Дослідження процесів релаксації у природно зістарених монокристалах кремнію
У роботі розглянуто вплив тривалого природнього старіння та відпалу при 270°C на поведінку температурно-кінетичних залежностей ефективного модуля зсуву Gef та низькочастотного внутрішнього тертя Q⁻¹ кремнію, вирощеного методою Чохральського. Розраховано відношення швидкостей руху дефектів, визнач...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Металлофизика и новейшие технологии |
|---|---|
| Дата: | 2013 |
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Ukrainian |
| Опубліковано: |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
2013
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/104270 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Дослідження процесів релаксації у природно зістарених монокристалах кремнію / Є.І. Курек, І.Г. Курек, А.В. Олійнич-Лисюк, М.Д. Раранський // Металлофизика и новейшие технологии. — 2013. — Т. 35, № 12. — С. 1717-1724. — Бібліогр.: 16 назв. — укр. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-104270 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Курек, Є.І. Курек, І.Г. Олійнич-Лисюк, А.В. Раранський, М.Д. 2016-07-06T15:39:51Z 2016-07-06T15:39:51Z 2013 Дослідження процесів релаксації у природно зістарених монокристалах кремнію / Є.І. Курек, І.Г. Курек, А.В. Олійнич-Лисюк, М.Д. Раранський // Металлофизика и новейшие технологии. — 2013. — Т. 35, № 12. — С. 1717-1724. — Бібліогр.: 16 назв. — укр. 1024-1809 PACS numbers: 61.72.Hh, 62.20.D-, 62.40.+i, 81.40.Cd, 81.40.Jj, 81.70.Bt https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/104270 У роботі розглянуто вплив тривалого природнього старіння та відпалу при 270°C на поведінку температурно-кінетичних залежностей ефективного модуля зсуву Gef та низькочастотного внутрішнього тертя Q⁻¹ кремнію, вирощеного методою Чохральського. Розраховано відношення швидкостей руху дефектів, визначено енергії активації Ei їх руху в інтервалі ≈ 20—300°C та проаналізовано можливі механізми релаксації дефектної підсистеми під дією напружень, які виникають у кремнії при розпаді пересиченого твердо- го розчину кисню. В околі 70°C виявлено зміну енергії активації з 0,51 еВ на 0,14 еВ, зумовлену закріпленням дислокаційних перегинів на точкових дефектах та їх комплексах. Запропоновано методику неруйнівного способу дослідження мікромеханізмів руху дефектів у кремнії. В работе рассмотрено влияние длительного естественного старения и отжига при 270°C на поведение температурно-кинетических зависимостей эффективного модуля сдвига Gef и низкочастотного внутреннего трения Q⁻¹ кремния, выращенного методом Чохральского. Рассчитаны отношения скоростей движения дефектов, определены энергии активации Ei их движения в интервале ≈ 20—300°C и проанализированы возможные механизмы релаксации дефектной подсистемы под действием напряжений, возникающих в кремнии при распаде пересыщенного твёрдого раствора кислорода. При температуре ≈ 70°C обнаружено изменение энергии активации с 0,51 эВ на 0,14 эВ, обусловленное закреплением дислокационных перегибов на точечных дефектах и их комплексах. Предложена методика неразрушающего способа исследования микромеханизмов движения дефектов в кремнии. In a given article, the influence of long-term natural ageing and annealing at 270°C on the behaviour of temperature—kinetic dependences of the effective shear modulus Gef and the low-frequency internal friction Q⁻¹ of silicon grown by means of the Czochralski method is considered. The relations of motion velocities of defects are calculated; certain activation energies Ei of their motion in the interval ≈ 20—300°C are determined, and possible mechanisms of relaxation of defect subsystem under the action of tensions that arise up in silicon at decomposition of supersaturated solid solution of oxygen are analysed. Near 70°C, the change of activation energy from 0.51 eV to 0.14 eV caused by fixing of dislocation bends on point defects and their complexes is revealed. The technique of non-destructive testing of micromechanisms of defects’ motion in silicon is offered. uk Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України Металлофизика и новейшие технологии Дефекты кристаллической решётки Дослідження процесів релаксації у природно зістарених монокристалах кремнію Исследование процессов релаксации в естественно состаренных монокристаллах кремния Investigation of Relaxation Processes in Naturally-Aged Single Crystals of Silicon Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Дослідження процесів релаксації у природно зістарених монокристалах кремнію |
| spellingShingle |
Дослідження процесів релаксації у природно зістарених монокристалах кремнію Курек, Є.І. Курек, І.Г. Олійнич-Лисюк, А.В. Раранський, М.Д. Дефекты кристаллической решётки |
| title_short |
Дослідження процесів релаксації у природно зістарених монокристалах кремнію |
| title_full |
Дослідження процесів релаксації у природно зістарених монокристалах кремнію |
| title_fullStr |
Дослідження процесів релаксації у природно зістарених монокристалах кремнію |
| title_full_unstemmed |
Дослідження процесів релаксації у природно зістарених монокристалах кремнію |
| title_sort |
дослідження процесів релаксації у природно зістарених монокристалах кремнію |
| author |
Курек, Є.І. Курек, І.Г. Олійнич-Лисюк, А.В. Раранський, М.Д. |
| author_facet |
Курек, Є.І. Курек, І.Г. Олійнич-Лисюк, А.В. Раранський, М.Д. |
| topic |
Дефекты кристаллической решётки |
| topic_facet |
Дефекты кристаллической решётки |
| publishDate |
2013 |
| language |
Ukrainian |
| container_title |
Металлофизика и новейшие технологии |
| publisher |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Исследование процессов релаксации в естественно состаренных монокристаллах кремния Investigation of Relaxation Processes in Naturally-Aged Single Crystals of Silicon |
| description |
У роботі розглянуто вплив тривалого природнього старіння та відпалу при
270°C на поведінку температурно-кінетичних залежностей ефективного модуля зсуву Gef та низькочастотного внутрішнього тертя Q⁻¹
кремнію, вирощеного методою Чохральського. Розраховано відношення швидкостей руху
дефектів, визначено енергії активації Ei їх руху в інтервалі ≈ 20—300°C та
проаналізовано можливі механізми релаксації дефектної підсистеми під
дією напружень, які виникають у кремнії при розпаді пересиченого твердо-
го розчину кисню. В околі 70°C виявлено зміну енергії активації з 0,51 еВ на
0,14 еВ, зумовлену закріпленням дислокаційних перегинів на точкових дефектах та їх комплексах. Запропоновано методику неруйнівного способу
дослідження мікромеханізмів руху дефектів у кремнії.
В работе рассмотрено влияние длительного естественного старения и отжига
при 270°C на поведение температурно-кинетических зависимостей эффективного модуля сдвига Gef и низкочастотного внутреннего трения Q⁻¹
кремния, выращенного методом Чохральского. Рассчитаны отношения скоростей движения дефектов, определены энергии активации Ei их движения в
интервале ≈ 20—300°C и проанализированы возможные механизмы релаксации дефектной подсистемы под действием напряжений, возникающих в
кремнии при распаде пересыщенного твёрдого раствора кислорода. При
температуре ≈ 70°C обнаружено изменение энергии активации с 0,51 эВ на
0,14 эВ, обусловленное закреплением дислокационных перегибов на точечных дефектах и их комплексах. Предложена методика неразрушающего
способа исследования микромеханизмов движения дефектов в кремнии.
In a given article, the influence of long-term natural ageing and annealing at
270°C on the behaviour of temperature—kinetic dependences of the effective
shear modulus Gef and the low-frequency internal friction Q⁻¹
of silicon grown by means of the Czochralski method is considered. The relations of motion velocities
of defects are calculated; certain activation energies Ei of their motion
in the interval ≈ 20—300°C are determined, and possible mechanisms of relaxation
of defect subsystem under the action of tensions that arise up in silicon at
decomposition of supersaturated solid solution of oxygen are analysed. Near
70°C, the change of activation energy from 0.51 eV to 0.14 eV caused by fixing
of dislocation bends on point defects and their complexes is revealed. The technique
of non-destructive testing of micromechanisms of defects’ motion in silicon is offered.
|
| issn |
1024-1809 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/104270 |
| citation_txt |
Дослідження процесів релаксації у природно зістарених монокристалах кремнію / Є.І. Курек, І.Г. Курек, А.В. Олійнич-Лисюк, М.Д. Раранський // Металлофизика и новейшие технологии. — 2013. — Т. 35, № 12. — С. 1717-1724. — Бібліогр.: 16 назв. — укр. |
| work_keys_str_mv |
AT kurekêí doslídžennâprocesívrelaksacííuprirodnozístarenihmonokristalahkremníû AT kurekíg doslídžennâprocesívrelaksacííuprirodnozístarenihmonokristalahkremníû AT olíiničlisûkav doslídžennâprocesívrelaksacííuprirodnozístarenihmonokristalahkremníû AT raransʹkiimd doslídžennâprocesívrelaksacííuprirodnozístarenihmonokristalahkremníû AT kurekêí issledovanieprocessovrelaksaciivestestvennosostarennyhmonokristallahkremniâ AT kurekíg issledovanieprocessovrelaksaciivestestvennosostarennyhmonokristallahkremniâ AT olíiničlisûkav issledovanieprocessovrelaksaciivestestvennosostarennyhmonokristallahkremniâ AT raransʹkiimd issledovanieprocessovrelaksaciivestestvennosostarennyhmonokristallahkremniâ AT kurekêí investigationofrelaxationprocessesinnaturallyagedsinglecrystalsofsilicon AT kurekíg investigationofrelaxationprocessesinnaturallyagedsinglecrystalsofsilicon AT olíiničlisûkav investigationofrelaxationprocessesinnaturallyagedsinglecrystalsofsilicon AT raransʹkiimd investigationofrelaxationprocessesinnaturallyagedsinglecrystalsofsilicon |
| first_indexed |
2025-12-01T01:51:29Z |
| last_indexed |
2025-12-01T01:51:29Z |
| _version_ |
1850859015432568832 |