Лавинно-каскадное усиление импульса в pn-i-pn структуре с обратно смещенными p-n переходами
Моделируется лавинно-каскадное усиление в обратно смещенных pn-i-pn структурах в линейном и нелинейном режимах.
 Исследовано влияние заряда подвижных носителей, концентрации примесных атомов, электрического поля и величины обратного
 смещения на коэффициент усиления. Оценена резонанс...
Saved in:
| Date: | 2008 |
|---|---|
| Main Authors: | , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України
2008
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/10567 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Лавинно-каскадное усиление импульса в pn-i-pn структуре с обратно смещенными p-n переходами / К.А. Лукин, П.П. Максимов // Радіофізика та електроніка. — 2008. — Т. 13, № 1. — С. 118-124. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862668985408946176 |
|---|---|
| author | Лукин, К.А. Максимов, П.П. |
| author_facet | Лукин, К.А. Максимов, П.П. |
| citation_txt | Лавинно-каскадное усиление импульса в pn-i-pn структуре с обратно смещенными p-n переходами / К.А. Лукин, П.П. Максимов // Радіофізика та електроніка. — 2008. — Т. 13, № 1. — С. 118-124. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| description | Моделируется лавинно-каскадное усиление в обратно смещенных pn-i-pn структурах в линейном и нелинейном режимах.
Исследовано влияние заряда подвижных носителей, концентрации примесных атомов, электрического поля и величины обратного
смещения на коэффициент усиления. Оценена резонансная частота GaAs pn-i-pn структур. Определено влияние времени жизни
неравновесных носителей тока на величину порогового тока GaAs pn-i-pn структур.
Моделюється лавинно-каскадне посилення в зворот-но зміщених pn-i-pn структурах в лінійному і нелінійному режимах. Досліджено вплив заряду рухомих носіїв, концентрації домішкових атомів, електричного поля і величини зворотного зміщення на коефіцієнт посилення. Оцінена резонансна частота структур GaAs pn-i-pn. Визначено вплив часу життя нерівноважних носіїв струму на величину порогового струму GaAs pn-i-pn структури.
The avalanche-cascade amplification in the reversed bias
pn-i-pn structures in the linear and nonlinear modes is designed.
Influencing of charge of mobile carriers, concentrations of impurity
atoms, electric field and reverse bias on amplification are explored.
Resonance frequency of GaAs pn-i-pn structures is certain. Influence
of lifetime of no equilibrium carrier of current on the size of
threshold current of GaAs pn-i-pn structure is certain.
|
| first_indexed | 2025-12-07T15:26:58Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-10567 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1028-821X |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T15:26:58Z |
| publishDate | 2008 |
| publisher | Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Лукин, К.А. Максимов, П.П. 2010-08-04T08:45:27Z 2010-08-04T08:45:27Z 2008 Лавинно-каскадное усиление импульса в pn-i-pn структуре с обратно смещенными p-n переходами / К.А. Лукин, П.П. Максимов // Радіофізика та електроніка. — 2008. — Т. 13, № 1. — С. 118-124. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. 1028-821X https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/10567 539.21:621.382.029 Моделируется лавинно-каскадное усиление в обратно смещенных pn-i-pn структурах в линейном и нелинейном режимах.
 Исследовано влияние заряда подвижных носителей, концентрации примесных атомов, электрического поля и величины обратного
 смещения на коэффициент усиления. Оценена резонансная частота GaAs pn-i-pn структур. Определено влияние времени жизни
 неравновесных носителей тока на величину порогового тока GaAs pn-i-pn структур. Моделюється лавинно-каскадне посилення в зворот-но зміщених pn-i-pn структурах в лінійному і нелінійному режимах. Досліджено вплив заряду рухомих носіїв, концентрації домішкових атомів, електричного поля і величини зворотного зміщення на коефіцієнт посилення. Оцінена резонансна частота структур GaAs pn-i-pn. Визначено вплив часу життя нерівноважних носіїв струму на величину порогового струму GaAs pn-i-pn структури. The avalanche-cascade amplification in the reversed bias
 pn-i-pn structures in the linear and nonlinear modes is designed.
 Influencing of charge of mobile carriers, concentrations of impurity
 atoms, electric field and reverse bias on amplification are explored.
 Resonance frequency of GaAs pn-i-pn structures is certain. Influence
 of lifetime of no equilibrium carrier of current on the size of
 threshold current of GaAs pn-i-pn structure is certain. ru Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України Вакуумная и твердотельная электроника Лавинно-каскадное усиление импульса в pn-i-pn структуре с обратно смещенными p-n переходами Лавинно-каскадне посилення імпульса в pn-i-pn структурі з зворотно зміщеними p-n переходами Avalanche-cascade amplification of impulse in pn-i-pn structure with reverse biased p-n junctions Article published earlier |
| spellingShingle | Лавинно-каскадное усиление импульса в pn-i-pn структуре с обратно смещенными p-n переходами Лукин, К.А. Максимов, П.П. Вакуумная и твердотельная электроника |
| title | Лавинно-каскадное усиление импульса в pn-i-pn структуре с обратно смещенными p-n переходами |
| title_alt | Лавинно-каскадне посилення імпульса в pn-i-pn структурі з зворотно зміщеними p-n переходами Avalanche-cascade amplification of impulse in pn-i-pn structure with reverse biased p-n junctions |
| title_full | Лавинно-каскадное усиление импульса в pn-i-pn структуре с обратно смещенными p-n переходами |
| title_fullStr | Лавинно-каскадное усиление импульса в pn-i-pn структуре с обратно смещенными p-n переходами |
| title_full_unstemmed | Лавинно-каскадное усиление импульса в pn-i-pn структуре с обратно смещенными p-n переходами |
| title_short | Лавинно-каскадное усиление импульса в pn-i-pn структуре с обратно смещенными p-n переходами |
| title_sort | лавинно-каскадное усиление импульса в pn-i-pn структуре с обратно смещенными p-n переходами |
| topic | Вакуумная и твердотельная электроника |
| topic_facet | Вакуумная и твердотельная электроника |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/10567 |
| work_keys_str_mv | AT lukinka lavinnokaskadnoeusilenieimpulʹsavpnipnstrukturesobratnosmeŝennymipnperehodami AT maksimovpp lavinnokaskadnoeusilenieimpulʹsavpnipnstrukturesobratnosmeŝennymipnperehodami AT lukinka lavinnokaskadneposilennâímpulʹsavpnipnstrukturízzvorotnozmíŝenimipnperehodami AT maksimovpp lavinnokaskadneposilennâímpulʹsavpnipnstrukturízzvorotnozmíŝenimipnperehodami AT lukinka avalanchecascadeamplificationofimpulseinpnipnstructurewithreversebiasedpnjunctions AT maksimovpp avalanchecascadeamplificationofimpulseinpnipnstructurewithreversebiasedpnjunctions |