Рассеяние электрона на плазменных колебаниях в структуре полупроводник-диэлектрик-полупроводник

Рассмотрено взаимодействие плазмонов с заряженной частицей, проходящей через границу полупроводник-диэлектрик-полупроводник с учетом потенциального барьера. Найдены вероятности излучения и поглощения плазменных колебаний заряженной частицей, определены условия, при которых процессы излучения плазмон...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Радіофізика та електроніка
Дата:2010
Автори: Белецкий, Н.Н., Ханкина, С.И., Яковенко, В.М., Яковенко, И.В.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України 2010
Теми:
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/105801
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Рассеяние электрона на плазменных колебаниях в структуре полупроводник-диэлектрик-полупроводник / Н.Н. Белецкий, С.И. Ханкина, В.М. Яковенко, И.В. Яковенко // Радіофізика та електроніка. — 2010. — Т. 15, № 2. — С. 77-82. — Бібліогр.: 5 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-105801
record_format dspace
spelling Белецкий, Н.Н.
Ханкина, С.И.
Яковенко, В.М.
Яковенко, И.В.
2016-09-10T08:15:48Z
2016-09-10T08:15:48Z
2010
Рассеяние электрона на плазменных колебаниях в структуре полупроводник-диэлектрик-полупроводник / Н.Н. Белецкий, С.И. Ханкина, В.М. Яковенко, И.В. Яковенко // Радіофізика та електроніка. — 2010. — Т. 15, № 2. — С. 77-82. — Бібліогр.: 5 назв. — рос.
1028-821X
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/105801
537.874.7:621.382
Рассмотрено взаимодействие плазмонов с заряженной частицей, проходящей через границу полупроводник-диэлектрик-полупроводник с учетом потенциального барьера. Найдены вероятности излучения и поглощения плазменных колебаний заряженной частицей, определены условия, при которых процессы излучения плазмонов превалируют над процессами их поглощения.
Розглянуто взаємодію плазмонів із зарядженою часткою, яка перетинає межу напівпровідник-діелектрик-напівпровідник з урахуванням потенційного бар’єру. Знайдено імовірності випромінювання та поглинання плазмових коливань зарядженою часткою, визначено умови, за яких процеси випромінювання плазмонів превалюють над процесами їх поглинання.
The interaction of an electron with plasmons in the structure semiconductor-dielectric-semiconductor is investigated. The probabilities of radiation and absorption of plasmons by the electron which passes through the boundary of media taking into account the influence of the potential barrier are found. The conditions when processes of emission prevail over processes of absorption are obtained.
ru
Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України
Радіофізика та електроніка
Радиофизика твердого тела и плазмы
Рассеяние электрона на плазменных колебаниях в структуре полупроводник-диэлектрик-полупроводник
Розсіяння електрона на плазмових коливаннях у структурі напівпровідник-діелектрик-напівпровідник
Scattering of electrons on plasma oscillations in the structure of semiconductor-dielectric-semiconcuctor
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Рассеяние электрона на плазменных колебаниях в структуре полупроводник-диэлектрик-полупроводник
spellingShingle Рассеяние электрона на плазменных колебаниях в структуре полупроводник-диэлектрик-полупроводник
Белецкий, Н.Н.
Ханкина, С.И.
Яковенко, В.М.
Яковенко, И.В.
Радиофизика твердого тела и плазмы
title_short Рассеяние электрона на плазменных колебаниях в структуре полупроводник-диэлектрик-полупроводник
title_full Рассеяние электрона на плазменных колебаниях в структуре полупроводник-диэлектрик-полупроводник
title_fullStr Рассеяние электрона на плазменных колебаниях в структуре полупроводник-диэлектрик-полупроводник
title_full_unstemmed Рассеяние электрона на плазменных колебаниях в структуре полупроводник-диэлектрик-полупроводник
title_sort рассеяние электрона на плазменных колебаниях в структуре полупроводник-диэлектрик-полупроводник
author Белецкий, Н.Н.
Ханкина, С.И.
Яковенко, В.М.
Яковенко, И.В.
author_facet Белецкий, Н.Н.
Ханкина, С.И.
Яковенко, В.М.
Яковенко, И.В.
topic Радиофизика твердого тела и плазмы
topic_facet Радиофизика твердого тела и плазмы
publishDate 2010
language Russian
container_title Радіофізика та електроніка
publisher Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України
format Article
title_alt Розсіяння електрона на плазмових коливаннях у структурі напівпровідник-діелектрик-напівпровідник
Scattering of electrons on plasma oscillations in the structure of semiconductor-dielectric-semiconcuctor
description Рассмотрено взаимодействие плазмонов с заряженной частицей, проходящей через границу полупроводник-диэлектрик-полупроводник с учетом потенциального барьера. Найдены вероятности излучения и поглощения плазменных колебаний заряженной частицей, определены условия, при которых процессы излучения плазмонов превалируют над процессами их поглощения. Розглянуто взаємодію плазмонів із зарядженою часткою, яка перетинає межу напівпровідник-діелектрик-напівпровідник з урахуванням потенційного бар’єру. Знайдено імовірності випромінювання та поглинання плазмових коливань зарядженою часткою, визначено умови, за яких процеси випромінювання плазмонів превалюють над процесами їх поглинання. The interaction of an electron with plasmons in the structure semiconductor-dielectric-semiconductor is investigated. The probabilities of radiation and absorption of plasmons by the electron which passes through the boundary of media taking into account the influence of the potential barrier are found. The conditions when processes of emission prevail over processes of absorption are obtained.
issn 1028-821X
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/105801
citation_txt Рассеяние электрона на плазменных колебаниях в структуре полупроводник-диэлектрик-полупроводник / Н.Н. Белецкий, С.И. Ханкина, В.М. Яковенко, И.В. Яковенко // Радіофізика та електроніка. — 2010. — Т. 15, № 2. — С. 77-82. — Бібліогр.: 5 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT beleckiinn rasseânieélektronanaplazmennyhkolebaniâhvstrukturepoluprovodnikdiélektrikpoluprovodnik
AT hankinasi rasseânieélektronanaplazmennyhkolebaniâhvstrukturepoluprovodnikdiélektrikpoluprovodnik
AT âkovenkovm rasseânieélektronanaplazmennyhkolebaniâhvstrukturepoluprovodnikdiélektrikpoluprovodnik
AT âkovenkoiv rasseânieélektronanaplazmennyhkolebaniâhvstrukturepoluprovodnikdiélektrikpoluprovodnik
AT beleckiinn rozsíânnâelektronanaplazmovihkolivannâhustrukturínapívprovídnikdíelektriknapívprovídnik
AT hankinasi rozsíânnâelektronanaplazmovihkolivannâhustrukturínapívprovídnikdíelektriknapívprovídnik
AT âkovenkovm rozsíânnâelektronanaplazmovihkolivannâhustrukturínapívprovídnikdíelektriknapívprovídnik
AT âkovenkoiv rozsíânnâelektronanaplazmovihkolivannâhustrukturínapívprovídnikdíelektriknapívprovídnik
AT beleckiinn scatteringofelectronsonplasmaoscillationsinthestructureofsemiconductordielectricsemiconcuctor
AT hankinasi scatteringofelectronsonplasmaoscillationsinthestructureofsemiconductordielectricsemiconcuctor
AT âkovenkovm scatteringofelectronsonplasmaoscillationsinthestructureofsemiconductordielectricsemiconcuctor
AT âkovenkoiv scatteringofelectronsonplasmaoscillationsinthestructureofsemiconductordielectricsemiconcuctor
first_indexed 2025-12-07T18:04:03Z
last_indexed 2025-12-07T18:04:03Z
_version_ 1850873629687939072