Туннелирование электронов через нестационарный потенциальный барьер
Исследовано туннелирование электронов через нестационарный туннельный барьер в приближении малой амплитуды переменного электрического поля. Определены условия применимости режима одноквантовых электронных переходов через нестационарный потенциальный барьер. Рассмотрена зависимость плотности высокоч...
Saved in:
| Date: | 2008 |
|---|---|
| Main Authors: | , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України
2008
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/10581 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Туннелирование электронов через нестационарный потенциальный барьер / Д.В. Абдулкадыров, Н.Н. Белецкий // Радіофізика та електроніка. — 2008. — Т. 13, № 2. — С. 218-226. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-10581 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Абдулкадыров, Д.В. Белецкий, Н.Н. 2010-08-04T09:49:06Z 2010-08-04T09:49:06Z 2008 Туннелирование электронов через нестационарный потенциальный барьер / Д.В. Абдулкадыров, Н.Н. Белецкий // Радіофізика та електроніка. — 2008. — Т. 13, № 2. — С. 218-226. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. 1028-821X https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/10581 537.86 Исследовано туннелирование электронов через нестационарный туннельный барьер в приближении малой амплитуды переменного электрического поля. Определены условия применимости режима одноквантовых электронных переходов через нестационарный потенциальный барьер. Рассмотрена зависимость плотности высокочастотного электронного тока через барьер от частоты и приложенного постоянного напряжения смещения. Показано, что активная часть плотности высокочастотного электронного тока может быть отрицательной при надбарьерном прохождении электронов через барьер. Досліджено тунелювання електронів крізь нестаціонарний тунельний бар’єр у наближенні малої амплітуди змінного електричного поля. Визначені умови застосування режиму одноквантових електронних переходів крізь нестаціонарний потенціальний бар’єр. Досліджена залежність щільності високочастотного електронного струму крізь бар’єр від частоти і прикладеної сталої напруги зміщення. Показано, що активна частина щільності високочастотного електронного струму може бути негативною при надбар’єрному проходженні електронів крізь бар’єр. Tunneling electrons through a non-stationary tunnel barrier in approximation of small amplitude of a variable electric field is investigated. Conditions of applicability of a mode of onequantum electronic transitions through a nonstationary potential barrier are determined. Dependence of density of a high-frequency electronic current through a barrier from frequency and the enclosed constant bias voltage of displacement is considered. It is shown, that the active part of density of a highfrequency electronic current can be negative at the abovebarrieric passage electrons through a barrier. ru Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України Радиофизика твердого тела и плазмы Туннелирование электронов через нестационарный потенциальный барьер Тунелювання електронів крізь нестаціонарний потенціальний бар’єр Tunneling electrons through the non-stationary potential barrier Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Туннелирование электронов через нестационарный потенциальный барьер |
| spellingShingle |
Туннелирование электронов через нестационарный потенциальный барьер Абдулкадыров, Д.В. Белецкий, Н.Н. Радиофизика твердого тела и плазмы |
| title_short |
Туннелирование электронов через нестационарный потенциальный барьер |
| title_full |
Туннелирование электронов через нестационарный потенциальный барьер |
| title_fullStr |
Туннелирование электронов через нестационарный потенциальный барьер |
| title_full_unstemmed |
Туннелирование электронов через нестационарный потенциальный барьер |
| title_sort |
туннелирование электронов через нестационарный потенциальный барьер |
| author |
Абдулкадыров, Д.В. Белецкий, Н.Н. |
| author_facet |
Абдулкадыров, Д.В. Белецкий, Н.Н. |
| topic |
Радиофизика твердого тела и плазмы |
| topic_facet |
Радиофизика твердого тела и плазмы |
| publishDate |
2008 |
| language |
Russian |
| publisher |
Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Тунелювання електронів крізь нестаціонарний потенціальний бар’єр Tunneling electrons through the non-stationary potential barrier |
| description |
Исследовано туннелирование электронов через нестационарный туннельный барьер в приближении малой амплитуды
переменного электрического поля. Определены условия применимости режима одноквантовых электронных переходов через нестационарный потенциальный барьер. Рассмотрена зависимость плотности высокочастотного электронного тока через барьер от
частоты и приложенного постоянного напряжения смещения. Показано, что активная часть плотности высокочастотного электронного тока может быть отрицательной при надбарьерном прохождении электронов через барьер.
Досліджено тунелювання електронів крізь нестаціонарний тунельний бар’єр у наближенні малої амплітуди змінного електричного поля. Визначені умови застосування режиму одноквантових електронних переходів крізь нестаціонарний потенціальний бар’єр. Досліджена залежність щільності високочастотного електронного струму крізь бар’єр від частоти і прикладеної сталої напруги зміщення. Показано, що активна частина щільності високочастотного електронного струму може бути негативною при надбар’єрному проходженні електронів крізь бар’єр.
Tunneling electrons through a non-stationary tunnel barrier in approximation of small amplitude of a variable electric field is investigated. Conditions of applicability of a mode of onequantum electronic transitions through a nonstationary potential barrier are determined. Dependence of density of a high-frequency electronic current through a barrier from frequency and the enclosed constant bias voltage of displacement is considered. It is shown, that the active part of density of a highfrequency electronic current can be negative at the abovebarrieric passage electrons through a barrier.
|
| issn |
1028-821X |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/10581 |
| citation_txt |
Туннелирование электронов через нестационарный потенциальный барьер / Д.В. Абдулкадыров, Н.Н. Белецкий // Радіофізика та електроніка. — 2008. — Т. 13, № 2. — С. 218-226. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT abdulkadyrovdv tunnelirovanieélektronovčereznestacionarnyipotencialʹnyibarʹer AT beleckiinn tunnelirovanieélektronovčereznestacionarnyipotencialʹnyibarʹer AT abdulkadyrovdv tunelûvannâelektronívkrízʹnestacíonarniipotencíalʹniibarêr AT beleckiinn tunelûvannâelektronívkrízʹnestacíonarniipotencíalʹniibarêr AT abdulkadyrovdv tunnelingelectronsthroughthenonstationarypotentialbarrier AT beleckiinn tunnelingelectronsthroughthenonstationarypotentialbarrier |
| first_indexed |
2025-12-07T16:18:36Z |
| last_indexed |
2025-12-07T16:18:36Z |
| _version_ |
1850866995366461440 |