Прогрессивные методы повышения и контроля времени жизни неравновесных неосновных носителей заряда в базовых кристаллах для высокоэффективных кремниевых фотоэлектрических преобразователей

Приведены результаты исследований, усовершенствованным методом стационарной фотопроводимости и методом спада фотопроводимости, распределения времени жизни неравновесных неосновных носителей заряда τn,p по толщине пластин монокристаллического кремния. Исследовались пластины p- и n-типов проводимости,...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Радіофізика та електроніка
Дата:	2009
Автори:	Кириченко, М.В., Зайцев, Р.В., Копач, В.Р.
Формат:	Стаття
Мова:	Russian
Опубліковано:	Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України 2009
Теми:	Радиофизика твердого тела и плазмы
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/105747
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Прогрессивные методы повышения и контроля времени жизни неравновесных неосновных носителей заряда в базовых кристаллах для высокоэффективных кремниевых фотоэлектрических преобразователей / М.В. Кириченко, Р.В. Зайцев, В.Р. Копач // Радіофізика та електроніка. — 2009. — Т. 14, № 2. — С. 183-189. — Бібліогр.: 22 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

id	nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-105747
record_format	dspace
spelling	Кириченко, М.В. Зайцев, Р.В. Копач, В.Р. 2016-09-07T18:05:11Z 2016-09-07T18:05:11Z 2009 Прогрессивные методы повышения и контроля времени жизни неравновесных неосновных носителей заряда в базовых кристаллах для высокоэффективных кремниевых фотоэлектрических преобразователей / М.В. Кириченко, Р.В. Зайцев, В.Р. Копач // Радіофізика та електроніка. — 2009. — Т. 14, № 2. — С. 183-189. — Бібліогр.: 22 назв. — рос. 1028-821X https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/105747 539.2 Приведены результаты исследований, усовершенствованным методом стационарной фотопроводимости и методом спада фотопроводимости, распределения времени жизни неравновесных неосновных носителей заряда τn,p по толщине пластин монокристаллического кремния. Исследовались пластины p- и n-типов проводимости, предназначенные для изделий электронной техники и подвергнутые таким способам повышения τn,p в их приповерхностных областях, как геттерирующий отжиг и глубокое химическое травление. На основании проведенного сравнительного анализа полученных значений τn,p предложено использовать подвергнутые глубокому химическому травлению пластины кремния в качестве базовых кристаллов при создании отечественного ресурсосберегающего варианта многопереходных фотоэлектрических преобразователей с вертикальными диодными ячейками. Наведено результати досліджень вдосконаленим методом стаціонарної фотопровідності та методом спаду фотопровідності розподілу часу життя нерівноважних неосновних носіїв заряду τn,p за товщиною пластин монокристалічного кремнію. Досліджувались пластини p- та n-типів провідності, призначені для виробів електронної техніки та піддані таким способам підвищення τn,p у їх приповерхневих областях, як гетеруючий відпал і глибоке хімічне травлення. На підставі проведеного порівняльного аналізу отриманих значень τn,p запропоновано використовувати піддані глибокому хімічному травленню пластини кремнію як базові кристали при створенні вітчизняного ресурсозберігаючого варіанта багатоперехідних фотоелектричних перетворювачів із вертикальними діодними комірками. The characters of nonequilibrium minority charge carriers lifetime τn,p distribution along the thickness of single-crystal silicon wafers with p- and n-type of conductivity, intended for electronic technique hardware and exposed to such methods of the τ increase in their near-surface areas, as a gettering annealing and deep chemical etching, are presented. Such investigations were carried out by the improved method of stationary photoconductivity as well as by the standard method of photoconductivity decay. Using the exposed to deep chemical etching such silicon wafers as the base crystals for creation of resource-saving and high performance multijunction photovoltaic converters with vertical diode cells of new generation was suggested in the carried out comparative analysis results of received τn,p values. ru Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України Радіофізика та електроніка Радиофизика твердого тела и плазмы Прогрессивные методы повышения и контроля времени жизни неравновесных неосновных носителей заряда в базовых кристаллах для высокоэффективных кремниевых фотоэлектрических преобразователей Прогресивні методи підвищення та контролю часу життя нерівноважних неосновних носіїв заряду в базових кристалах для високоефективних кремнієвих фотоелектричних перетворювачів Progressive methods of increasing and control nonequilibrium minority charge carriers lifetime in base crystals for high-performance silicon solar cells Article published earlier
institution	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection	DSpace DC
title	Прогрессивные методы повышения и контроля времени жизни неравновесных неосновных носителей заряда в базовых кристаллах для высокоэффективных кремниевых фотоэлектрических преобразователей
spellingShingle	Прогрессивные методы повышения и контроля времени жизни неравновесных неосновных носителей заряда в базовых кристаллах для высокоэффективных кремниевых фотоэлектрических преобразователей Кириченко, М.В. Зайцев, Р.В. Копач, В.Р. Радиофизика твердого тела и плазмы
title_short	Прогрессивные методы повышения и контроля времени жизни неравновесных неосновных носителей заряда в базовых кристаллах для высокоэффективных кремниевых фотоэлектрических преобразователей
title_full	Прогрессивные методы повышения и контроля времени жизни неравновесных неосновных носителей заряда в базовых кристаллах для высокоэффективных кремниевых фотоэлектрических преобразователей
title_fullStr	Прогрессивные методы повышения и контроля времени жизни неравновесных неосновных носителей заряда в базовых кристаллах для высокоэффективных кремниевых фотоэлектрических преобразователей
title_full_unstemmed	Прогрессивные методы повышения и контроля времени жизни неравновесных неосновных носителей заряда в базовых кристаллах для высокоэффективных кремниевых фотоэлектрических преобразователей
title_sort	прогрессивные методы повышения и контроля времени жизни неравновесных неосновных носителей заряда в базовых кристаллах для высокоэффективных кремниевых фотоэлектрических преобразователей
author	Кириченко, М.В. Зайцев, Р.В. Копач, В.Р.
author_facet	Кириченко, М.В. Зайцев, Р.В. Копач, В.Р.
topic	Радиофизика твердого тела и плазмы
topic_facet	Радиофизика твердого тела и плазмы
publishDate	2009
language	Russian
container_title	Радіофізика та електроніка
publisher	Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України
format	Article
title_alt	Прогресивні методи підвищення та контролю часу життя нерівноважних неосновних носіїв заряду в базових кристалах для високоефективних кремнієвих фотоелектричних перетворювачів Progressive methods of increasing and control nonequilibrium minority charge carriers lifetime in base crystals for high-performance silicon solar cells
description	Приведены результаты исследований, усовершенствованным методом стационарной фотопроводимости и методом спада фотопроводимости, распределения времени жизни неравновесных неосновных носителей заряда τn,p по толщине пластин монокристаллического кремния. Исследовались пластины p- и n-типов проводимости, предназначенные для изделий электронной техники и подвергнутые таким способам повышения τn,p в их приповерхностных областях, как геттерирующий отжиг и глубокое химическое травление. На основании проведенного сравнительного анализа полученных значений τn,p предложено использовать подвергнутые глубокому химическому травлению пластины кремния в качестве базовых кристаллов при создании отечественного ресурсосберегающего варианта многопереходных фотоэлектрических преобразователей с вертикальными диодными ячейками. Наведено результати досліджень вдосконаленим методом стаціонарної фотопровідності та методом спаду фотопровідності розподілу часу життя нерівноважних неосновних носіїв заряду τn,p за товщиною пластин монокристалічного кремнію. Досліджувались пластини p- та n-типів провідності, призначені для виробів електронної техніки та піддані таким способам підвищення τn,p у їх приповерхневих областях, як гетеруючий відпал і глибоке хімічне травлення. На підставі проведеного порівняльного аналізу отриманих значень τn,p запропоновано використовувати піддані глибокому хімічному травленню пластини кремнію як базові кристали при створенні вітчизняного ресурсозберігаючого варіанта багатоперехідних фотоелектричних перетворювачів із вертикальними діодними комірками. The characters of nonequilibrium minority charge carriers lifetime τn,p distribution along the thickness of single-crystal silicon wafers with p- and n-type of conductivity, intended for electronic technique hardware and exposed to such methods of the τ increase in their near-surface areas, as a gettering annealing and deep chemical etching, are presented. Such investigations were carried out by the improved method of stationary photoconductivity as well as by the standard method of photoconductivity decay. Using the exposed to deep chemical etching such silicon wafers as the base crystals for creation of resource-saving and high performance multijunction photovoltaic converters with vertical diode cells of new generation was suggested in the carried out comparative analysis results of received τn,p values.
issn	1028-821X
url	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/105747
citation_txt	Прогрессивные методы повышения и контроля времени жизни неравновесных неосновных носителей заряда в базовых кристаллах для высокоэффективных кремниевых фотоэлектрических преобразователей / М.В. Кириченко, Р.В. Зайцев, В.Р. Копач // Радіофізика та електроніка. — 2009. — Т. 14, № 2. — С. 183-189. — Бібліогр.: 22 назв. — рос.
work_keys_str_mv	AT kiričenkomv progressivnyemetodypovyšeniâikontrolâvremenižiznineravnovesnyhneosnovnyhnositeleizarâdavbazovyhkristallahdlâvysokoéffektivnyhkremnievyhfotoélektričeskihpreobrazovatelei AT zaicevrv progressivnyemetodypovyšeniâikontrolâvremenižiznineravnovesnyhneosnovnyhnositeleizarâdavbazovyhkristallahdlâvysokoéffektivnyhkremnievyhfotoélektričeskihpreobrazovatelei AT kopačvr progressivnyemetodypovyšeniâikontrolâvremenižiznineravnovesnyhneosnovnyhnositeleizarâdavbazovyhkristallahdlâvysokoéffektivnyhkremnievyhfotoélektričeskihpreobrazovatelei AT kiričenkomv progresivnímetodipídviŝennâtakontrolûčasužittânerívnovažnihneosnovnihnosíívzarâduvbazovihkristalahdlâvisokoefektivnihkremníêvihfotoelektričnihperetvorûvačív AT zaicevrv progresivnímetodipídviŝennâtakontrolûčasužittânerívnovažnihneosnovnihnosíívzarâduvbazovihkristalahdlâvisokoefektivnihkremníêvihfotoelektričnihperetvorûvačív AT kopačvr progresivnímetodipídviŝennâtakontrolûčasužittânerívnovažnihneosnovnihnosíívzarâduvbazovihkristalahdlâvisokoefektivnihkremníêvihfotoelektričnihperetvorûvačív AT kiričenkomv progressivemethodsofincreasingandcontrolnonequilibriumminoritychargecarrierslifetimeinbasecrystalsforhighperformancesiliconsolarcells AT zaicevrv progressivemethodsofincreasingandcontrolnonequilibriumminoritychargecarrierslifetimeinbasecrystalsforhighperformancesiliconsolarcells AT kopačvr progressivemethodsofincreasingandcontrolnonequilibriumminoritychargecarrierslifetimeinbasecrystalsforhighperformancesiliconsolarcells
first_indexed	2025-12-07T20:50:55Z
last_indexed	2025-12-07T20:50:55Z
_version_	1850884127805407232

Репозитарії

Схожі ресурси