Рассеяние электрона на плазменных колебаниях в структуре полупроводник-диэлектрик-полупроводник

• Опубліковано в: : Радіофізика та електроніка
• Дата: 2010
• Автори: Белецкий, Н.Н., Ханкина, С.И., Яковенко, В.М., Яковенко, И.В.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України 2010
• Теми: Радиофизика твердого тела и плазмы
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/105801
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Рассеяние электрона на плазменных колебаниях в структуре полупроводник-диэлектрик-полупроводник / Н.Н. Белецкий, С.И. Ханкина, В.М. Яковенко, И.В. Яковенко // Радіофізика та електроніка. — 2010. — Т. 15, № 2. — С. 77-82. — Бібліогр.: 5 назв. — рос.

Рассмотрено взаимодействие плазмонов с заряженной частицей, проходящей через границу полупроводник-диэлектрик-полупроводник с учетом потенциального барьера. Найдены вероятности излучения и поглощения плазменных колебаний заряженной частицей, определены условия, при которых процессы излучения плазмонов превалируют над процессами их поглощения. Розглянуто взаємодію плазмонів із зарядженою часткою, яка перетинає межу напівпровідник-діелектрик-напівпровідник з урахуванням потенційного бар’єру. Знайдено імовірності випромінювання та поглинання плазмових коливань зарядженою часткою, визначено умови, за яких процеси випромінювання плазмонів превалюють над процесами їх поглинання. The interaction of an electron with plasmons in the structure semiconductor-dielectric-semiconductor is investigated. The probabilities of radiation and absorption of plasmons by the electron which passes through the boundary of media taking into account the influence of the potential barrier are found. The conditions when processes of emission prevail over processes of absorption are obtained.