Гигантское магнитосопротивление двухбарьерных магнитных туннельных переходов

• Published in: Радіофізика та електроніка
• Date: 2010
• Main Authors: Белецкий, Н.Н., Борисенко, С.А.
• Format: Article
• Language: Russian
• Published: Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України 2010
• Subjects: Радиофизика твердого тела и плазмы
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/105802
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Гигантское магнитосопротивление двухбарьерных магнитных туннельных переходов / Н.Н. Белецкий, С.А. Борисенко // Радіофізика та електроніка. — 2010. — Т. 15, № 2. — С. 83-86. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.

Теоретически исследовано гигантское туннельное магнитосопротивление двухбарьерных магнитных туннельных переходов (ДМТП). За основу был взята двухзонная модель спин-поляризованных электронов в ферромагнитных электродах (ФЭ) магнитных туннельных переходов. В рамках этой модели в ФЭ имеются две группы электронов с различным направлением спина. Показано, что в ДМТП туннельное магнитосопротивление может приближаться к 100 %. Теоретично досліджено гігантський тунельний магнітоопір двобар’єрних магнітних тунельних переходів (ДМТП). За основу бралася двозонна модель спін-залежних електронів у феромагнітних електродах (ФЕ) магнітних тунельних переходів. У межах цієї моделі у ФЕ є дві групи електронів з різним напрямом спінів. Показано, що в ДМТП тунельний магнітоопір може наближатися до 100 %. Giant magnetoresistance of two-barrier magnetic tunnel junctions (TMTJ) has been investigated theoretically. The TMTJ are investigated within the spin-polarized two-zone model of free electrons in ferromagnetic electrodes (FE). It is shown that the tunnel magnetoresistance of the DTMJ can reach 100 %.