Отрицательная дифференциальная проводимость полупроводникового диода с туннельными боковыми границами
Рассматриваются диоды, в которых при определенных напряжениях возникает отрицательная дифференциальная проводимость (ОДП) вследствие туннелирования или резонансного туннелирования электронов через боковые грани диода, которая может быть использована для генерации, усиления и умножения. Определяются...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Радіофізика та електроніка |
|---|---|
| Дата: | 2010 |
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України
2010
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/105806 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Отрицательная дифференциальная проводимость полупроводникового диода с туннельными боковыми границами / Э.Д. Прохоров, О.В. Боцула // Радіофізика та електроніка. — 2010. — Т. 15, № 2. — С. 109-113. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862647036661202944 |
|---|---|
| author | Прохоров, Э.Д. Боцула, О.В. |
| author_facet | Прохоров, Э.Д. Боцула, О.В. |
| citation_txt | Отрицательная дифференциальная проводимость полупроводникового диода с туннельными боковыми границами / Э.Д. Прохоров, О.В. Боцула // Радіофізика та електроніка. — 2010. — Т. 15, № 2. — С. 109-113. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Радіофізика та електроніка |
| description | Рассматриваются диоды, в которых при определенных напряжениях возникает отрицательная дифференциальная проводимость (ОДП) вследствие туннелирования или резонансного туннелирования электронов через боковые грани диода, которая может быть использована для генерации, усиления и умножения. Определяются условия реализации ОДП в диодах, токи, протекающие через диод, вольт-амперные характеристики диода, задачи, которые необходимо решить при дальнейших исследованиях диодов с туннельными или резонансно-туннельными боковыми границами. Предлагаются варианты планарных структур и структур типа «сэндвич».
Розглядаються діоди, у яких при певних напругах виникає негативна диференційна провідність (НДП) внаслідок тунелювання або резонансного тунелювання електронів крізь бічні межі діода, яка може бути використана для генерації, підсилення та помноження. Визначено умови реалізації НДП у діодів, струми, що проходять крізь діод, вольт-амперні характеристики діода, задачі, які необхідно розв’язати при подальших дослідженнях діодів з тунельними або резонансно-тунельними бічними межами. Пропонуються варіанти планарних структур і структур типа «сендвіч».
The diode that have negative differential conductivity (NDC) due to tunneling or resonance tunnel electron through lateral facet of the diode is considered. This diodes cab be used for generation, amplifier and frequency multiplication. The arising condition of NDC, current and current-voltage characteristics have been determined. The planar and type of “sandwich” diode structures are conceded.
|
| first_indexed | 2025-12-01T11:56:00Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-105806 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1028-821X |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-01T11:56:00Z |
| publishDate | 2010 |
| publisher | Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Прохоров, Э.Д. Боцула, О.В. 2016-09-10T08:32:48Z 2016-09-10T08:32:48Z 2010 Отрицательная дифференциальная проводимость полупроводникового диода с туннельными боковыми границами / Э.Д. Прохоров, О.В. Боцула // Радіофізика та електроніка. — 2010. — Т. 15, № 2. — С. 109-113. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. 1028-821X https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/105806 621.382.2 Рассматриваются диоды, в которых при определенных напряжениях возникает отрицательная дифференциальная проводимость (ОДП) вследствие туннелирования или резонансного туннелирования электронов через боковые грани диода, которая может быть использована для генерации, усиления и умножения. Определяются условия реализации ОДП в диодах, токи, протекающие через диод, вольт-амперные характеристики диода, задачи, которые необходимо решить при дальнейших исследованиях диодов с туннельными или резонансно-туннельными боковыми границами. Предлагаются варианты планарных структур и структур типа «сэндвич». Розглядаються діоди, у яких при певних напругах виникає негативна диференційна провідність (НДП) внаслідок тунелювання або резонансного тунелювання електронів крізь бічні межі діода, яка може бути використана для генерації, підсилення та помноження. Визначено умови реалізації НДП у діодів, струми, що проходять крізь діод, вольт-амперні характеристики діода, задачі, які необхідно розв’язати при подальших дослідженнях діодів з тунельними або резонансно-тунельними бічними межами. Пропонуються варіанти планарних структур і структур типа «сендвіч». The diode that have negative differential conductivity (NDC) due to tunneling or resonance tunnel electron through lateral facet of the diode is considered. This diodes cab be used for generation, amplifier and frequency multiplication. The arising condition of NDC, current and current-voltage characteristics have been determined. The planar and type of “sandwich” diode structures are conceded. ru Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України Радіофізика та електроніка Вакуумная и твердотельная электроника Отрицательная дифференциальная проводимость полупроводникового диода с туннельными боковыми границами Негативна диференційна провідність напівпровідникового діода з тунельними бічними межами Negative differential conductivity semicondactors diode with tunnel side borders Article published earlier |
| spellingShingle | Отрицательная дифференциальная проводимость полупроводникового диода с туннельными боковыми границами Прохоров, Э.Д. Боцула, О.В. Вакуумная и твердотельная электроника |
| title | Отрицательная дифференциальная проводимость полупроводникового диода с туннельными боковыми границами |
| title_alt | Негативна диференційна провідність напівпровідникового діода з тунельними бічними межами Negative differential conductivity semicondactors diode with tunnel side borders |
| title_full | Отрицательная дифференциальная проводимость полупроводникового диода с туннельными боковыми границами |
| title_fullStr | Отрицательная дифференциальная проводимость полупроводникового диода с туннельными боковыми границами |
| title_full_unstemmed | Отрицательная дифференциальная проводимость полупроводникового диода с туннельными боковыми границами |
| title_short | Отрицательная дифференциальная проводимость полупроводникового диода с туннельными боковыми границами |
| title_sort | отрицательная дифференциальная проводимость полупроводникового диода с туннельными боковыми границами |
| topic | Вакуумная и твердотельная электроника |
| topic_facet | Вакуумная и твердотельная электроника |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/105806 |
| work_keys_str_mv | AT prohorovéd otricatelʹnaâdifferencialʹnaâprovodimostʹpoluprovodnikovogodiodastunnelʹnymibokovymigranicami AT boculaov otricatelʹnaâdifferencialʹnaâprovodimostʹpoluprovodnikovogodiodastunnelʹnymibokovymigranicami AT prohorovéd negativnadiferencíinaprovídnístʹnapívprovídnikovogodíodaztunelʹnimibíčnimimežami AT boculaov negativnadiferencíinaprovídnístʹnapívprovídnikovogodíodaztunelʹnimibíčnimimežami AT prohorovéd negativedifferentialconductivitysemicondactorsdiodewithtunnelsideborders AT boculaov negativedifferentialconductivitysemicondactorsdiodewithtunnelsideborders |