Отрицательная дифференциальная проводимость полупроводникового диода с туннельными боковыми границами
Рассматриваются диоды, в которых при определенных напряжениях возникает отрицательная дифференциальная проводимость (ОДП) вследствие туннелирования или резонансного туннелирования электронов через боковые грани диода, которая может быть использована для генерации, усиления и умножения. Определяются...
Saved in:
| Published in: | Радіофізика та електроніка |
|---|---|
| Date: | 2010 |
| Main Authors: | , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України
2010
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/105806 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Отрицательная дифференциальная проводимость полупроводникового диода с туннельными боковыми границами / Э.Д. Прохоров, О.В. Боцула // Радіофізика та електроніка. — 2010. — Т. 15, № 2. — С. 109-113. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |