Отрицательная дифференциальная проводимость полупроводникового диода с туннельными боковыми границами

Рассматриваются диоды, в которых при определенных напряжениях возникает отрицательная дифференциальная проводимость (ОДП) вследствие туннелирования или резонансного туннелирования электронов через боковые грани диода, которая может быть использована для генерации, усиления и умножения. Определяются...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Радіофізика та електроніка
Datum:2010
Hauptverfasser: Прохоров, Э.Д., Боцула, О.В.
Format: Artikel
Sprache:Russian
Veröffentlicht: Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України 2010
Schlagworte:
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/105806
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Отрицательная дифференциальная проводимость полупроводникового диода с туннельными боковыми границами / Э.Д. Прохоров, О.В. Боцула // Радіофізика та електроніка. — 2010. — Т. 15, № 2. — С. 109-113. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine