Прогрессивные методы повышения и контроля времени жизни неравновесных неосновных носителей заряда в базовых кристаллах для высокоэффективных кремниевых фотоэлектрических преобразователей

• Published in: Радіофізика та електроніка
• Date: 2009
• Main Authors: Кириченко, М.В., Зайцев, Р.В., Копач, В.Р.
• Format: Article
• Language: Russian
• Published: Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України 2009
• Subjects: Радиофизика твердого тела и плазмы
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/105747
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Прогрессивные методы повышения и контроля времени жизни неравновесных неосновных носителей заряда в базовых кристаллах для высокоэффективных кремниевых фотоэлектрических преобразователей / М.В. Кириченко, Р.В. Зайцев, В.Р. Копач // Радіофізика та електроніка. — 2009. — Т. 14, № 2. — С. 183-189. — Бібліогр.: 22 назв. — рос.

Приведены результаты исследований, усовершенствованным методом стационарной фотопроводимости и методом спада фотопроводимости, распределения времени жизни неравновесных неосновных носителей заряда τn,p по толщине пластин монокристаллического кремния. Исследовались пластины p- и n-типов проводимости,...