Генерация гармоник и умножение частоты при ударной ионизации в GaN-диодах

• Veröffentlicht in: Радіофізика та електроніка
• Datum: 2009
• Hauptverfasser: Боцула, О.В., Павленко, Д.В., Прохоров, Э.Д.
• Format: Artikel
• Sprache: Russisch
• Veröffentlicht: Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України 2009
• Schlagworte: Вакуумная и твердотельная электроника
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/105751
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Генерация гармоник и умножение частоты при ударной ионизации в GaN-диодах / О.В. Боцула, Д.В. Павленко, Э.Д. Прохоров // Радіофізика та електроніка. — 2009. — Т. 14, № 2. — С. 212-217. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.

Рассматривается ударная ионизация в диодах на основе GaN. Показано, что при развитии ударной ионизации в диодах указанные соединения перспективны для работы в см и мм дипазонах (напряжения сверх порогового 3…5 при КПД до 11…13 %). Показано, какие эффективности генерации можно получить при генерации гармоник диодами на GaN. Рассматривается умножение частоты при ударной ионизации в диодах на основе GaN. Показано, что при развитии ударной ионизации в диодах на основе GaN коэффициент преобразования частоты существенно возрастает и составляет, например, на 2-й гармонике до 40 %. Розглядається ударна іонізація в діодах на основі GaN. Показано, що при розвитку ударної іонізації в діодах вказані сполуки є перспективними для роботи в см і мм діапазонах (напруги перевищують порогову в 3...5 разів при ККД до 11...13 %). Показано, які ефективності генерації можна одержати при генерації гармонік діодами на GaN. Розглядається множення частоти при ударній іонізації в діодах на основі GaN. Показано, що при розвитку ударної іонізації в діодах на основі GaN коефіцієнт перетворення частоти істотно зростає й становить, наприклад, на 2-й гармоніці до 40 %. The impact ionization in GaN diodes has been considered. The considered compounds are perspective for using in mm and sub-mm wave range with impact ionization evolution in the diodes (bias voltage is excess over limit voltage five times and efficiency value is 11…13 %) have been demonstrated. The possibilities value of oscillation efficiency in harmonic oscillation modes due to GaN diodes has been demonstrated. The frequency multiplication due to impact ionization in GaN diodes has been considered. If impact ionization takes place, coefficient of frequency transformation increases and reaches, for example, 40 % for second harmonic.