Магнитосопротивление нестационарного магнитного туннельного перехода - Абдулкадыров, Д.В.; Белецкий, Н.Н. (Радіофізика та електроніка, 2009)
Исследовано туннелирование электронов через нестационарный магнитный туннельный переход в приближении малой амплитуды переменного электрического поля. Изучена зависимость активной и реактивной составляющих высокочастотного туннельного магнитосопротивления перехода от приложенного постоянного напряжения смещения. Досліджено тунелювання електронів крізь нестаціонарний магнітний тунельний перехід у наближенні малої амплітуди змінного електричного поля. Вивчено залежність активної та реактивної складових високочастотного тунельного магнітоопіру переходу від прикладеної постійної напруги зміщення. Tunneling of electrons through a non-stationary magnetic tunnel junction in approximation of small amplitude of alternating electric field has been investigated. Dependences of active and passive parts of a high-frequency electronic current density through a magnetic junction on the frequency and the applied constant bias voltage have been studied.