Многочастотные автоколебания в полупроводниковых структурах с двумя связанными лавинными p–n-переходами

Приведены результаты численного решения уравнений диффузионно-дрейфовой модели (ДДМ) полупроводниковых pn–i–pn-структур с резкими лавинными p–n-переходами. Обнаружен режим многочастотных автоколебаний в Ge, Si и GaAs pn–i–pn-структурах с постоянным обратным смещением. Исследован механизм возбуждения...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Радіофізика та електроніка
Datum:2009
Hauptverfasser: Лукин, К.А., Максимов, П.П.
Format: Artikel
Sprache:Russian
Veröffentlicht: Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України 2009
Schlagworte:
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/105731
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Многочастотные автоколебания в полупроводниковых структурах с двумя связанными лавинными p–n-переходами / К.А. Лукин, П.П. Максимов // Радіофізика та електроніка. — 2009. — Т. 14, № 1. — С. 81-87. — Бібліогр.: 19 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-105731
record_format dspace
spelling Лукин, К.А.
Максимов, П.П.
2016-09-07T16:15:07Z
2016-09-07T16:15:07Z
2009
Многочастотные автоколебания в полупроводниковых структурах с двумя связанными лавинными p–n-переходами / К.А. Лукин, П.П. Максимов // Радіофізика та електроніка. — 2009. — Т. 14, № 1. — С. 81-87. — Бібліогр.: 19 назв. — рос.
1028-821X
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/105731
537.862:621.373.5
Приведены результаты численного решения уравнений диффузионно-дрейфовой модели (ДДМ) полупроводниковых pn–i–pn-структур с резкими лавинными p–n-переходами. Обнаружен режим многочастотных автоколебаний в Ge, Si и GaAs pn–i–pn-структурах с постоянным обратным смещением. Исследован механизм возбуждения автоколебаний и выполнен спектральный анализ. Показано, что полупроводниковые структуры с резкими p–n-переходами являются автоколебательной системой. На их основе могут быть созданы многочастотные генераторы СВЧ-диапазона.
Приведено результати чисельного рішення рівнянь дифузійно-дрейфової моделі напівпровідникових pn–i–pn-структур з різкими лавинними p–n-переходами. Виявлено режим багаточастотних автоколивань в Ge, Si і GaAs pn–i–pn-структурах з постійним зворотним зсувом. Досліджено механізм збудження автоколивань і виконано спектральний аналіз. Показано, що напівпровідникові структури з різкими p–n-переходами є автоколивальною системою. На їх основі можуть бути створені багаточастотні генератори НВЧ-діапазону.
The results of the numeral solution to the equations of diffusive-drifting model of pn–i–pn-structures with abrupt avalanche p-n-junctions are presented. The regime of multifrequency self-oscillations in Ge, Si and GaAs pn–i–pn-structures with the constant reversed bias is discovered. The mechanism of their excitation is explored and the spectral analysis is executed. It is shown that the semiconductor structure with abrupt p-n-junctions is the self-oscillations system. On the basis of the back displaced Ge, Si and GaAs pn–i–pn-structures with optimum parameters multifrequency generators of SHF-range can be created
ru
Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України
Радіофізика та електроніка
Вакуумная и твердотельная электроника
Многочастотные автоколебания в полупроводниковых структурах с двумя связанными лавинными p–n-переходами
Багаточастотні автоколивання в напівпровідникових структурах із двома зв'язаними лавинними p–n-переходами
Multifrequency self-oscillations in semiconductors structures whith two linked avalanche p–n-junctions
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Многочастотные автоколебания в полупроводниковых структурах с двумя связанными лавинными p–n-переходами
spellingShingle Многочастотные автоколебания в полупроводниковых структурах с двумя связанными лавинными p–n-переходами
Лукин, К.А.
Максимов, П.П.
Вакуумная и твердотельная электроника
title_short Многочастотные автоколебания в полупроводниковых структурах с двумя связанными лавинными p–n-переходами
title_full Многочастотные автоколебания в полупроводниковых структурах с двумя связанными лавинными p–n-переходами
title_fullStr Многочастотные автоколебания в полупроводниковых структурах с двумя связанными лавинными p–n-переходами
title_full_unstemmed Многочастотные автоколебания в полупроводниковых структурах с двумя связанными лавинными p–n-переходами
title_sort многочастотные автоколебания в полупроводниковых структурах с двумя связанными лавинными p–n-переходами
author Лукин, К.А.
Максимов, П.П.
author_facet Лукин, К.А.
Максимов, П.П.
topic Вакуумная и твердотельная электроника
topic_facet Вакуумная и твердотельная электроника
publishDate 2009
language Russian
container_title Радіофізика та електроніка
publisher Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України
format Article
title_alt Багаточастотні автоколивання в напівпровідникових структурах із двома зв'язаними лавинними p–n-переходами
Multifrequency self-oscillations in semiconductors structures whith two linked avalanche p–n-junctions
description Приведены результаты численного решения уравнений диффузионно-дрейфовой модели (ДДМ) полупроводниковых pn–i–pn-структур с резкими лавинными p–n-переходами. Обнаружен режим многочастотных автоколебаний в Ge, Si и GaAs pn–i–pn-структурах с постоянным обратным смещением. Исследован механизм возбуждения автоколебаний и выполнен спектральный анализ. Показано, что полупроводниковые структуры с резкими p–n-переходами являются автоколебательной системой. На их основе могут быть созданы многочастотные генераторы СВЧ-диапазона. Приведено результати чисельного рішення рівнянь дифузійно-дрейфової моделі напівпровідникових pn–i–pn-структур з різкими лавинними p–n-переходами. Виявлено режим багаточастотних автоколивань в Ge, Si і GaAs pn–i–pn-структурах з постійним зворотним зсувом. Досліджено механізм збудження автоколивань і виконано спектральний аналіз. Показано, що напівпровідникові структури з різкими p–n-переходами є автоколивальною системою. На їх основі можуть бути створені багаточастотні генератори НВЧ-діапазону. The results of the numeral solution to the equations of diffusive-drifting model of pn–i–pn-structures with abrupt avalanche p-n-junctions are presented. The regime of multifrequency self-oscillations in Ge, Si and GaAs pn–i–pn-structures with the constant reversed bias is discovered. The mechanism of their excitation is explored and the spectral analysis is executed. It is shown that the semiconductor structure with abrupt p-n-junctions is the self-oscillations system. On the basis of the back displaced Ge, Si and GaAs pn–i–pn-structures with optimum parameters multifrequency generators of SHF-range can be created
issn 1028-821X
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/105731
citation_txt Многочастотные автоколебания в полупроводниковых структурах с двумя связанными лавинными p–n-переходами / К.А. Лукин, П.П. Максимов // Радіофізика та електроніка. — 2009. — Т. 14, № 1. — С. 81-87. — Бібліогр.: 19 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT lukinka mnogočastotnyeavtokolebaniâvpoluprovodnikovyhstrukturahsdvumâsvâzannymilavinnymipnperehodami
AT maksimovpp mnogočastotnyeavtokolebaniâvpoluprovodnikovyhstrukturahsdvumâsvâzannymilavinnymipnperehodami
AT lukinka bagatočastotníavtokolivannâvnapívprovídnikovihstrukturahízdvomazvâzanimilavinnimipnperehodami
AT maksimovpp bagatočastotníavtokolivannâvnapívprovídnikovihstrukturahízdvomazvâzanimilavinnimipnperehodami
AT lukinka multifrequencyselfoscillationsinsemiconductorsstructureswhithtwolinkedavalanchepnjunctions
AT maksimovpp multifrequencyselfoscillationsinsemiconductorsstructureswhithtwolinkedavalanchepnjunctions
first_indexed 2025-12-07T20:26:29Z
last_indexed 2025-12-07T20:26:29Z
_version_ 1850882590878203904