Гигантское магнитосопротивление двухбарьерных магнитных туннельных переходов
Теоретически исследовано гигантское туннельное магнитосопротивление двухбарьерных магнитных туннельных переходов (ДМТП). За основу был взята двухзонная модель спин-поляризованных электронов в ферромагнитных электродах (ФЭ) магнитных туннельных переходов. В рамках этой модели в ФЭ имеются две группы...
Saved in:
| Published in: | Радіофізика та електроніка |
|---|---|
| Date: | 2010 |
| Main Authors: | , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України
2010
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/105802 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Гигантское магнитосопротивление двухбарьерных магнитных туннельных переходов / Н.Н. Белецкий, С.А. Борисенко // Радіофізика та електроніка. — 2010. — Т. 15, № 2. — С. 83-86. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1859460685159727104 |
|---|---|
| author | Белецкий, Н.Н. Борисенко, С.А. |
| author_facet | Белецкий, Н.Н. Борисенко, С.А. |
| citation_txt | Гигантское магнитосопротивление двухбарьерных магнитных туннельных переходов / Н.Н. Белецкий, С.А. Борисенко // Радіофізика та електроніка. — 2010. — Т. 15, № 2. — С. 83-86. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Радіофізика та електроніка |
| description | Теоретически исследовано гигантское туннельное магнитосопротивление двухбарьерных магнитных туннельных переходов (ДМТП). За основу был взята двухзонная модель спин-поляризованных электронов в ферромагнитных электродах (ФЭ) магнитных туннельных переходов. В рамках этой модели в ФЭ имеются две группы электронов с различным направлением спина. Показано, что в ДМТП туннельное магнитосопротивление может приближаться к 100 %.
Теоретично досліджено гігантський тунельний магнітоопір двобар’єрних магнітних тунельних переходів (ДМТП). За основу бралася двозонна модель спін-залежних електронів у феромагнітних електродах (ФЕ) магнітних тунельних переходів. У межах цієї моделі у ФЕ є дві групи електронів з різним напрямом спінів. Показано, що в ДМТП тунельний магнітоопір може наближатися до 100 %.
Giant magnetoresistance of two-barrier magnetic tunnel junctions (TMTJ) has been investigated theoretically. The TMTJ are investigated within the spin-polarized two-zone model of free electrons in ferromagnetic electrodes (FE). It is shown that the tunnel magnetoresistance of the DTMJ can reach 100 %.
|
| first_indexed | 2025-11-24T02:15:23Z |
| format | Article |
| fulltext |
__________
ISSN 1028–821X Радиофизика и электроника, 2010, том 15, № 2, с. 83–86 © ИРЭ НАН Украины, 2010
УДК 537.611:537.312.8
ГИГАНТСКОЕ МАГНИТОСОПРОТИВЛЕНИЕ
ДВУХБАРЬЕРНЫХ МАГНИТНЫХ ТУННЕЛЬНЫХ ПЕРЕХОДОВ
Н. Н. Белецкий, С. А. Борисенко
Институт радиофизики и электроники им. А. Я. Усикова НАН Украины
12, ул. Ак. Проскуры, Харьков, 61085, Украина
E-mail: beletski@ire.kharkov.ua
Теоретически исследовано гигантское туннельное магнитосопротивление двухбарьерных магнитных туннельных пере-
ходов (ДМТП). За основу был взята двухзонная модель спин-поляризованных электронов в ферромагнитных электродах (ФЭ) маг-
нитных туннельных переходов. В рамках этой модели в ФЭ имеются две группы электронов с различным направлением спина.
Показано, что в ДМТП туннельное магнитосопротивление может приближаться к 100 %. Ил. 3. Библиогр.: 7 назв.
Ключевые слова: туннельное магнитосопротивление, двухбарьерный магнитный туннельный переход.
Магнитные туннельные переходы (МТП)
обладают большим значением туннельного маг-
нитосопротивления [1–6]. Благодаря этому обсто-
ятельству МТП широко используются для созда-
ния магнитной оперативной памяти и разновид-
ностей магнитных датчиков и сенсоров. Вместе с
тем увеличение величины туннельного магнито-
сопротивления остается актуальной и важной
задачей с точки зрения улучшения характеристик
спинтронных приборов.
В настоящей статье теоретически иссле-
довано гигантское туннельное магнитосопротив-
ление двухбарьерных магнитных туннельных
переходов (ДМТП). Предполагалось, что эмиттер
и коллектор ДМТП являются ферромагнетиками,
в то время как два барьера и средняя область
ДМТП состоят из диэлектриков. За основу была
взята двухзонная модель спин-поляризованных
электронов в ферромагнитных областях МТП.
В рамках этой модели предполагается, что в фер-
ромагнитных областях имеются две группы элект-
ронов с различным направлением спина. В работе
показано, что величину туннельного магнитосо-
противления можно существенно увеличить, если
использовать ДМТП. Это связано с тем, что в двух-
барьерных наноструктурах присутствует эффект
резонансного прохождения электронов. Этот эф-
фект зависит от формы потенциального профиля,
в котором движутся электроны. В ДМТП форма
потенциального профиля зависит от взаимной
ориентации намагниченностей ферромагнитных
областей. Это приводит к тому, что эффект резо-
нансного прохождения электронов будет суще-
ствовать лишь для определенной ориентации
намагниченностей (параллельной или антипарал-
лельной) ферромагнитных областей.
Мы показали, что в ДМТП туннельное
магнитосопротивление существенно превосходит
туннельное магнитосопротивление однобарьер-
ных МТП. При оптимальном выборе параметров
ДМТП туннельное магнитосопротивление может
достигать 100 %.
Отметим, что в работе [6], в отличие от
нашей работы, рассмотрены ДМТП с ферромаг-
нитным средним слоем. Кроме того, в ней приве-
дены численные расчеты величины туннельного
магнитосопротивления лишь для конкретного
типа ДМТП с фиксированным набором толщин
слоев. В нашей работе приведено детальное ис-
следование зависимости туннельного магнито-
сопротивления ДМТП как от высоты и ширины
потенциальных барьеров, так и от глубины и ши-
рины потенциальной ямы.
1. Постановка задачи. Рассмотрим ДМТП,
состоящий из левого ферромагнитного электрода
(ФЭ) ( 0z ), правого ФЭ ( 321 dddz ), двух
потенциальных барьеров с толщинами 1d и ,3d а
также потенциальной ямы толщиной .2d Высоты
потенциальных барьеров считаются одинаковыми
и равными .BU Глубина потенциальной ямы рав-
на .WU К ДМТП приложено постоянное напря-
жение смещения .aV
Мы будем использовать двухзонную
модель свободных электронов, в рамках которой
две спин-расщепленные электронные зоны в ФЭ
являются параболическими. Величины элек-
тронных масс m в ФЭ и в диэлектриках будем
считать одинаковыми. Ограничимся рассмотре-
нием случая, когда направления намагниченно-
стей двух ФЭ или параллельны, или антипарал-
лельны. Направление спина электронов в левом
ФЭ мы будем характеризовать спиновым индек-
сом Паули ,L а в правом ФЭ – спиновым ин-
дексом Паули .R Эти индексы принимают два
значения ,1, RL соответствующие ориента-
ции спина электрона вдоль (знак «+» или ↑) или
против (знак «» или ↓) направления намагничи-
вания ФЭ.
mailto:beletski@ire.kharkov.ua
Н. Н. Белецкий, С. А. Борисенко / Гигантское магнитосопротивление двухбарьерных…
_________________________________________________________________________________________________________________
84
Энергию электронов с определенным
направлением спина будем отсчитывать от дна
соответствующей спиновой зоны в левом ФЭ.
Тогда высота потенциальных барьеров и глуби-
на потенциальной ямы будут зависеть от
направления спина электронов в левом ФЭ:
LBB UU
L
и . LWW UU
L
Здесь –
полуширина обменного расщепления двух спи-
новых зон.
Мы предполагаем, что в левом ФЭ элект-
роны с 1L имеют большую энергию Ферми
( ,
F
E – электрохимический потенци-
ал), чем электроны с 1L (
F
E ). В
результате ,
FF
kk где /2
,,
FF
mEk –
фермиевский импульс электронов. Электроны с
,1L имеющие больший фермиевский им-
пульс, будем называть электронами основной по-
ляризации, а электроны с 1L – электронами
неосновной поляризации. В дальнейшем пред-
полагаем, что намагниченность изменяет свою
ориентацию лишь в правом ФЭ.
В качестве ферромагнитного металла мы
будем рассматривать железо (Fe), для которого
09,1
F
k Å
–1
, 42,0
F
k Å
–1
[7]. Используя эти
численные значения, находим: 2,6 эВ,
93,1 эВ, 53,4
F
E эВ, 67,0
F
E эВ.
Высоты потенциальных барьеров BU и
глубину потенциальной ямы WU охарактеризуем
безразмерными параметрами
FBB EUu /)(
и ./)(
FWW EUu
На рис. 1 представлен потенциальный
профиль ДМТП при 5,0aV В, ,1,0Bu ,0Wu
5,031 dd нм, 0,22 d нм для параллельной
(рис. 1, a) и антипараллельной (рис. 1, б) ориен-
таций намагниченностей ФЭ. Сплошные и штри-
ховые линии соответствуют потенциальному
профилю ДМТП для электронов основной и не-
основной поляризаций соответственно. Двумя
стрелками обозначены взаимные ориентации
спина электрона и намагниченностей ФЭ: первая
стрелка соответствует ориентации спина элект-
рона относительно ориентации намагниченности
левого ФЭ, а вторая стрелка – ориентации спина
электрона относительно ориентации намагничен-
ности правого ФЭ.
Из рис. 1 видно, что электроны с различ-
ным направлением спина движутся в различном
потенциальном поле. Это означает, что коэффи-
циент прохождения электронов
RL
T через
ДМТП является спин-зависимым.
Для определения коэффициента прохож-
дения электронов через
RL
T была использована
методика, изложенная в работах [1–3].
d
3
d
2d
1
а)
б)
Рис. 1. Потенциальный профиль ДМТП
Зная коэффициент прохождения электро-
нов, мы можем найти парциальные плотности
тока
RL
J через ДМТП, создаваемые электро-
нами основной и неосновной поляризации:
.
/exp1
/exp1
ln
2
0
32
dE
kTeVEE
kTEE
T
emkT
J
aF
F
L
L
RLRL
(1)
Здесь k – постоянная Больцмана; Т – тем-
пература.
В дальнейшем при численном вычисле-
нии парциальных плотностей электронного тока
по формуле (1) мы считали, что Т = 300 K.
Магнитосопротивление TMR ДМТП вы-
числялось по следующей формуле:
,
P
APP
J
JJ
TMR
(2)
5
4
3
2
1
0
–1
2
1
0
–1
–2
–3
–4
–5
Э
н
ер
ги
я
,
эБ
Э
н
ер
ги
я
,
эБ
z, нм
z, нм
–2 –1 0 1 2 3 4 5
–2 –1 0 1 2 3 4 5
F
E
F
E
Н. Н. Белецкий, С. А. Борисенко / Гигантское магнитосопротивление двухбарьерных…
_________________________________________________________________________________________________________________
85
где
JJJP и
JJJ AP – плотно-
сти электронных токов через ДМТП для парал-
лельной и антипараллельной ориентаций намагни-
ченностей ФЭ соответственно.
2. Численные расчеты и обсуждение
результатов. Рассмотрим зависимость туннель-
ного магнитосопротивления ДМТП от напряже-
ния смещения. На рис. 2 изображены зависимости
TMR(Va) при ,2,0Bu 21 dd 5,03 d нм для
различных значений безразмерной глубины по-
тенциальной ямы Wu ДМТП. Числа возле кривых
соответствуют рассмотренным значениям без-
размерных глубин Wu : 1 – ;8,0Wu 2 –
;85,0Wu 3 – ;86,0Wu 4 – ;87,0Wu 5 –
;9,0Wu 6 – ;1,1Wu 7 – ;2,1Wu 8 –
;3,1Wu 9 – ;4,1Wu 10 – .5,1Wu Для
того чтобы подчеркнуть характерные особен-
ности рассматриваемых зависимостей, мы выбра-
ли диапазон изменения безразмерных глубин по-
тенциальной ямы от 8,0Wu до .5,1Wu
Из рис. 2 видно, что характер зависимос-
ти TMR(Va) зависит от глубины потенциальной
ямы Wu . При 8,0Wu величина TMR мала и
резко уменьшается с увеличением напряжения
смещения Va. По мере увеличения глубины по-
тенциальной ямы величина TMR возрастает, и
при 85,0Wu она достигает практически 100 %
значения при малых напряжения смещения Va.
Рис. 2. Зависимость TMR(Va) для различных глубин потенци-
альной ямы ДМТП
При дальнейшем увеличении глубины
потенциальной ямы диапазон значений Va, в ко-
тором TMR принимает 100 % значения, возраста-
ет. Наконец, при 1,1Wu величина максималь-
ного значения TMR практически не зависит от Va.
Дальнейшее увеличение глубины потен-
циальной ямы приводит к уменьшению величины
TMR. Кроме того, опять наблюдается резкое
уменьшение TMR с увеличением Va. Так, напри-
мер, при 5,1Wu величина TMR мала и резко
уменьшается с увеличением Va.
Таким образом, имеется оптимальное
значение глубины потенциальной ямы, при кото-
рой TMR достигает 100 % значения, и это значе-
ние практически не зависит от Va.
Физический механизм возникновения
эффекта гигантского туннельного магнитосопро-
тивления в ДМТП заключается в следующем.
Коэффициент прохождения электронов через
ДМТП имеет экстремальное значение, когда
энергия электронов совпадает с уровнем энергии
электронов в квантовой яме. С увеличением глу-
бины потенциальной ямы уровни энергии элект-
ронов в ней смещаются в сторону меньших зна-
чений. При этом уровни энергии электронов в
потенциальной яме могут пересекать уровень
энергии, соответствующий дну зоны проводимо-
сти левого или правого ФЭ. Момент пересечения
указанных уровней энергии соответствует закры-
тию одного из каналов прохождения электронов
через ДМТП. Так как коэффициент прохождения
электронов имеет спин-зависимый характер, то
закрытие одного из каналов прохождения элект-
ронов через ДМТП будет иметь место лишь для
одного из двух возможных направлений намагни-
чивания ФЭ. Параметры ДМТП можно подобрать
таким образом, что закрытие канала прохождения
электронов приводит к резкому уменьшению
плотности тока. Это обстоятельство и обусловли-
вает эффект гигантского туннельного магнито-
сопротивления в ДМТП.
На рис. 3 изображено влияние глубины
потенциальной ямы Wu на положение экстрему-
мов (левая ось ординат, сплошные линии) и экст-
ремальные значения коэффициентов прохожде-
ния электронов (правая ось ординат, штрихо-
вые линии) при ,2,0Bu 5,0321 ddd нм,
Va 0,5 В для электронов основной (рис. 3, а) и
неосновной (рис. 3, б) поляризаций. Из рис. 3
видно, что экстремумы коэффициентов прохож-
дения электронов (они совпадают с уровнями
энергии электронов в потенциальной яме) сме-
щаются в сторону меньших значений. Уровень
энергии aR VE 2 соответствует дну зоны
проводимости правого ФЭ для электронов основ-
ной поляризации при антипараллельной ориента-
ции ФЭ. Если положение экстремума коэффици-
ента прохождения электронов основной поляри-
зации совпадает с ,RE то 0
T (рис. 3, а). В то
же время коэффициент прохождения электронов
основной поляризации при параллельной ориен-
тации ФЭ отличен от нуля ( 0
T ). Эта тенден-
ция имеет место в нескольких интервалах значе-
ний Wu . Существенное различие в коэффициен-
тах прохождения электронов основной поляриза-
1,0
0,9
0,8
0,7
0,6
0,5
0,4
0,3
0,2
0,1
0,0
–0,1
T
M
R
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0
5 Va, В
1
2
3
10
4
5
9
8 7
6
Н. Н. Белецкий, С. А. Борисенко / Гигантское магнитосопротивление двухбарьерных…
_________________________________________________________________________________________________________________
86
ции при различных ориентациях намагниченно-
стей ФЭ приводит к эффекту гигантского тун-
нельного магнитосопротивления. Электроны не-
основной поляризации, как следует из рис. 3, б,
имеют приблизительно одинаковую зависимость
коэффициента прохождения от Wu и практически
не оказывают влияния на величину туннельного
магнитосопротивления. Таким образом, эффект
гигантского туннельного магнитосопротивления
связан с особенностями прохождения электронов
основной поляризации через ДМТП.
0,0 -0,5 -1,0 -1,5 -2,0
0
1
2
3
4
5
0,0
0,2
0,4
0,6
0,8
1,0
E
,
э
В
uw
EF
ER
T
а)
0,0 -0,5 -1,0 -1,5 -2,0
0,0
0,2
0,4
0,6
0,8
1,0
0,0
0,2
0,4
0,6
0,8
1,0
E
,
э
В
uw
EF
T
б)
Рис. 3. Зависимости положений и величин экстремумов коэф-
фициентов прохождения электронов основной (а) и неоснов-
ной (б) поляризаций от глубины потенциальной ямы
Выводы. Туннельное магнитосопротив-
ление ДМТП существенно больше, чем туннель-
ное магнитосопротивление однобарьерных
МТП. При оптимальном выборе параметров
ДМТП туннельное магнитосопротивление может
достигать 100 % значения. Существенно, что
большие значения туннельного магнитосопро-
тивления имеются в широком интервале значе-
ний напряжения смещения Va. Большие значения
туннельного магнитосопротивления связаны с
эффективным подавлением одного из двух спи-
новых каналов прохождения электронов через
ДМТП. Это обстоятельство открывает широкие
перспективы для использования ДМТП в раз-
личных устройствах спиновой наноэлектроники,
таких как магнитная память и наносенсоры.
1. Ryzhii M. Physics and modeling of tera-and nano-devices /
M. Ryzhii, V. Ryzhii. – New Jersey: World Scientific, 2008. –
194 p.
2. Белецкий Н. Н. Магнитосопротивление и спиновая поля-
ризация электронного тока магнитного туннельного пере-
хода / Н. Н. Белецкий, С. А. Борисенко, В. М. Яковенко //
Радиофизика и электрон.: сб. науч. тр. / Ин-т радиофизики
и электрон. НАН Украины. – Х., 2006. – 11, № 1. – С. 87–
95.
3. Magnetoresistance of magnetic tunnel junctions with low
barrier heights / N. N. Beletskii, G. P. Berman, S. A. Borysen-
ko et al. // J. Appl. Phys. – 2007. – 101. – 074305.
4. Abdulkadyrov D. V. Electron Tunneling Through a Non-
Stationary Potential Barrier / D. V. Abdulkadyrov, N. N.
Beletskii // Telecommunications and Radio Engineering. –
2009. – 68, N 11. – P. 983–998.
5. Magnetoresistance in Fe/MgO/Fe magnetic tunnel junctions /
N. N. Beletskii, S. A. Borysenko, V. V. Yakovenko et al. //
Int. J. of High Speed Electronics and Systems. – 2007. – 17,
N 3. – P. 593–598.
6. Spin-polarized tunneling and magnetoresistance in ferromag-
net/insulator(semiconductor) single and double tunnel junc-
tions subjected to an electric field / X. Zhang, B.-Z. Li,
G. Sun, F.-C. Pu // Phys. Rev. B. – 1997. – 56, N 9. –
P. 5484–5488.
7. Slonczewski J. C. Conductance and exchange coupling of two
ferromagnets separated by a tunneling barrier / J. C.
Slonczewski // Phys. Rev. B. – 1989. – 39, N 10. – P. 6995–
7002.
GIANT MAGNETORESISTANCE
OF TWO-BARRIER MAGNETIC
TUNNEL JUNCTIONS
N. N. Beletskii, S. A. Borysenko
Giant magnetoresistance of two-barrier magnetic tunnel
junctions (TMTJ) has been investigated theoretically. The TMTJ
are investigated within the spin-polarized two-zone model of free
electrons in ferromagnetic electrodes (FE). It is shown that the
tunnel magnetoresistance of the DTMJ can reach 100 %.
Key words: tunnel magnetoresistance, two-barrier
magnetic tunnel junctions.
ГІГАНТСЬКИЙ МАГНІТООПІР
ДВОБАР’ЄРНИХ МАГНІТНИХ
ТУНЕЛЬНИХ ПЕРЕХОДІВ
М. М. Білецький, С. А. Борисенко
Теоретично досліджено гігантський тунельний маг-
нітоопір двобар’єрних магнітних тунельних переходів
(ДМТП). За основу бралася двозонна модель спін-залежних
електронів у феромагнітних електродах (ФЕ) магнітних туне-
льних переходів. У межах цієї моделі у ФЕ є дві групи елект-
ронів з різним напрямом спінів. Показано, що в ДМТП туне-
льний магнітоопір може наближатися до 100 %.
Ключові слова: тунельний магнітоопір, дво-
бар’єрний магнітний тунельний перехід.
Рукопись поступила 15 марта 2010 г.
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0
uW
uW
1,0
0,8
0,6
0,4
0,2
0,0
1,0
0,8
0,6
0,4
0,2
0,0
1,0
0,8
0,6
0,4
0,2
0,0
5
4
3
2
1
0
Е
,
эВ
Е
,
эВ
T
T
RE
FE
FE
|
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-105802 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1028-821X |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-11-24T02:15:23Z |
| publishDate | 2010 |
| publisher | Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Белецкий, Н.Н. Борисенко, С.А. 2016-09-10T08:22:00Z 2016-09-10T08:22:00Z 2010 Гигантское магнитосопротивление двухбарьерных магнитных туннельных переходов / Н.Н. Белецкий, С.А. Борисенко // Радіофізика та електроніка. — 2010. — Т. 15, № 2. — С. 83-86. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. 1028-821X https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/105802 537.611:537.312.8 Теоретически исследовано гигантское туннельное магнитосопротивление двухбарьерных магнитных туннельных переходов (ДМТП). За основу был взята двухзонная модель спин-поляризованных электронов в ферромагнитных электродах (ФЭ) магнитных туннельных переходов. В рамках этой модели в ФЭ имеются две группы электронов с различным направлением спина. Показано, что в ДМТП туннельное магнитосопротивление может приближаться к 100 %. Теоретично досліджено гігантський тунельний магнітоопір двобар’єрних магнітних тунельних переходів (ДМТП). За основу бралася двозонна модель спін-залежних електронів у феромагнітних електродах (ФЕ) магнітних тунельних переходів. У межах цієї моделі у ФЕ є дві групи електронів з різним напрямом спінів. Показано, що в ДМТП тунельний магнітоопір може наближатися до 100 %. Giant magnetoresistance of two-barrier magnetic tunnel junctions (TMTJ) has been investigated theoretically. The TMTJ are investigated within the spin-polarized two-zone model of free electrons in ferromagnetic electrodes (FE). It is shown that the tunnel magnetoresistance of the DTMJ can reach 100 %. ru Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України Радіофізика та електроніка Радиофизика твердого тела и плазмы Гигантское магнитосопротивление двухбарьерных магнитных туннельных переходов Гігантський магнітоопір двобар’єрних магнітних тунельних переходів Giant magnetoresistance of two-barrier magnetic tunnel junctions Article published earlier |
| spellingShingle | Гигантское магнитосопротивление двухбарьерных магнитных туннельных переходов Белецкий, Н.Н. Борисенко, С.А. Радиофизика твердого тела и плазмы |
| title | Гигантское магнитосопротивление двухбарьерных магнитных туннельных переходов |
| title_alt | Гігантський магнітоопір двобар’єрних магнітних тунельних переходів Giant magnetoresistance of two-barrier magnetic tunnel junctions |
| title_full | Гигантское магнитосопротивление двухбарьерных магнитных туннельных переходов |
| title_fullStr | Гигантское магнитосопротивление двухбарьерных магнитных туннельных переходов |
| title_full_unstemmed | Гигантское магнитосопротивление двухбарьерных магнитных туннельных переходов |
| title_short | Гигантское магнитосопротивление двухбарьерных магнитных туннельных переходов |
| title_sort | гигантское магнитосопротивление двухбарьерных магнитных туннельных переходов |
| topic | Радиофизика твердого тела и плазмы |
| topic_facet | Радиофизика твердого тела и плазмы |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/105802 |
| work_keys_str_mv | AT beleckiinn gigantskoemagnitosoprotivleniedvuhbarʹernyhmagnitnyhtunnelʹnyhperehodov AT borisenkosa gigantskoemagnitosoprotivleniedvuhbarʹernyhmagnitnyhtunnelʹnyhperehodov AT beleckiinn gígantsʹkiimagnítoopírdvobarêrnihmagnítnihtunelʹnihperehodív AT borisenkosa gígantsʹkiimagnítoopírdvobarêrnihmagnítnihtunelʹnihperehodív AT beleckiinn giantmagnetoresistanceoftwobarriermagnetictunneljunctions AT borisenkosa giantmagnetoresistanceoftwobarriermagnetictunneljunctions |