Влияние диссипации на свойства циклотронных волн в полупроводниковой периодической структуре

Исследуется влияние диссипации в полупроводниковом материале слоисто-периодической структуры полупроводник –
 диэлектрик на контуры зон пропускания собственных волн. Показано, что учет потерь в полупроводнике приводит к возникновению поворота дисперсионных кривых для электромагнитных волн, р...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Datum:2008
Hauptverfasser: Булгаков, А.А., Кононенко, В.К., Костылева, О.В.
Format: Artikel
Sprache:Russisch
Veröffentlicht: Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України 2008
Schlagworte:
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/10558
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Влияние диссипации на свойства циклотронных волн в полупроводниковой периодической структуре / А.А. Булгаков, В.К. Кононенко, О.В. Костылева // Радіофізика та електроніка. — 2008. — Т. 13, № 1. — С. 94-98. — Бібліогр.: 16 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
_version_ 1862722170086490112
author Булгаков, А.А.
Кононенко, В.К.
Костылева, О.В.
author_facet Булгаков, А.А.
Кононенко, В.К.
Костылева, О.В.
citation_txt Влияние диссипации на свойства циклотронных волн в полупроводниковой периодической структуре / А.А. Булгаков, В.К. Кононенко, О.В. Костылева // Радіофізика та електроніка. — 2008. — Т. 13, № 1. — С. 94-98. — Бібліогр.: 16 назв. — рос.
collection DSpace DC
description Исследуется влияние диссипации в полупроводниковом материале слоисто-периодической структуры полупроводник –
 диэлектрик на контуры зон пропускания собственных волн. Показано, что учет потерь в полупроводнике приводит к возникновению поворота дисперсионных кривых для электромагнитных волн, распространяющихся в такой структуре. При этом ограничивается минимальное значение фазовой скорости волны. Обнаружено, что при больших значениях частоты столкновений один из
 краев зон в области циклотронных волн вырождается, т. е. происходит “разрушение” зоны. Досліджується вплив дисипації у напівпровідниковому матеріалі шарувато-періодичної структури напівпровідник - діелектрик на контури зон пропускання власних хвиль.
 Показано, що урахування втрат у напівпровіднику приводить
 до виникнення повороту дисперсійних кривих для електромагнітних хвиль, що поширюються в такій структурі. При цьому
 обмежується мінімальне значення фазової швидкості хвилі.
 Виявлено, що при великих значеннях частоти зіткнень один із
 країв зон в області циклотронних хвиль вироджується, тобто
 відбувається “руйнування” зони. Influence of the dissipation in the semiconductor material
 of the semiconductor - dielectric periodic layered structure on the
 pass band contour of the eigen waves is investigated. It is shown that
 taking into account the dissipation gives rise to the occurrence of the
 turning of dispersion curves for the electromagnetic waves propagating
 in such a structure. At the same time the phase velocity minimum
 value is limited. It is found that when the collision frequency value is
 big one of the band edges in the cyclotron waves region is degenerate,
 i.e. the zone “destruction” takes place.
first_indexed 2025-12-07T18:34:27Z
format Article
fulltext
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-10558
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
issn 1028-821X
language Russian
last_indexed 2025-12-07T18:34:27Z
publishDate 2008
publisher Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України
record_format dspace
spelling Булгаков, А.А.
Кононенко, В.К.
Костылева, О.В.
2010-08-04T08:07:34Z
2010-08-04T08:07:34Z
2008
Влияние диссипации на свойства циклотронных волн в полупроводниковой периодической структуре / А.А. Булгаков, В.К. Кононенко, О.В. Костылева // Радіофізика та електроніка. — 2008. — Т. 13, № 1. — С. 94-98. — Бібліогр.: 16 назв. — рос.
1028-821X
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/10558
539.21
Исследуется влияние диссипации в полупроводниковом материале слоисто-периодической структуры полупроводник –
 диэлектрик на контуры зон пропускания собственных волн. Показано, что учет потерь в полупроводнике приводит к возникновению поворота дисперсионных кривых для электромагнитных волн, распространяющихся в такой структуре. При этом ограничивается минимальное значение фазовой скорости волны. Обнаружено, что при больших значениях частоты столкновений один из
 краев зон в области циклотронных волн вырождается, т. е. происходит “разрушение” зоны.
Досліджується вплив дисипації у напівпровідниковому матеріалі шарувато-періодичної структури напівпровідник - діелектрик на контури зон пропускання власних хвиль.
 Показано, що урахування втрат у напівпровіднику приводить
 до виникнення повороту дисперсійних кривих для електромагнітних хвиль, що поширюються в такій структурі. При цьому
 обмежується мінімальне значення фазової швидкості хвилі.
 Виявлено, що при великих значеннях частоти зіткнень один із
 країв зон в області циклотронних хвиль вироджується, тобто
 відбувається “руйнування” зони.
Influence of the dissipation in the semiconductor material
 of the semiconductor - dielectric periodic layered structure on the
 pass band contour of the eigen waves is investigated. It is shown that
 taking into account the dissipation gives rise to the occurrence of the
 turning of dispersion curves for the electromagnetic waves propagating
 in such a structure. At the same time the phase velocity minimum
 value is limited. It is found that when the collision frequency value is
 big one of the band edges in the cyclotron waves region is degenerate,
 i.e. the zone “destruction” takes place.
ru
Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України
Вакуумная и твердотельная электроника
Влияние диссипации на свойства циклотронных волн в полупроводниковой периодической структуре
Вплив дисипації на властивості циклотронних хвиль у напівпровідниковій періодичній структурі
Influence of the dissipation on the properties of the cyclotron waves in the semiconductor periodic structure
Article
published earlier
spellingShingle Влияние диссипации на свойства циклотронных волн в полупроводниковой периодической структуре
Булгаков, А.А.
Кононенко, В.К.
Костылева, О.В.
Вакуумная и твердотельная электроника
title Влияние диссипации на свойства циклотронных волн в полупроводниковой периодической структуре
title_alt Вплив дисипації на властивості циклотронних хвиль у напівпровідниковій періодичній структурі
Influence of the dissipation on the properties of the cyclotron waves in the semiconductor periodic structure
title_full Влияние диссипации на свойства циклотронных волн в полупроводниковой периодической структуре
title_fullStr Влияние диссипации на свойства циклотронных волн в полупроводниковой периодической структуре
title_full_unstemmed Влияние диссипации на свойства циклотронных волн в полупроводниковой периодической структуре
title_short Влияние диссипации на свойства циклотронных волн в полупроводниковой периодической структуре
title_sort влияние диссипации на свойства циклотронных волн в полупроводниковой периодической структуре
topic Вакуумная и твердотельная электроника
topic_facet Вакуумная и твердотельная электроника
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/10558
work_keys_str_mv AT bulgakovaa vliâniedissipaciinasvoistvaciklotronnyhvolnvpoluprovodnikovoiperiodičeskoistrukture
AT kononenkovk vliâniedissipaciinasvoistvaciklotronnyhvolnvpoluprovodnikovoiperiodičeskoistrukture
AT kostylevaov vliâniedissipaciinasvoistvaciklotronnyhvolnvpoluprovodnikovoiperiodičeskoistrukture
AT bulgakovaa vplivdisipacíínavlastivostíciklotronnihhvilʹunapívprovídnikovíiperíodičníistrukturí
AT kononenkovk vplivdisipacíínavlastivostíciklotronnihhvilʹunapívprovídnikovíiperíodičníistrukturí
AT kostylevaov vplivdisipacíínavlastivostíciklotronnihhvilʹunapívprovídnikovíiperíodičníistrukturí
AT bulgakovaa influenceofthedissipationonthepropertiesofthecyclotronwavesinthesemiconductorperiodicstructure
AT kononenkovk influenceofthedissipationonthepropertiesofthecyclotronwavesinthesemiconductorperiodicstructure
AT kostylevaov influenceofthedissipationonthepropertiesofthecyclotronwavesinthesemiconductorperiodicstructure