Магнитосопротивление нестационарного магнитного туннельного перехода

• Published in: Радіофізика та електроніка
• Date: 2009
• Main Authors: Абдулкадыров, Д.В., Белецкий, Н.Н.
• Format: Article
• Language: Russian
• Published: Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України 2009
• Subjects: Радиофизика твердого тела и плазмы
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/105748
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Магнитосопротивление нестационарного магнитного туннельного перехода / Д.В. Абдулкадыров, Н.Н. Белецкий // Радіофізика та електроніка. — 2009. — Т. 14, № 2. — С. 190-197. — Бібліогр.: 17 назв. — рос.

Исследовано туннелирование электронов через нестационарный магнитный туннельный переход в приближении малой амплитуды переменного электрического поля. Изучена зависимость активной и реактивной составляющих высокочастотного туннельного магнитосопротивления перехода от приложенного постоянного напряжения смещения. Досліджено тунелювання електронів крізь нестаціонарний магнітний тунельний перехід у наближенні малої амплітуди змінного електричного поля. Вивчено залежність активної та реактивної складових високочастотного тунельного магнітоопіру переходу від прикладеної постійної напруги зміщення. Tunneling of electrons through a non-stationary magnetic tunnel junction in approximation of small amplitude of alternating electric field has been investigated. Dependences of active and passive parts of a high-frequency electronic current density through a magnetic junction on the frequency and the applied constant bias voltage have been studied.