) матеріяли застосовуються в пристроях спінтроніки в ролі прошарків для «підмагнетовування» феромагнетиків, у тому числі в елементах магнетної пам’яті. В даній роботі ми розглядаємо наночастинку, яка є багатошаровою структурою – синтетичним мультифероїком, що містить п’єзоелектричний і АФМ-прошарки, в якості потенційного носія інформації. Зберігання інформації відповідає певній орієнтації АФМ-вектора в наночастинці. Ми аналізуємо можливі способи перемикання стану такої частинки за допомогою магнетного поля і пропонуємо методу спрощення процесу переорієнтації АФМ-вектора, використовуючи для управління станом зразка не лише магнетне, а й електричне поле. Antiferromagnetic (AFM) materials are used along with ferromagnetic materials
 in spintronic devices, e.g., in magnetic memory elements. In a given paper,
 we consider a multilayered nanoparticle–a synthetic multiferroic, which includes
 piezoelectric and AFM layers, as a potential information-recording medium. Storage of information corresponds to a particular orientation of the
 AFM vector in a nanoparticle. We analyse the possible ways to switch the state
 of such particle using a magnetic field and propose a method for simplifying
 the process of the AFM-vector reorientation, manipulating the state of the
 sample not only with the magnetic field, but also with the electric one.
ISSN:1024-1809