Влияние диссипации на свойства циклотронных волн в полупроводниковой периодической структуре

Исследуется влияние диссипации в полупроводниковом материале слоисто-периодической структуры полупроводник – диэлектрик на контуры зон пропускания собственных волн. Показано, что учет потерь в полупроводнике приводит к возникновению поворота дисперсионных кривых для электромагнитных волн, р...

Full description

Saved in:

Bibliographic Details
Date:	2008
Main Authors:	Булгаков, А.А., Кононенко, В.К., Костылева, О.В.
Format:	Article
Language:	Russian
Published:	Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України 2008
Subjects:	Вакуумная и твердотельная электроника
Online Access:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/10558
Tags:	Add Tag No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:	Влияние диссипации на свойства циклотронных волн в полупроводниковой периодической структуре / А.А. Булгаков, В.К. Кононенко, О.В. Костылева // Радіофізика та електроніка. — 2008. — Т. 13, № 1. — С. 94-98. — Бібліогр.: 16 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

_version_	1860244089313689600
author	Булгаков, А.А. Кононенко, В.К. Костылева, О.В.
author_facet	Булгаков, А.А. Кононенко, В.К. Костылева, О.В.
citation_txt	Влияние диссипации на свойства циклотронных волн в полупроводниковой периодической структуре / А.А. Булгаков, В.К. Кононенко, О.В. Костылева // Радіофізика та електроніка. — 2008. — Т. 13, № 1. — С. 94-98. — Бібліогр.: 16 назв. — рос.
collection	DSpace DC
description	Исследуется влияние диссипации в полупроводниковом материале слоисто-периодической структуры полупроводник – диэлектрик на контуры зон пропускания собственных волн. Показано, что учет потерь в полупроводнике приводит к возникновению поворота дисперсионных кривых для электромагнитных волн, распространяющихся в такой структуре. При этом ограничивается минимальное значение фазовой скорости волны. Обнаружено, что при больших значениях частоты столкновений один из краев зон в области циклотронных волн вырождается, т. е. происходит “разрушение” зоны. Досліджується вплив дисипації у напівпровідниковому матеріалі шарувато-періодичної структури напівпровідник - діелектрик на контури зон пропускання власних хвиль. Показано, що урахування втрат у напівпровіднику приводить до виникнення повороту дисперсійних кривих для електромагнітних хвиль, що поширюються в такій структурі. При цьому обмежується мінімальне значення фазової швидкості хвилі. Виявлено, що при великих значеннях частоти зіткнень один із країв зон в області циклотронних хвиль вироджується, тобто відбувається “руйнування” зони. Influence of the dissipation in the semiconductor material of the semiconductor - dielectric periodic layered structure on the pass band contour of the eigen waves is investigated. It is shown that taking into account the dissipation gives rise to the occurrence of the turning of dispersion curves for the electromagnetic waves propagating in such a structure. At the same time the phase velocity minimum value is limited. It is found that when the collision frequency value is big one of the band edges in the cyclotron waves region is degenerate, i.e. the zone “destruction” takes place.
first_indexed	2025-12-07T18:34:27Z
format	Article
fulltext	__________ ISSN 1028-821X Радиофизика и электроника, том 13, № 1, 2008, с. 94-98 © ИРЭ НАН Украины, 2008 УДК: 539.21 ВЛИЯНИЕ ДИССИПАЦИИ НА СВОЙСТВА ЦИКЛОТРОННЫХ ВОЛН В ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ПЕРИОДИЧЕСКОЙ СТРУКТУРЕ А. А. Булгаков, В. К. Кононенко, О. В. Костылева Институт радиофизики и электроники им. А. Я. Усикова НАН Украины, 12, ул. Ак. Проскуры, Харьков, 61085, Украина E-mail: ovkost@ire.kharkov.ua Исследуется влияние диссипации в полупроводниковом материале слоисто-периодической структуры полупроводник – диэлектрик на контуры зон пропускания собственных волн. Показано, что учет потерь в полупроводнике приводит к возникнове- нию поворота дисперсионных кривых для электромагнитных волн, распространяющихся в такой структуре. При этом ограничива- ется минимальное значение фазовой скорости волны. Обнаружено, что при больших значениях частоты столкновений один из краев зон в области циклотронных волн вырождается, т. е. происходит “разрушение” зоны. Ил. 7. Библиогр.: 16 назв. Ключевые слова: дисперсионное соотношение, слоисто-периодическая структура, циклотронные волны. В настоящее время исследования электро- динамических свойств слоистых систем занимают значительное место [1–4]. Это связано с развитием твердотельной технологии, в частности, техноло- гии получения наноструктур. В ряде теоретиче- ских работ рассматриваются задачи без учета дис- сипативных процессов. В то же время, как извест- но [5–7], учет потерь приводит не только к затуха- нию собственных волн структуры, но и к измене- нию характера дисперсии и ограничению мини- мальной фазовой скорости собственных волн. Оценка минимальной фазовой скорости важна для определения возможности взаимодействия элек- тромагнитных волн с потоками носителей или в электронных системах, или в полупроводниковых средах с дрейфующими носителями. В работе [5] было показано, что диссипация приводит к заворо- ту дисперсионной кривой и ограничению мини- мальной фазовой скорости электромагнитной вол- ны. В работе [8] исследовалось минимальное зна- чение фазовой скорости плазменных волн в перио- дической полупроводниковой структуре. Было установлено, что ограничение скорости связано с осцилляциями амплитуды волны в направлении перпендикулярном к границам слоев. Осцилляции возникают в результате того, что в среде с дисси- пацией поперечные волновые числа становятся комплексными. Если набег фазы на слое равен четверти длины волны, то имеет место непропус- кание, которое и приводит к завороту дисперсион- ной кривой. Позднее, в работах [9, 10] рассматри- валась периодическая полупроводниковая струк- тура, помещенная в магнитное поле, направленное вдоль оси периодичности. В этой задаче были об- наружены новые типы зон пропускания в области циклотронной частоты. Эти зоны при больших значениях волнового числа асимптотически стре- мятся к циклотронной частоте. Кроме того, попе- речное волновое число остается действительным в отличие от волнового числа для поверхностных плазмонов. Это обстоятельство позволяет надеять- ся на то, что учет диссипации приведет к загибу дисперсионных кривых только при малых значе- ниях фазовой скорости. Исследованию такой зада- чи и посвящена данная работа. Для решения используется методика мат- рицы преобразования и теорема Флоке. Методика описана в ряде работ, например [11, 12]. Эта мето- дика применяется для решения задач, описывае- мых уравнением Хилла [13]. Уравнение Хилла – это дифференциальное уравнение второго поряд- ка с периодическим коэффициентом. В нашем же случае [9, 10] приходится рассматривать диффе- ренциальное уравнение четвертого порядка. Это связано с тем, что в слоях полупроводника имеет- ся два типа нормальных волн, которые не удается разделить по компонентам полей [14]. Теперь дисперсионное соотношение сводится к алгеб- раическому уравнению четвертой степени. Ока- зывается, что оно является возвратным и остается таковым при учете диссипации. 1. Основные соотношения. Нами рассмат- ривается неограниченная периодическая структура, образованная чередующимися слоями полупровод- ника толщиной d1 и диэлектрика толщиной d2. Структура помещена в постоянное магнитное поле, направленное вдоль оси периодичности структуры (ось Oz). Исследуется зонный спектр  = f (kxy d) (kxy – компонента волнового вектора в слое ( 22 yxxy kkk  ); d – период структуры) при рас- пространении волны под углом к магнитному полю и с учетом потерь в полупроводниковых слоях. Методика нахождения дисперсионного уравнения, описывающего свойства рассматри- ваемой периодической структуры, остается такой же, как и в работе [9], т. е. для случая холодной плазмы в гидродинамическом описании, но с уче- том частоты столкновений носителей заряда в по- лупроводниковых слоях структуры. Диссипатив- ными процессами в диэлектрических слоях можно пренебречь, так как они значительно меньше, чем потери в полупроводниковом материале. Компоненты тензора диэлектрической проницаемости полупроводника для волны с зави- mailto:ovkost@ire.kharkov.ua А. А. Булгаков и др. / Влияние диссипации на свойства… _________________________________________________________________________________________________________________ 95 симостью от времени  tiexp имеют следую- щий вид:         ,1 ; ][ ; ][ 1 2 0 22 2 0 22 2 0                             i i i i i P zz H HP yxxy H P yyxx (1) где H – циклотронная; P – плазменная часто- ты;  – частота столкновений носителей заряда; 0 – диэлектрическая проницаемость кристалли- ческой решетки. Дисперсионное уравнение для собствен- ных волн исследуемой структуры находится ме- тодом матрицы преобразования [12] и является уравнением четвертой степени следующего вида: ,011 2 2 3 3 4   BBB (2) где  dkiexp ; k – блоховское волновое число, описывающее периодичность структуры, а коэффи- циенты iB выражаются через элементы матрицы преобразования одного периода, связывающей поля в начале и в конце периода структуры [9]. Можно показать, что 31 BB  , т. е. уравнение (2) является возвратным. В этом случае дисперсионное уравне- ние четвертого порядка можно представить в виде произведения двух квадратных полиномов    .011 2 2 1 2   (3) Связь между коэффициентами уравнений (2) и (3) определяется следующим выражением: .2 22 2 2 11 2,1 B BB        (4) С физической точки зрения уравнение (3) означает существование двух зонных спектров собственных волн периодической структуры, каж- дый из которых характеризуется определенным блоховским волновым числом ( 1k или 2k ) и дис- персионным соотношением: ; 2 cos; 2 cos 2 2 1 1   dkdk (5) Края зон пропускания, как и для случая 1c0  [9, 10], соответствуют вещественным значениям блоховских волновых чисел и, следо- вательно, 22,1  . Учет потерь в полупроводни- ке приводит к необходимости введения ком- плексного продольного волнового числа xyxyxy kikk  . При этом xyk  описывает про- странственное затухание собственных волн. 2. Зонный спектр структуры. Из ска- занного выше следует, что решениями дисперси- онных соотношений (5) являются зависимости  xyxy kkf  , , для которых в нуль одновремен- но обращаются действительная и мнимая части функций   . 2 cos, 2,1 2,12,1   dkkkF xyxy (6) Так, на рис. 1 для примера представлены графики поверхностей действительной   2cos,Re 111  dkkkF xyxy и мнимой    2Im,Im 11  xyxy kkF частей функции при -111 c10 . Утолщенными линиями обозначены кривые пересечения этих поверхностей с плоско- стями 0constRe 1 F и 0constIm 1 F . Точка пересечения полученных кривых является решением первого дисперсионного уравнения (5) для заданного значения dk . ___________________________________________ а) б) Рис. 1. Графики действительной (а) и мнимой (б) частей функции F1 А. А. Булгаков и др. / Влияние диссипации на свойства… _________________________________________________________________________________________________________________ 96 Результаты численного решения задачи представлены в виде зонных спектров  dkf xy  и  dkf xy  , соответствующих различным частотам столкновений носителей заряда в полупроводниковом слое структуры. В расчетах приняты следующие значения: полупро- водниковый слой – n-InSb с концентрацией элек- тронов 310 14 см -3 , 8,170  , см01,01 d ; ди- электрический слой – 0,22  , см03,01 d ; частоты столкновений – -1c0 , -19 c10 , -111 c10 ; T05,00 B и 2xy kk . На рис. 2 приведены решения дисперсион- ных уравнений (5) для частоты соударения -1c0 . Можно выделить три характерных облас- ти [9]. Область коллективных поверхностных плаз- монов характеризуется двумя разрешенными для распространения волн зонами, расположенными при PH   . Особенность этих зон состоит в том, что они асимптотически стремятся к частоте поверхностного плазмона на границе полупровод- ник – диэлектрик (  20 2 0   PSP ). Рис. 2. Зонный спектр периодической структуры при 0  . Заштрихованы разрешенные зоны Отметим, что такое решение имеет место только для первого уравнения (5). Область цикло- тронных волн состоит из многочисленных полос пропускания, расположенных ниже циклотронной частоты. В этой области выполняется условие раз- мерного резонанса pdk z 2,12,1 , где p – целое число, характеризующее число полуволн, уклады- вающихся на толщине полупроводникового слоя [10]. Отметим, что эти зоны существуют и при xyk , так как поперечные волновые числа по- лупроводника стремятся к значению zzxxxyz kk 1 . И, наконец, третья область лежит выше плазменной частоты, и поэтому компо- ненты тензора диэлектрической проницаемости полупроводника слабо зависят от частоты. В этом случае периодическая структура представляет со- бой диэлектрическую решетку, а дисперсионные зависимости асимптотически стремятся к световой линии диэлектрика с наибольшим значением про- ницаемости. Здесь фазовая скорость электромаг- нитных волн равна maxc ,  20max ,max   . На рис. 3 приведены спектры для областей коллективных плазмонов и циклотронных волн при -19 c10 и -111 c10 . Здесь показано, что для обеих зон отсутствует решение при xyk , т. е. имеет место ограничение минимального значения фазовой скорости   max v xyph k . С ростом час- тоты столкновений   maxxyk уменьшается. Отме- тим, что при -19 c10 также имеется загиб вбли- зи асимптоты SP при 10 xyk . а) б) Рис. 3. Зонные спектры при -19 c10 (a) и -111 c10 (б) А. А. Булгаков и др. / Влияние диссипации на свойства… _________________________________________________________________________________________________________________ 97 На рис. 4 представлена зонная структура спектра для первой (нижней, p = 1) циклотронной зоны при -19 c10 . Из рисунка следует, что границы зоны ( 0dk – утолщенная линия, dk – более тонкая линия) имеют загибы. За- тухание при этой частоте столкновений представ- лено на рисунке. При малых значениях dkxy  и для частот 1111 1045,3102  затухание мало ( 1 xyxy kk ). По мере приближения к час- тотам, на которых имеет место загиб дисперсион- ных кривых, затухание существенно возрастает и на частоте загиба dkdk xyxy  . Рис. 4. Зонный спектр для зоны циклотронных волн при -19 c10 : 1 –  dkf xy  ; 2 –  dkf xy  Кривые для трех циклотронных зон при -111 c10 изображены на рис. 5,а. Особенность этих рисунков заключается в том, что один из краев зон не имеет загиба, вырождается, и в этом случае происходит “разрушение” зоны, описан- ное в работах [15, 16]. Отметим, что для 11dk z , равном нечетному числу полуволн, “разрушает- ся” край зоны 0dk , а при четном числе полу- волн – dk . Затухание волн возрастает с но- мером зоны (рис. 5,б). На рис. 6 приведены данные для не- скольких значений dk . Видно, что максимальное значение xyk уменьшается к тому краю, при ко- тором происходит “разрушение”. Волны для это- го края обладают большей фазовой скоростью, чем волны на другом краю. График фазовых скоростей представлен на рис. 7. Видно, что наибольшее замедление в области циклотронных волн при -111 c10 имеет место вблизи точки заворота и 0v cph  . а) б) Рис. 5. Зонный спектр для области циклотронных волн при -111 c10 Рис. 6. Дисперсионные кривые для нескольких значений dk ( -111c10 ), p = 1: 1 – dk ; 2 – 2 3kd  ; 3 – 32dk ; 4 – 3dk ; 5 – 10dk ; 6 – 0dk А. А. Булгаков и др. / Влияние диссипации на свойства… _________________________________________________________________________________________________________________ 98 Рис. 7. Фазовые скорости для области циклотронных волн при -111 c10 Выводы. В данной статье рассмотрены зонные спектры периодической структуры полу- проводник – диэлектрик, помещенной в магнит- ное поле. Исследованы различные типы волн, возникающие в такой структуре. Изучено влия- ние частоты столкновений в полупроводниковом материале на характер зонного спектра и на зату- хание собственных волн. Показано, что учет потерь приводит к воз- никновению поворота дисперсионных кривых, ограничивая при этом минимальное значение фа- зовой скорости волны. Наибольшее замедление имеет место вблизи точки поворота. Затухание при малых значениях dkxy  мало. По мере приближе- ния к частотам, на которых имеет место загиб, за- тухание существенно возрастает. Обнаружено, что при больших значениях частоты столкновений кривая для одного из краев зон в области цикло- тронных волн трансформируется в линию, иду- щую через все зоны пропускания и непропускания, т. е. можно сказать, что происходит вырождение зонного спектра. С увеличением номера зоны за- тухание циклотронных волн возрастает. Отметим, что в области коллективных поверхностных мод и мод вблизи плазменной частоты при данных зна- чениях  зоны не “разрушаются”. 1. Lyubchanskii I. L., Dadoenkova N. N., Lyubchanskii M. I. at al. Magnetic photonic crystal // J. Phys. D: Appl. Phys. - 2003. - 36. - P.277-287. 2. Макаров Д. Г., Данилов В. В., Коваленко В. Ф. Многослойные структуры с управляемым магнитным полем пропусканием света // Журнал техн. физики. - 2004. - 74, вып.5. - С.77-82. 3. Булгаков А. А., Кононенко В. К. Влияние трансляционной симметрии на электродинамические свойства структуры полупроводник - диэлектрик в магнитном поле // Радио- физика и электроника. - Харьков: Ин-т радиофизики и электрон. НАН Украины. - 2005. - 5, №3. - С.69-78. 4. Yeh P., Yariv A., Hong C.-S. Electromagnetic propagation in periodic stratified media. I. General theory // J. Opt. Soc. Am. - 1977. - 67, №4. - P.423-436. 5. Alfano R. R. Damping effects on the polaritons and plasmaritons dispersion waves in n-GaAs // J. Opt. Soc. Amer. - 1970. - 60, №1. - P.66-70. 6. Borstel G., Shuller E., Flage H. J. Surface phonon polaritons on absorbing crystal // Phys Stat. Sol. (B). - 1976. - 76. - P.759-768. 7. Kovener G. S., Alexander R. W., Jr., Beil J. R. Surfase elec- tormagnetic waves with damping // Phys. Rev. B. - 1976. - 14, №4. - P.1458-1464. 8. Булгаков А. А., Еременко З. Е. Распространение медлен- ных электромагнитных волн в слоисто-периодической ди- электрической среде // Оптика и спектроскопия. - 1989. - 66, вып.5. - С.1094-1098. 9. Булгаков А. А., Кононенко В. К. Дисперсионные свойства периодической полупроводниковой структуры в магнит- ном поле, направленном вдоль оси периодичности // Журн. техн. физики. - 2003. - 73, вып.11. - С.15-21. 10. Булгаков А. А., Кононенко В. К. Дисперсионные свойства циклотронных волн в периодической структуре полупро- водник-диэлектрик // Журн. техн. физики. - 2004. - 74, вып.10. - С.69-74. 11. Борн М., Вольф Э. Основы оптики. - М.: Наука, 1973. - 719 с. 12. Басс Ф. Г., Булгаков А. А., Тетервов А. П. Высокочастот- ные свойства полупроводников со сверхрешетками. - М.: Наука, 1989. - 286 с 13. Элаши Ш. Волны в активных и пассивных периодических структурах // Труды ин-та инж. по электротехнике и ра- диоэлектрон. - 1976. - 64, №12. - С.22-59. 14. Гуревич А. Г. Ферриты на сверхвысоких частотах. - М.: Гос. изд-во физ.-мат. лит., 1960. - 408 с. 15. Baynham A. C., Boardman A. D. Transverse magneto-plasma waves in a periodic structure // J. Phys. C. - 1969. - 2, ser.2. - P.619-628. 16. Wallis R. F., Brion J. J., Burstein E., Harstein A. Theory of surface polaritons in anisotropic dielectric media with applica- tion to surface magnetoplasmons in semiconductors // Phys. Rev. B. - 1974. - 9, №8. - P.3424-3437. INFLUENCE OF THE DISSIPATION ON THE PROPERTIES OF THE CYCLOTRON WAVES IN THE SEMICONDUCTOR PERIODIC STRUCTURE A. A. Bulgakov, V. K. Kononenko, O. V. Kostylyova Influence of the dissipation in the semiconductor material of the semiconductor - dielectric periodic layered structure on the pass band contour of the eigen waves is investigated. It is shown that taking into account the dissipation gives rise to the occurrence of the turning of dispersion curves for the electromagnetic waves propagat- ing in such a structure. At the same time the phase velocity minimum value is limited. It is found that when the collision frequency value is big one of the band edges in the cyclotron waves region is degene- rate, i.e. the zone “destruction” takes place. Keywords: dispersion equation, layered-periodic struc- ture, cyclotron waves. ВПЛИВ ДИСИПАЦІЇ НА ВЛАСТИВОСТІ ЦИКЛОТРОННИХ ХВИЛЬ У НАПІВПРОВІДНИКОВІЙ ПЕРІОДИЧНІЙ СТРУКТУРІ О. О. Булгаков, В. К. Кононенко, О. В. Костильова Досліджується вплив дисипації у напівпровіднико- вому матеріалі шарувато-періодичної структури напівпровід- ник - діелектрик на контури зон пропускання власних хвиль. Показано, що урахування втрат у напівпровіднику приводить до виникнення повороту дисперсійних кривих для електрома- гнітних хвиль, що поширюються в такій структурі. При цьому обмежується мінімальне значення фазової швидкості хвилі. Виявлено, що при великих значеннях частоти зіткнень один із країв зон в області циклотронних хвиль вироджується, тобто відбувається “руйнування” зони. Ключові слова: дисперсійне співвідношення, ша- рувато-періодична структура, циклотронні хвилі. Рукопись поступила 29 ноября 2007 г.
id	nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-10558
institution	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
issn	1028-821X
language	Russian
last_indexed	2025-12-07T18:34:27Z
publishDate	2008
publisher	Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України
record_format	dspace
spelling	Булгаков, А.А. Кононенко, В.К. Костылева, О.В. 2010-08-04T08:07:34Z 2010-08-04T08:07:34Z 2008 Влияние диссипации на свойства циклотронных волн в полупроводниковой периодической структуре / А.А. Булгаков, В.К. Кононенко, О.В. Костылева // Радіофізика та електроніка. — 2008. — Т. 13, № 1. — С. 94-98. — Бібліогр.: 16 назв. — рос. 1028-821X https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/10558 539.21 Исследуется влияние диссипации в полупроводниковом материале слоисто-периодической структуры полупроводник – диэлектрик на контуры зон пропускания собственных волн. Показано, что учет потерь в полупроводнике приводит к возникновению поворота дисперсионных кривых для электромагнитных волн, распространяющихся в такой структуре. При этом ограничивается минимальное значение фазовой скорости волны. Обнаружено, что при больших значениях частоты столкновений один из краев зон в области циклотронных волн вырождается, т. е. происходит “разрушение” зоны. Досліджується вплив дисипації у напівпровідниковому матеріалі шарувато-періодичної структури напівпровідник - діелектрик на контури зон пропускання власних хвиль. Показано, що урахування втрат у напівпровіднику приводить до виникнення повороту дисперсійних кривих для електромагнітних хвиль, що поширюються в такій структурі. При цьому обмежується мінімальне значення фазової швидкості хвилі. Виявлено, що при великих значеннях частоти зіткнень один із країв зон в області циклотронних хвиль вироджується, тобто відбувається “руйнування” зони. Influence of the dissipation in the semiconductor material of the semiconductor - dielectric periodic layered structure on the pass band contour of the eigen waves is investigated. It is shown that taking into account the dissipation gives rise to the occurrence of the turning of dispersion curves for the electromagnetic waves propagating in such a structure. At the same time the phase velocity minimum value is limited. It is found that when the collision frequency value is big one of the band edges in the cyclotron waves region is degenerate, i.e. the zone “destruction” takes place. ru Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України Вакуумная и твердотельная электроника Влияние диссипации на свойства циклотронных волн в полупроводниковой периодической структуре Вплив дисипації на властивості циклотронних хвиль у напівпровідниковій періодичній структурі Influence of the dissipation on the properties of the cyclotron waves in the semiconductor periodic structure Article published earlier
spellingShingle	Влияние диссипации на свойства циклотронных волн в полупроводниковой периодической структуре Булгаков, А.А. Кононенко, В.К. Костылева, О.В. Вакуумная и твердотельная электроника
title	Влияние диссипации на свойства циклотронных волн в полупроводниковой периодической структуре
title_alt	Вплив дисипації на властивості циклотронних хвиль у напівпровідниковій періодичній структурі Influence of the dissipation on the properties of the cyclotron waves in the semiconductor periodic structure
title_full	Влияние диссипации на свойства циклотронных волн в полупроводниковой периодической структуре
title_fullStr	Влияние диссипации на свойства циклотронных волн в полупроводниковой периодической структуре
title_full_unstemmed	Влияние диссипации на свойства циклотронных волн в полупроводниковой периодической структуре
title_short	Влияние диссипации на свойства циклотронных волн в полупроводниковой периодической структуре
title_sort	влияние диссипации на свойства циклотронных волн в полупроводниковой периодической структуре
topic	Вакуумная и твердотельная электроника
topic_facet	Вакуумная и твердотельная электроника
url	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/10558
work_keys_str_mv	AT bulgakovaa vliâniedissipaciinasvoistvaciklotronnyhvolnvpoluprovodnikovoiperiodičeskoistrukture AT kononenkovk vliâniedissipaciinasvoistvaciklotronnyhvolnvpoluprovodnikovoiperiodičeskoistrukture AT kostylevaov vliâniedissipaciinasvoistvaciklotronnyhvolnvpoluprovodnikovoiperiodičeskoistrukture AT bulgakovaa vplivdisipacíínavlastivostíciklotronnihhvilʹunapívprovídnikovíiperíodičníistrukturí AT kononenkovk vplivdisipacíínavlastivostíciklotronnihhvilʹunapívprovídnikovíiperíodičníistrukturí AT kostylevaov vplivdisipacíínavlastivostíciklotronnihhvilʹunapívprovídnikovíiperíodičníistrukturí AT bulgakovaa influenceofthedissipationonthepropertiesofthecyclotronwavesinthesemiconductorperiodicstructure AT kononenkovk influenceofthedissipationonthepropertiesofthecyclotronwavesinthesemiconductorperiodicstructure AT kostylevaov influenceofthedissipationonthepropertiesofthecyclotronwavesinthesemiconductorperiodicstructure

Влияние диссипации на свойства циклотронных волн в полупроводниковой периодической структуре

Institution

Similar Items