Туннелирование электронов через нестационарный потенциальный барьер

• Datum: 2008
• Hauptverfasser: Абдулкадыров, Д.В., Белецкий, Н.Н.
• Format: Artikel
• Sprache: Russisch
• Veröffentlicht: Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України 2008
• Schlagworte: Радиофизика твердого тела и плазмы
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/10581
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Туннелирование электронов через нестационарный потенциальный барьер / Д.В. Абдулкадыров, Н.Н. Белецкий // Радіофізика та електроніка. — 2008. — Т. 13, № 2. — С. 218-226. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.

Исследовано туннелирование электронов через нестационарный туннельный барьер в приближении малой амплитуды
 переменного электрического поля. Определены условия применимости режима одноквантовых электронных переходов через нестационарный потенциальный барьер. Рассмотрена зависимость плотности высокочастотного электронного тока через барьер от
 частоты и приложенного постоянного напряжения смещения. Показано, что активная часть плотности высокочастотного электронного тока может быть отрицательной при надбарьерном прохождении электронов через барьер. Досліджено тунелювання електронів крізь нестаціонарний тунельний бар’єр у наближенні малої амплітуди змінного електричного поля. Визначені умови застосування режиму одноквантових електронних переходів крізь нестаціонарний потенціальний бар’єр. Досліджена залежність щільності високочастотного електронного струму крізь бар’єр від частоти і прикладеної сталої напруги зміщення. Показано, що активна частина щільності високочастотного електронного струму може бути негативною при надбар’єрному проходженні електронів крізь бар’єр. Tunneling electrons through a non-stationary tunnel barrier in approximation of small amplitude of a variable electric field is investigated. Conditions of applicability of a mode of onequantum electronic transitions through a nonstationary potential barrier are determined. Dependence of density of a high-frequency electronic current through a barrier from frequency and the enclosed constant bias voltage of displacement is considered. It is shown, that the active part of density of a highfrequency electronic current can be negative at the abovebarrieric passage electrons through a barrier.