Рассеяние электрона на плазменных колебаниях в структуре полупроводник-диэлектрик-полупроводник
Рассмотрено взаимодействие плазмонов с заряженной частицей, проходящей через границу полупроводник-диэлектрик-полупроводник с учетом потенциального барьера. Найдены вероятности излучения и поглощения плазменных колебаний заряженной частицей, определены условия, при которых процессы излучения плазмон...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Радіофізика та електроніка |
|---|---|
| Дата: | 2010 |
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України
2010
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/105801 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Рассеяние электрона на плазменных колебаниях в структуре полупроводник-диэлектрик-полупроводник / Н.Н. Белецкий, С.И. Ханкина, В.М. Яковенко, И.В. Яковенко // Радіофізика та електроніка. — 2010. — Т. 15, № 2. — С. 77-82. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1860185283607134208 |
|---|---|
| author | Белецкий, Н.Н. Ханкина, С.И. Яковенко, В.М. Яковенко, И.В. |
| author_facet | Белецкий, Н.Н. Ханкина, С.И. Яковенко, В.М. Яковенко, И.В. |
| citation_txt | Рассеяние электрона на плазменных колебаниях в структуре полупроводник-диэлектрик-полупроводник / Н.Н. Белецкий, С.И. Ханкина, В.М. Яковенко, И.В. Яковенко // Радіофізика та електроніка. — 2010. — Т. 15, № 2. — С. 77-82. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Радіофізика та електроніка |
| description | Рассмотрено взаимодействие плазмонов с заряженной частицей, проходящей через границу полупроводник-диэлектрик-полупроводник с учетом потенциального барьера. Найдены вероятности излучения и поглощения плазменных колебаний заряженной частицей, определены условия, при которых процессы излучения плазмонов превалируют над процессами их поглощения.
Розглянуто взаємодію плазмонів із зарядженою часткою, яка перетинає межу напівпровідник-діелектрик-напівпровідник з урахуванням потенційного бар’єру. Знайдено імовірності випромінювання та поглинання плазмових коливань зарядженою часткою, визначено умови, за яких процеси випромінювання плазмонів превалюють над процесами їх поглинання.
The interaction of an electron with plasmons in the structure semiconductor-dielectric-semiconductor is investigated. The probabilities of radiation and absorption of plasmons by the electron which passes through the boundary of media taking into account the influence of the potential barrier are found. The conditions when processes of emission prevail over processes of absorption are obtained.
|
| first_indexed | 2025-12-07T18:04:03Z |
| format | Article |
| fulltext |
__________
ISSN 1028–821X Радиофизика и электроника, 2010, том 15, № 2, с. 77–82 © ИРЭ НАН Украины, 2010
РАДИОФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА И ПЛАЗМЫ
УДК 537.874.7:621.382
РАССЕЯНИЕ ЭЛЕКТРОНА НА ПЛАЗМЕННЫХ КОЛЕБАНИЯХ
В СТРУКТУРЕ ПОЛУПРОВОДНИК-ДИЭЛЕКТРИК-ПОЛУПРОВОДНИК
Н. Н. Белецкий, С. И. Ханкина, В. М. Яковенко, И. В. Яковенко*
Институт радиофизики и электроники им. А. Я. Усикова НАН Украины
12, ул. Ак. Проскуры, Харьков, 61085, Украина
E-mail: yavm@ire.kharkov.ua
*Научно-исследовательский и проектно-конструкторский институт «Молния»
Министерства образования и науки Украины
47, ул. Шевченко, Харьков, 61013, Украина
Рассмотрено взаимодействие плазмонов с заряженной частицей, проходящей через границу полупроводник-диэлектрик-
полупроводник с учетом потенциального барьера. Найдены вероятности излучения и поглощения плазменных колебаний заряжен-
ной частицей, определены условия, при которых процессы излучения плазмонов превалируют над процессами их поглощения.
Ил. 2. Библиогр.: 5 назв.
Ключевые слова: заряженная частица, плазмон, потенциальный барьер, излучения (поглощения) колебаний.
В связи с успехами современной техно-
логии создания микро- и наноструктур особую
актуальность приобретают исследования в них
процессов взаимодействия электромагнитных
колебаний и заряженных частиц. Результаты этих
исследований важны как для понимания физики
поверхностных явлений, происходящих на грани-
це сред, так и для многочисленных технических
приложений.
Ранее нами в работах была показана воз-
можность возникновения неустойчивости плаз-
менных колебаний в полупроводниках при про-
хождении через них направленного потока элект-
ронов [1–3]. Однако при этом не принималось во
внимание влияние существующего на границе
сред потенциального барьера на механизмы об-
мена энергией между плазменными колебаниями
и заряженными частицами. Между тем его роль
представляется весьма важной.
В работе [4] решена задача о взаимо-
действии поверхностных электромагнитных волн
с электроном, пересекающим границу металл-
вакуум в присутствии полубесконечного потен-
циального барьера. Изучены условия, при кото-
рых электрон пролетает над барьером или отра-
жается от него.
Безусловно, большой интерес вызывает
взаимодействие плазмонов с электроном, движу-
щемся в структуре полупроводник-диэлектрик-
полупроводник.
В предлагаемой работе изучается влияние
потенциального барьера прямоугольной формы на
эффекты рассеяния заряженной частицы на плаз-
менных колебаниях в такой структуре. Для реше-
ния поставленной задачи мы приводим спектр
собственных колебаний (плазмонов) в структуре
полупроводник-диэлектрик-полупроводник. Затем,
воспользовавшись уравнением Шредингера, нахо-
дим коэффициенты отражения и прохождения
электрона через потенциальный барьер в при-
сутствии вектор-потенциала плазмонов.
1. Плазменные колебания в структуре
полупроводник-диэлектрик-полупроводник.
Выберем систему координат таким образом, что-
бы проводящие среды «1» и «3» занимали соот-
ветственно области dy и ,dy а диэлектрик
(среда «2») с проницаемостью 2 находился в
области dyd . Электрические поля и элек-
троны проводимости в средах «1» и «3» в гидро-
динамическом приближении (температура элек-
тронов равна нулю) описываются системой урав-
нений
;4div;0rot 0 eNEE
(1)
,;0div 0 Ee
t
u
muN
t
N
(2)
где );,,( tyxEE
0 – диэлектрическая постоян-
ная кристаллической решетки; um
, – эффектив-
ная масса и скорость электронов проводимости;
NN ,0 – их равновесная и неравновесная концен-
трации. Поля вдоль оси z однородны.
В уравнениях (1) и (2) эффектами запаз-
дывания пренебрегаем, поскольку в дальнейшем
предполагается, что скорость движущейся заря-
женной частицы мала по сравнению со скоростью
mailto:yavm@ire.kharkov.ua
Н. Н. Белецкий и др. / Рассеяние электрона на плазменных…
_________________________________________________________________________________________________________________
78
света в средах. Это обстоятельство значительно
упрощает вычисления, но не искажает физиче-
скую картину рассматриваемых процессов.
В диэлектрике поля удовлетворяют урав-
нениям (1), если в них положить .0N На гра-
ницах dy и dy выполняются следующие
электродинамические условия:
;4
,
2
201
1
01
21
dy
y
y
y
xx
t
E
ueN
t
E
dEdE
(3)
.4
,
03
3
03
2
2
32
dy
y
yy
xx
ueN
t
E
t
E
dEdE
(4)
Введем вектор-потениал A
таким образом, чтобы
скалярный потенциал был равен нулю [5]. То-
гда поле E
связывается с A
соотношением
.
1
t
A
c
E
Компоненты вектор-потенциала
можно представить в виде
;sinexp
,cosexp
,
11
11
qyAA
qyAA
dy
y
x
(5)
;sinexpexp
,cosexpexp
,
222
222
qyAqyAA
qyAqyAA
dyd
y
x
(6)
.sinexp
,cosexp
,
33
33
qyAA
qyAA
dy
y
x
(7)
Здесь ,tqx .0q
Из граничных условий (3), (4), записан-
ных относительно вектора-потенциала ,A
полу-
чим дисперсионное уравнение плазменных коле-
баний:
,2exp
2exp
2321
2321
qd
qd
(8)
где ,1 3 – диэлектрические проницаемости
сред «1» и «3».
В дальнейшем предполагаем, что
,2 d ),(31 ,)( 22
00 где
mNe 0
22
0 4 – квадрат ленгмюровской часто-
ты электронов проводимости, d не зависит от
частоты. В этом случае из уравнения (8) следует,
что в рассматриваемой структуре существуют два
типа колебаний:
– высокочастные ;th)( qdd (9)
– низкочастотные .cth)( qdd (10)
При больших значениях волновых чисел
)1( qd обе ветви колебаний (одна сверху, вто-
рая снизу) приближаются к частоте поверхност-
ного плазмона
,
2
1
0
0
d
s
существующего
на уединенной границе полупроводник-
диэлектрик.
Можно показать, что при 1qd для вы-
сокочастотных колебаний
2
1
0
0
qdd
ам-
плитуды вектор-потенциала связаны между собой
соотношениями
,
2
1
122 AAA ,13 AA (11)
т. е. тангенциальные составляющие электриче-
ского поля распределены симметрично. В низко-
частотных колебаниях
2
1
0
2
1
0
dqd
qd
танген-
циальные составляющие электрического поля
распределены антисимметрично:
,
2
1
122 A
qd
AA .13 AA (12)
Заметим, что потенциальный барьер, разделяю-
щий области «1» и «3», не влияет на закон дис-
персии плазмонов, поскольку температура элект-
ронов проводимости равна нулю. Другими слова-
ми, электроны проводимости приходят в движение
только под действием электрического поля.
2. Взаимодействие плазмонов с заря-
женной частицей. Пусть заряженная частица с
энергией E движется вдоль оси y и пересекает
потенциальный барьер вида
,
0
0
0
dy
dyd
dy
UyU (13)
разделяющий среды «1» и «3». Ее волновая
функция в каждой из сред находится из уравне-
ния Шредингера:
2
ˆ
,
2
e
p A
c
i U y
t m
(14)
где ˆ ; 1,2,3.p i При этом должны вы-
полняться граничные условия: волновые функции
Н. Н. Белецкий и др. / Рассеяние электрона на плазменных…
_________________________________________________________________________________________________________________
79
и их производные по координате y непрерывны
на плоскостях dy и .dy
Решение уравнения (14) находим мето-
дом последовательных приближений по вели-
чине ,A
удерживая только линейные члены. В
первом приближении ( 0A
– стационарное со-
стояние) с учетом граничных условий получим
следующие выражения для невозмущенных вол-
новых функций:
,exp
expexp
0
0
ti
yikbyika
(15)
где 0 E ,
1
2
1 3 2
2
,
m
k k
E
1
2
2 02
2
.
m
k U
E
,11 a
,2exp2sin 12
0
2
1
2
2
1 dikdk
kki
b
dkki
kkk
a 21
0
211
2 exp
,
,exp 12
0
121
2 dkki
kkk
b
,2exp
2
1
0
21
3 dik
kk
a
,03 b
.2sin2cos2 2
2
2
2
12210 dkkkidkkk
Возмущенные волновые функции, возникающие
при рассеянии электрона на потенциале плазмо-
на, в каждой из сред определяются из уравнения
,
2
0
1
2
1
y
A
mc
ie
U
mt
i y
(16)
где .
2
2
2
y
q
Электрон в результате рассеяния на вектор-
потенциале плазмонов в средах «1» и «3» перехо-
дит в состояния с энергиями E и волно-
выми векторами:
1
2
1 2
2
,
m
k
E
в среде «2» – в состояния с энергиями
0U E и
1
2
2 02
2
.
m
k U
E
Общее решение (16) состоит из суммы решений
однородного и неоднородного уравнений. Реше-
ния n неоднородного уравнения Шредингера в
средах «1»–«3» имеют вид
.exp
exp
2
,
;expexp
expexp
exp
2
,
;expexp
exp
2
,
13
0
3
3
22
2222
02
111
0
1
1
yikqya
ti
i
dy
qyqy
yikbyika
ti
i
dyd
yikbyik
tiqy
i
dy
n
n
n
(17)
Здесь ;1
1
1 A
mc
ek
;2
2
2 A
mc
ek
;2
2
2 A
mc
ek
.3
1
3 A
mc
ek
Выражения (17) получены в предполо-
жении 21, qvqv .
2,1
2,1
m
k
v
Решение однородного уравнения Шре-
дингера в средах «1»–«3» можно представить
следующим образом:
________________________________________
.expexpexp
,expexpexpexpexpexp
,expexpexp
0131331
022220222221
0111111
tiykiRykiR
tiyikRyikRtiyikRyikR
tiykiRykiR
(18)
___________________________________________
Воспользовавшись граничными условия-
ми для волновых функций электронов, находя-
щихся в состояниях
0 и ,0
можно выразить коэффициенты
R и
R через
решения
n неоднородных уравнений. Выра-
жения для
R в случае рассеяния электрона на
высокочастотных плазменных колебаниях (9),
(11), для которых ,31 ,
2
1
122
имеют вид
Н. Н. Белецкий и др. / Рассеяние электрона на плазменных…
_________________________________________________________________________________________________________________
80
,2expexp
2
,
,exp22exp
4
exp
,2expexp
2
123111211221
1
3
2222
11112112111
1
2
12
2
2131121111
1
1
dikabkkkkkkdkki
i
R
kRkR
dkkiRkkdikbkkkk
i
k
dkki
R
bakkkdikdkki
i
R
(19)
___________________________________________
где
.2sin
2cos
;2sin
2cos2,
2
11
2
221122,1
2
2
2
2
1
221210
dk
kkkidkkkk
dkkki
dkkkkk
Выражения для коэффициентов
R получаются
заменой в формулах (19)
2,1k на .2,1
k
Поскольку общие формулы для
R гро-
моздкие, ограничимся рассмотрением отдельных
частных случаев.
Предположим, что высота потенциально-
го барьера бесконечно велика 0U и
.12 dk Тогда при 2k ,11 b .03 a
В этом случае
.0,,
,
322
1
11
RRR
RR
(20)
Вероятность поглощения плазмона электроном
2
2
1
1
1
k
k
P превосходит вероятность его излу-
чения .
2
2
1
1
1
k
k
P Этот результат совпадает с
результатом работы [4].
Однако если на границе dy выпол-
няются условия равенства нулю производной
волновой функции по координате ,y то
1
11
1
k
k
R
и вероятность излучения плазмона
2
1
1
1
R
k
k
P превосходит вероятность его по-
глощения .
2
1
1
1
R
k
k
P
Если ,0 U но 12 dk и величи-
на dk 2 является конечной, то коэффициенты
отражения и прохождения электрона через барьер
в стационарном состоянии записываются следу-
ющим образом:
.
2
,
2
2
2
0
2
1
2
2
1
2
2
3
2
0
2
1
2
2
02
1
dU
m
k
m
k
a
dU
m
k
dU
b
(21)
В следующем приближении, т. е. при рассеянии
на плазмоне, коэффициенты
2
1
R и
2
3
R прини-
мают вид
;
2
2
2
2
1
2
2
0
2
11
2
2
0
2
22
1
m
k
dU
kk
m
dU
R
(22)
.
2
2
2
1
2
2
0
2
11
2
2
22
3
m
k
dU
kk
m
R
(23)
Заметим, что выражения (21)–(23) можно полу-
чить, введя потенциальный барьер, разделяющий
проводящие среды, в виде -функции
.2 0 ydUyU При этом на границе раздела
сред 0y непрерывными являются волновые
функции, а их производные по y претерпевают
разрыв, величина которого равна .0
4
102
dU
m
Вероятности излучения и поглощения плазмона
электроном определяются формулами
.
,
2
3
2
1
1
1
2
3
2
1
1
1
RR
k
k
P
RR
k
k
P
(24)
Н. Н. Белецкий и др. / Рассеяние электрона на плазменных…
_________________________________________________________________________________________________________________
81
Для сравнения этих величин между собой введем
безразмерные параметры
E
и ,
2
1
2
0
k
dmU
зависящие от энергии плазмона, энергии частицы
и величины потенциального барьера. Отношение
вероятности излучения плазмона к вероятности
его поглощения заряженной частицей, выражен-
ное через параметры и , определяется функ-
цией ,,F которая равна
.
12
12
1
1
1
1
,
2
2
2
2
P
P
F
(25)
На рис. 1, 2 приведены зависимости функции F
от при различных значениях и зависи-
мость F от при фиксированных значениях .
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0
2
1
0
1
2
3
4
5
–
–
Рис. 1. Зависимость функции F от параметра при фиксиро-
ванных значениях параметра : 1 – 0; 2 – 0,1; 3 –
0,9
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0
0
1
2
3
4
5
Рис. 2. Зависимость функции F от параметра κ при фиксиро-
ванных значениях параметра : 1 – 0,99; 2 – 0,9; 3 –
0,1
Видно, что в случае 0 и при малых
значениях вероятность излучения плазмона
преобладает над вероятностью его поглощения
электроном ( PP ). При этом значения
близки к единице. Если же ,1~ то при всех
значениях 10 процессы поглощения
превалируют над процессами излучения
( PP ).
Интересно отметить, что при выполне-
нии резонансных условий ,22 dk т. е. когда
на ширине потенциального барьера укладывается
половина длины электронной волны, потенци-
альный барьер не влияет на движение частицы в
стационарном состоянии 1,0 31 ab . Опре-
делим вероятности процессов излучения и по-
глощения высокочастотных колебаний (9), (11) в
этом случае. Величины
R (19) в приближении
1
2
d
v
принимают вид
,
exp~
2
,
,
exp~
4
,
exp~
2
2
2
2
1
2
112
11
1
3
2222
1211
2
21
2
1
12
1
2
2
211
2
112
11
1
1
kk
dv
ikkk
dkki
i
R
kRkR
kkkk
dv
ikkk
dkkiiR
kkk
dv
ikkk
dkki
i
R
(26)
где .
~ 2
2
2
1
2
21
kkd
v
ikk
Подставляя выражение (26) в формулы, опреде-
ляющие излучение и поглощение плазмонов
,
Re
Re
2
2
2
2
1
2
2
2
2
1
1
1
RR
k
k
RR
k
k
P
найдем
.2
8
1
2
2
2
1
1
2
12
2
2
2
122
2
1
1
2
2
1
kk
k
k
vv
kkk
k
k
k
P
(27)
1
2
3 F
P
–
/P
+
F
P
–
/P
+
1
2
3
Н. Н. Белецкий и др. / Рассеяние электрона на плазменных…
_________________________________________________________________________________________________________________
82
Эти выражения получены при условии
2211 , vkvk . Из (27) следует, что для из-
лучения высокочастотных плазмонов PP
необходимо выполнение неравенства ,2 2211 vkvk
т. е. .2 2
2
2
1 kk Это означает, что существует по-
роговое условие: для излучения кинетическая
энергия электрона в среде «1» должна более чем в
два раза превосходить кинетическую энергию
электрона в среде «2».
Для низкочастотных колебаний (10)–(12)
выполняются соотношения ,31 2
,
2
1
12
qd
т. е. .12 В этом случае при
22 dk и 1
2
d
v
получаем ., 231
RRR
Следовательно, вероятности поглощения и излу-
чения определяются величинами 22 , RR и
равны
.
2
2
2
2
1
2
2
2
2
122
21
2
2
kk
v
kkk
kk
P
(28)
Видно, что в условиях резонанса вероятность из-
лучения низкочастотных плазмонов меньше ве-
роятности поглощения их электроном.
Выводы. Найдены вероятности излуче-
ния и поглощения плазмонов в структуре полу-
проводник-диэлектрик-полупроводник при пере-
сечении ее границ электроном. Построены отно-
шения этих вероятностей в зависимости от энер-
гии частицы, частоты плазмонов, высоты и ши-
рины потенциального барьера. Показано, что ва-
рьируя эти параметры, можно добиться преи-
мущества процессов излучения над процессами
поглощения.
В случае прямоугольного барьера такое
условие выполняется, когда на ширине барьера
укладывается половина длины волны де Бройля.
Для -образного потенциального барьера это
достигается, если отношение энергии плазмона к
энергии частицы близко к единице. В случае же
бесконечно высокой потенциальной стенки излу-
чение превышает поглощение при обращении в
нуль на границе производной волновой функции
по нормальной координате.
Заметим, что во всех указанных выше
случаях можно ожидать возникновения неустой-
чивостей плазменных колебаний при пересечении
границ моноэнергетическим потоком заряженных
частиц.
1. Яковенко В. М. Переходное излучение собственных коле-
баний и их неустойчивость в плазме твердого тела под
действием потоков заряженных частиц / В. М. Яковенко,
И. В. Яковенко // Укр. физ. журн. – 1984. – 29, № 12. –
С. 1830–1836.
2. Яковенко В. М. Взаимодействие поверхностных плазмо-
нов с электронами при их отражении от границы раздела
сред / В. М. Яковенко, И. В. Яковенко // Доп. НАН Украї-
ни. – 1993. – № 3. – С. 91–94.
3. Яковенко В. М. Бесстолкновительное затухание поверх-
ностных колебаний и возможность его обращения в плаз-
моподобных средах / В. М. Яковенко, И. В. Яковенко //
Изв. вузов. Радиофизика. – 1998. – 41, № 6. – С. 735–745.
4. Беленов Э. М. Излучение и поглощение поверхностных
электромагнитных волн при столкновении электрона с
границей металл-диэлектрик / Э. М. Беленов, П. Н. Лус-
кинович, А. Г. Соболев // Журн. техн. физики. – 1986. –
56, № 10. – С. 1902–1908.
5. Ландау Л. Д. Теоретическая физика: в 10 т. Т. 2. Теория
поля / Л. Д. Ландау, Е. М. Лифшиц. – М.: Физматлит,
2006. – 534 с.
SCATTERING OF ELECTRONS ON PLASMA
OSCILLATIONS IN THE STRUCTURE
OF SEMICONDUCTOR-DIELECTRIC-
SEMICONCUCTOR
N. N. Beletskii, S. I. Khankina,
V. M. Yakovenko, I. V. Yakovenko
The interaction of an electron with plasmons in the structure
semiconductor-dielectric-semiconductor is investigated. The prob-
abilities of radiation and absorption of plasmons by the electron
which passes through the boundary of media taking into account
the influence of the potential barrier are found.
The conditions when processes of emission prevail over
processes of absorption are obtained.
Key words: charged particle, plasmon, the potential
barrier, radiation (absorption) of oscillations.
РОЗСІЯННЯ ЕЛЕКТРОНА НА ПЛАЗМОВИХ
КОЛИВАННЯХ У СТРУКТУРІ
НАПІВПРОВІДНИК-ДІЕЛЕКТРИК-
НАПІВПРОВІДНИК
М. М. Білецький, С. І. Ханкіна,
В. М. Яковенко, І. В. Яковенко
Розглянуто взаємодію плазмонів із зарядженою
часткою, яка перетинає межу напівпровідник-діелектрик-
напівпровідник з урахуванням потенційного бар’єру. Знайде-
но імовірності випромінювання та поглинання плазмових
коливань зарядженою часткою, визначено умови, за яких
процеси випромінювання плазмонів превалюють над проце-
сами їх поглинання.
Ключові слова: заряджена частка, плазмон, потен-
ційний бар’єр, випромінювання (поглинання) коливань.
Рукопись поступила 13 января 2010 г.
|
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-105801 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1028-821X |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T18:04:03Z |
| publishDate | 2010 |
| publisher | Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Белецкий, Н.Н. Ханкина, С.И. Яковенко, В.М. Яковенко, И.В. 2016-09-10T08:15:48Z 2016-09-10T08:15:48Z 2010 Рассеяние электрона на плазменных колебаниях в структуре полупроводник-диэлектрик-полупроводник / Н.Н. Белецкий, С.И. Ханкина, В.М. Яковенко, И.В. Яковенко // Радіофізика та електроніка. — 2010. — Т. 15, № 2. — С. 77-82. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. 1028-821X https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/105801 537.874.7:621.382 Рассмотрено взаимодействие плазмонов с заряженной частицей, проходящей через границу полупроводник-диэлектрик-полупроводник с учетом потенциального барьера. Найдены вероятности излучения и поглощения плазменных колебаний заряженной частицей, определены условия, при которых процессы излучения плазмонов превалируют над процессами их поглощения. Розглянуто взаємодію плазмонів із зарядженою часткою, яка перетинає межу напівпровідник-діелектрик-напівпровідник з урахуванням потенційного бар’єру. Знайдено імовірності випромінювання та поглинання плазмових коливань зарядженою часткою, визначено умови, за яких процеси випромінювання плазмонів превалюють над процесами їх поглинання. The interaction of an electron with plasmons in the structure semiconductor-dielectric-semiconductor is investigated. The probabilities of radiation and absorption of plasmons by the electron which passes through the boundary of media taking into account the influence of the potential barrier are found. The conditions when processes of emission prevail over processes of absorption are obtained. ru Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України Радіофізика та електроніка Радиофизика твердого тела и плазмы Рассеяние электрона на плазменных колебаниях в структуре полупроводник-диэлектрик-полупроводник Розсіяння електрона на плазмових коливаннях у структурі напівпровідник-діелектрик-напівпровідник Scattering of electrons on plasma oscillations in the structure of semiconductor-dielectric-semiconcuctor Article published earlier |
| spellingShingle | Рассеяние электрона на плазменных колебаниях в структуре полупроводник-диэлектрик-полупроводник Белецкий, Н.Н. Ханкина, С.И. Яковенко, В.М. Яковенко, И.В. Радиофизика твердого тела и плазмы |
| title | Рассеяние электрона на плазменных колебаниях в структуре полупроводник-диэлектрик-полупроводник |
| title_alt | Розсіяння електрона на плазмових коливаннях у структурі напівпровідник-діелектрик-напівпровідник Scattering of electrons on plasma oscillations in the structure of semiconductor-dielectric-semiconcuctor |
| title_full | Рассеяние электрона на плазменных колебаниях в структуре полупроводник-диэлектрик-полупроводник |
| title_fullStr | Рассеяние электрона на плазменных колебаниях в структуре полупроводник-диэлектрик-полупроводник |
| title_full_unstemmed | Рассеяние электрона на плазменных колебаниях в структуре полупроводник-диэлектрик-полупроводник |
| title_short | Рассеяние электрона на плазменных колебаниях в структуре полупроводник-диэлектрик-полупроводник |
| title_sort | рассеяние электрона на плазменных колебаниях в структуре полупроводник-диэлектрик-полупроводник |
| topic | Радиофизика твердого тела и плазмы |
| topic_facet | Радиофизика твердого тела и плазмы |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/105801 |
| work_keys_str_mv | AT beleckiinn rasseânieélektronanaplazmennyhkolebaniâhvstrukturepoluprovodnikdiélektrikpoluprovodnik AT hankinasi rasseânieélektronanaplazmennyhkolebaniâhvstrukturepoluprovodnikdiélektrikpoluprovodnik AT âkovenkovm rasseânieélektronanaplazmennyhkolebaniâhvstrukturepoluprovodnikdiélektrikpoluprovodnik AT âkovenkoiv rasseânieélektronanaplazmennyhkolebaniâhvstrukturepoluprovodnikdiélektrikpoluprovodnik AT beleckiinn rozsíânnâelektronanaplazmovihkolivannâhustrukturínapívprovídnikdíelektriknapívprovídnik AT hankinasi rozsíânnâelektronanaplazmovihkolivannâhustrukturínapívprovídnikdíelektriknapívprovídnik AT âkovenkovm rozsíânnâelektronanaplazmovihkolivannâhustrukturínapívprovídnikdíelektriknapívprovídnik AT âkovenkoiv rozsíânnâelektronanaplazmovihkolivannâhustrukturínapívprovídnikdíelektriknapívprovídnik AT beleckiinn scatteringofelectronsonplasmaoscillationsinthestructureofsemiconductordielectricsemiconcuctor AT hankinasi scatteringofelectronsonplasmaoscillationsinthestructureofsemiconductordielectricsemiconcuctor AT âkovenkovm scatteringofelectronsonplasmaoscillationsinthestructureofsemiconductordielectricsemiconcuctor AT âkovenkoiv scatteringofelectronsonplasmaoscillationsinthestructureofsemiconductordielectricsemiconcuctor |