Отрицательная дифференциальная проводимость полупроводникового диода с туннельными боковыми границами

Отрицательная дифференциальная проводимость полупроводникового диода с туннельными боковыми границами

Рассматриваются диоды, в которых при определенных напряжениях возникает отрицательная дифференциальная проводимость (ОДП) вследствие туннелирования или резонансного туннелирования электронов через боковые грани диода, которая может быть использована для генерации, усиления и умножения. Определяются...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Радіофізика та електроніка
Datum:2010
Hauptverfasser: Прохоров, Э.Д., Боцула, О.В.
Format: Artikel
Sprache:Russian
Veröffentlicht: Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України 2010
Schlagworte:
Вакуумная и твердотельная электроника
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/105806
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Отрицательная дифференциальная проводимость полупроводникового диода с туннельными боковыми границами / Э.Д. Прохоров, О.В. Боцула // Радіофізика та електроніка. — 2010. — Т. 15, № 2. — С. 109-113. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-105806
record_format dspace
spelling Прохоров, Э.Д.
Боцула, О.В.
2016-09-10T08:32:48Z
2016-09-10T08:32:48Z
2010
Отрицательная дифференциальная проводимость полупроводникового диода с туннельными боковыми границами / Э.Д. Прохоров, О.В. Боцула // Радіофізика та електроніка. — 2010. — Т. 15, № 2. — С. 109-113. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.
1028-821X
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/105806
621.382.2
Рассматриваются диоды, в которых при определенных напряжениях возникает отрицательная дифференциальная проводимость (ОДП) вследствие туннелирования или резонансного туннелирования электронов через боковые грани диода, которая может быть использована для генерации, усиления и умножения. Определяются условия реализации ОДП в диодах, токи, протекающие через диод, вольт-амперные характеристики диода, задачи, которые необходимо решить при дальнейших исследованиях диодов с туннельными или резонансно-туннельными боковыми границами. Предлагаются варианты планарных структур и структур типа «сэндвич».
Розглядаються діоди, у яких при певних напругах виникає негативна диференційна провідність (НДП) внаслідок тунелювання або резонансного тунелювання електронів крізь бічні межі діода, яка може бути використана для генерації, підсилення та помноження. Визначено умови реалізації НДП у діодів, струми, що проходять крізь діод, вольт-амперні характеристики діода, задачі, які необхідно розв’язати при подальших дослідженнях діодів з тунельними або резонансно-тунельними бічними межами. Пропонуються варіанти планарних структур і структур типа «сендвіч».
The diode that have negative differential conductivity (NDC) due to tunneling or resonance tunnel electron through lateral facet of the diode is considered. This diodes cab be used for generation, amplifier and frequency multiplication. The arising condition of NDC, current and current-voltage characteristics have been determined. The planar and type of “sandwich” diode structures are conceded.
ru
Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України
Радіофізика та електроніка
Вакуумная и твердотельная электроника
Отрицательная дифференциальная проводимость полупроводникового диода с туннельными боковыми границами
Негативна диференційна провідність напівпровідникового діода з тунельними бічними межами
Negative differential conductivity semicondactors diode with tunnel side borders
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Отрицательная дифференциальная проводимость полупроводникового диода с туннельными боковыми границами
spellingShingle Отрицательная дифференциальная проводимость полупроводникового диода с туннельными боковыми границами
Прохоров, Э.Д.
Боцула, О.В.
Вакуумная и твердотельная электроника
title_short Отрицательная дифференциальная проводимость полупроводникового диода с туннельными боковыми границами
title_full Отрицательная дифференциальная проводимость полупроводникового диода с туннельными боковыми границами
title_fullStr Отрицательная дифференциальная проводимость полупроводникового диода с туннельными боковыми границами
title_full_unstemmed Отрицательная дифференциальная проводимость полупроводникового диода с туннельными боковыми границами
title_sort отрицательная дифференциальная проводимость полупроводникового диода с туннельными боковыми границами
author Прохоров, Э.Д.
Боцула, О.В.
author_facet Прохоров, Э.Д.
Боцула, О.В.
topic Вакуумная и твердотельная электроника
topic_facet Вакуумная и твердотельная электроника
publishDate 2010
language Russian
container_title Радіофізика та електроніка
publisher Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України
format Article
title_alt Негативна диференційна провідність напівпровідникового діода з тунельними бічними межами
Negative differential conductivity semicondactors diode with tunnel side borders
description Рассматриваются диоды, в которых при определенных напряжениях возникает отрицательная дифференциальная проводимость (ОДП) вследствие туннелирования или резонансного туннелирования электронов через боковые грани диода, которая может быть использована для генерации, усиления и умножения. Определяются условия реализации ОДП в диодах, токи, протекающие через диод, вольт-амперные характеристики диода, задачи, которые необходимо решить при дальнейших исследованиях диодов с туннельными или резонансно-туннельными боковыми границами. Предлагаются варианты планарных структур и структур типа «сэндвич». Розглядаються діоди, у яких при певних напругах виникає негативна диференційна провідність (НДП) внаслідок тунелювання або резонансного тунелювання електронів крізь бічні межі діода, яка може бути використана для генерації, підсилення та помноження. Визначено умови реалізації НДП у діодів, струми, що проходять крізь діод, вольт-амперні характеристики діода, задачі, які необхідно розв’язати при подальших дослідженнях діодів з тунельними або резонансно-тунельними бічними межами. Пропонуються варіанти планарних структур і структур типа «сендвіч». The diode that have negative differential conductivity (NDC) due to tunneling or resonance tunnel electron through lateral facet of the diode is considered. This diodes cab be used for generation, amplifier and frequency multiplication. The arising condition of NDC, current and current-voltage characteristics have been determined. The planar and type of “sandwich” diode structures are conceded.
issn 1028-821X
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/105806
citation_txt Отрицательная дифференциальная проводимость полупроводникового диода с туннельными боковыми границами / Э.Д. Прохоров, О.В. Боцула // Радіофізика та електроніка. — 2010. — Т. 15, № 2. — С. 109-113. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT prohorovéd otricatelʹnaâdifferencialʹnaâprovodimostʹpoluprovodnikovogodiodastunnelʹnymibokovymigranicami
AT boculaov otricatelʹnaâdifferencialʹnaâprovodimostʹpoluprovodnikovogodiodastunnelʹnymibokovymigranicami
AT prohorovéd negativnadiferencíinaprovídnístʹnapívprovídnikovogodíodaztunelʹnimibíčnimimežami
AT boculaov negativnadiferencíinaprovídnístʹnapívprovídnikovogodíodaztunelʹnimibíčnimimežami
AT prohorovéd negativedifferentialconductivitysemicondactorsdiodewithtunnelsideborders
AT boculaov negativedifferentialconductivitysemicondactorsdiodewithtunnelsideborders
first_indexed 2025-12-01T11:56:00Z
last_indexed 2025-12-01T11:56:00Z
_version_ 1850860244451721216

Ähnliche Einträge