Генерация гармоник и умножение частоты при ударной ионизации в GaN-диодах
Рассматривается ударная ионизация в диодах на основе GaN. Показано, что при развитии ударной ионизации в диодах указанные соединения перспективны для работы в см и мм дипазонах (напряжения сверх порогового 3…5 при КПД до 11…13 %). Показано, какие эффективности генерации можно получить при генерации...
Saved in:
| Published in: | Радіофізика та електроніка |
|---|---|
| Date: | 2009 |
| ISSN: | 1028-821X |
| Main Authors: | , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України
2009
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/105751 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Генерация гармоник и умножение частоты при ударной ионизации в GaN-диодах / О.В. Боцула, Д.В. Павленко, Э.Д. Прохоров // Радіофізика та електроніка. — 2009. — Т. 14, № 2. — С. 212-217. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862735265712308224 |
|---|---|
| author | Боцула, О.В. Павленко, Д.В. Прохоров, Э.Д. |
| author_facet | Боцула, О.В. Павленко, Д.В. Прохоров, Э.Д. |
| citation_txt | Генерация гармоник и умножение частоты при ударной ионизации в GaN-диодах / О.В. Боцула, Д.В. Павленко, Э.Д. Прохоров // Радіофізика та електроніка. — 2009. — Т. 14, № 2. — С. 212-217. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Радіофізика та електроніка |
| description | Рассматривается ударная ионизация в диодах на основе GaN. Показано, что при развитии ударной ионизации в диодах указанные соединения перспективны для работы в см и мм дипазонах (напряжения сверх порогового 3…5 при КПД до 11…13 %). Показано, какие эффективности генерации можно получить при генерации гармоник диодами на GaN. Рассматривается умножение частоты при ударной ионизации в диодах на основе GaN. Показано, что при развитии ударной ионизации в диодах на основе GaN коэффициент преобразования частоты существенно возрастает и составляет, например, на 2-й гармонике до 40 %.
Розглядається ударна іонізація в діодах на основі GaN. Показано, що при розвитку ударної іонізації в діодах вказані сполуки є перспективними для роботи в см і мм діапазонах (напруги перевищують порогову в 3...5 разів при ККД до 11...13 %). Показано, які ефективності генерації можна одержати при генерації гармонік діодами на GaN. Розглядається множення частоти при ударній іонізації в діодах на основі GaN. Показано, що при розвитку ударної іонізації в діодах на основі GaN коефіцієнт перетворення частоти істотно зростає й становить, наприклад, на 2-й гармоніці до 40 %.
The impact ionization in GaN diodes has been considered. The considered compounds are perspective for using in mm and sub-mm wave range with impact ionization evolution in the diodes (bias voltage is excess over limit voltage five times and efficiency value is 11…13 %) have been demonstrated. The possibilities value of oscillation efficiency in harmonic oscillation modes due to GaN diodes has been demonstrated. The frequency multiplication due to impact ionization in GaN diodes has been considered. If impact ionization takes place, coefficient of frequency transformation increases and reaches, for example, 40 % for second harmonic.
|
| first_indexed | 2025-12-07T19:47:56Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-105751 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1028-821X |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T19:47:56Z |
| publishDate | 2009 |
| publisher | Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Боцула, О.В. Павленко, Д.В. Прохоров, Э.Д. 2016-09-07T18:12:44Z 2016-09-07T18:12:44Z 2009 Генерация гармоник и умножение частоты при ударной ионизации в GaN-диодах / О.В. Боцула, Д.В. Павленко, Э.Д. Прохоров // Радіофізика та електроніка. — 2009. — Т. 14, № 2. — С. 212-217. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. 1028-821X https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/105751 537.572:621.382.2 Рассматривается ударная ионизация в диодах на основе GaN. Показано, что при развитии ударной ионизации в диодах указанные соединения перспективны для работы в см и мм дипазонах (напряжения сверх порогового 3…5 при КПД до 11…13 %). Показано, какие эффективности генерации можно получить при генерации гармоник диодами на GaN. Рассматривается умножение частоты при ударной ионизации в диодах на основе GaN. Показано, что при развитии ударной ионизации в диодах на основе GaN коэффициент преобразования частоты существенно возрастает и составляет, например, на 2-й гармонике до 40 %. Розглядається ударна іонізація в діодах на основі GaN. Показано, що при розвитку ударної іонізації в діодах вказані сполуки є перспективними для роботи в см і мм діапазонах (напруги перевищують порогову в 3...5 разів при ККД до 11...13 %). Показано, які ефективності генерації можна одержати при генерації гармонік діодами на GaN. Розглядається множення частоти при ударній іонізації в діодах на основі GaN. Показано, що при розвитку ударної іонізації в діодах на основі GaN коефіцієнт перетворення частоти істотно зростає й становить, наприклад, на 2-й гармоніці до 40 %. The impact ionization in GaN diodes has been considered. The considered compounds are perspective for using in mm and sub-mm wave range with impact ionization evolution in the diodes (bias voltage is excess over limit voltage five times and efficiency value is 11…13 %) have been demonstrated. The possibilities value of oscillation efficiency in harmonic oscillation modes due to GaN diodes has been demonstrated. The frequency multiplication due to impact ionization in GaN diodes has been considered. If impact ionization takes place, coefficient of frequency transformation increases and reaches, for example, 40 % for second harmonic. ru Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України Радіофізика та електроніка Вакуумная и твердотельная электроника Генерация гармоник и умножение частоты при ударной ионизации в GaN-диодах Генерація гармонік і множення частоти при ударній іонізації в GaN-діодах Harmonic generation and frequency multiplication in case of impact ionization in the GaN diodes Article published earlier |
| spellingShingle | Генерация гармоник и умножение частоты при ударной ионизации в GaN-диодах Боцула, О.В. Павленко, Д.В. Прохоров, Э.Д. Вакуумная и твердотельная электроника |
| title | Генерация гармоник и умножение частоты при ударной ионизации в GaN-диодах |
| title_alt | Генерація гармонік і множення частоти при ударній іонізації в GaN-діодах Harmonic generation and frequency multiplication in case of impact ionization in the GaN diodes |
| title_full | Генерация гармоник и умножение частоты при ударной ионизации в GaN-диодах |
| title_fullStr | Генерация гармоник и умножение частоты при ударной ионизации в GaN-диодах |
| title_full_unstemmed | Генерация гармоник и умножение частоты при ударной ионизации в GaN-диодах |
| title_short | Генерация гармоник и умножение частоты при ударной ионизации в GaN-диодах |
| title_sort | генерация гармоник и умножение частоты при ударной ионизации в gan-диодах |
| topic | Вакуумная и твердотельная электроника |
| topic_facet | Вакуумная и твердотельная электроника |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/105751 |
| work_keys_str_mv | AT boculaov generaciâgarmonikiumnoženiečastotypriudarnoiionizaciivgandiodah AT pavlenkodv generaciâgarmonikiumnoženiečastotypriudarnoiionizaciivgandiodah AT prohorovéd generaciâgarmonikiumnoženiečastotypriudarnoiionizaciivgandiodah AT boculaov generacíâgarmoníkímnožennâčastotipriudarníiíonízacíívgandíodah AT pavlenkodv generacíâgarmoníkímnožennâčastotipriudarníiíonízacíívgandíodah AT prohorovéd generacíâgarmoníkímnožennâčastotipriudarníiíonízacíívgandíodah AT boculaov harmonicgenerationandfrequencymultiplicationincaseofimpactionizationinthegandiodes AT pavlenkodv harmonicgenerationandfrequencymultiplicationincaseofimpactionizationinthegandiodes AT prohorovéd harmonicgenerationandfrequencymultiplicationincaseofimpactionizationinthegandiodes |