Влияние диссипации на свойства циклотронных волн в полупроводниковой периодической структуре

Исследуется влияние диссипации в полупроводниковом материале слоисто-периодической структуры полупроводник –
 диэлектрик на контуры зон пропускания собственных волн. Показано, что учет потерь в полупроводнике приводит к возникновению поворота дисперсионных кривых для электромагнитных волн, р...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2008
Автори: Булгаков, А.А., Кононенко, В.К., Костылева, О.В.
Формат: Стаття
Мова:Російська
Опубліковано: Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України 2008
Теми:
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/10558
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Влияние диссипации на свойства циклотронных волн в полупроводниковой периодической структуре / А.А. Булгаков, В.К. Кононенко, О.В. Костылева // Радіофізика та електроніка. — 2008. — Т. 13, № 1. — С. 94-98. — Бібліогр.: 16 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Опис
Резюме:Исследуется влияние диссипации в полупроводниковом материале слоисто-периодической структуры полупроводник –
 диэлектрик на контуры зон пропускания собственных волн. Показано, что учет потерь в полупроводнике приводит к возникновению поворота дисперсионных кривых для электромагнитных волн, распространяющихся в такой структуре. При этом ограничивается минимальное значение фазовой скорости волны. Обнаружено, что при больших значениях частоты столкновений один из
 краев зон в области циклотронных волн вырождается, т. е. происходит “разрушение” зоны. Досліджується вплив дисипації у напівпровідниковому матеріалі шарувато-періодичної структури напівпровідник - діелектрик на контури зон пропускання власних хвиль.
 Показано, що урахування втрат у напівпровіднику приводить
 до виникнення повороту дисперсійних кривих для електромагнітних хвиль, що поширюються в такій структурі. При цьому
 обмежується мінімальне значення фазової швидкості хвилі.
 Виявлено, що при великих значеннях частоти зіткнень один із
 країв зон в області циклотронних хвиль вироджується, тобто
 відбувається “руйнування” зони. Influence of the dissipation in the semiconductor material
 of the semiconductor - dielectric periodic layered structure on the
 pass band contour of the eigen waves is investigated. It is shown that
 taking into account the dissipation gives rise to the occurrence of the
 turning of dispersion curves for the electromagnetic waves propagating
 in such a structure. At the same time the phase velocity minimum
 value is limited. It is found that when the collision frequency value is
 big one of the band edges in the cyclotron waves region is degenerate,
 i.e. the zone “destruction” takes place.
ISSN:1028-821X