Туннелирование электронов через нестационарный потенциальный барьер
Исследовано туннелирование электронов через нестационарный туннельный барьер в приближении малой амплитуды
 переменного электрического поля. Определены условия применимости режима одноквантовых электронных переходов через нестационарный потенциальный барьер. Рассмотрена зависимость плотности...
Збережено в:
| Дата: | 2008 |
|---|---|
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України
2008
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/10581 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Туннелирование электронов через нестационарный потенциальный барьер / Д.В. Абдулкадыров, Н.Н. Белецкий // Радіофізика та електроніка. — 2008. — Т. 13, № 2. — С. 218-226. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862692450657632256 |
|---|---|
| author | Абдулкадыров, Д.В. Белецкий, Н.Н. |
| author_facet | Абдулкадыров, Д.В. Белецкий, Н.Н. |
| citation_txt | Туннелирование электронов через нестационарный потенциальный барьер / Д.В. Абдулкадыров, Н.Н. Белецкий // Радіофізика та електроніка. — 2008. — Т. 13, № 2. — С. 218-226. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| description | Исследовано туннелирование электронов через нестационарный туннельный барьер в приближении малой амплитуды
переменного электрического поля. Определены условия применимости режима одноквантовых электронных переходов через нестационарный потенциальный барьер. Рассмотрена зависимость плотности высокочастотного электронного тока через барьер от
частоты и приложенного постоянного напряжения смещения. Показано, что активная часть плотности высокочастотного электронного тока может быть отрицательной при надбарьерном прохождении электронов через барьер.
Досліджено тунелювання електронів крізь нестаціонарний тунельний бар’єр у наближенні малої амплітуди змінного електричного поля. Визначені умови застосування режиму одноквантових електронних переходів крізь нестаціонарний потенціальний бар’єр. Досліджена залежність щільності високочастотного електронного струму крізь бар’єр від частоти і прикладеної сталої напруги зміщення. Показано, що активна частина щільності високочастотного електронного струму може бути негативною при надбар’єрному проходженні електронів крізь бар’єр.
Tunneling electrons through a non-stationary tunnel barrier in approximation of small amplitude of a variable electric field is investigated. Conditions of applicability of a mode of onequantum electronic transitions through a nonstationary potential barrier are determined. Dependence of density of a high-frequency electronic current through a barrier from frequency and the enclosed constant bias voltage of displacement is considered. It is shown, that the active part of density of a highfrequency electronic current can be negative at the abovebarrieric passage electrons through a barrier.
|
| first_indexed | 2025-12-07T16:18:36Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-10581 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1028-821X |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T16:18:36Z |
| publishDate | 2008 |
| publisher | Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Абдулкадыров, Д.В. Белецкий, Н.Н. 2010-08-04T09:49:06Z 2010-08-04T09:49:06Z 2008 Туннелирование электронов через нестационарный потенциальный барьер / Д.В. Абдулкадыров, Н.Н. Белецкий // Радіофізика та електроніка. — 2008. — Т. 13, № 2. — С. 218-226. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. 1028-821X https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/10581 537.86 Исследовано туннелирование электронов через нестационарный туннельный барьер в приближении малой амплитуды
 переменного электрического поля. Определены условия применимости режима одноквантовых электронных переходов через нестационарный потенциальный барьер. Рассмотрена зависимость плотности высокочастотного электронного тока через барьер от
 частоты и приложенного постоянного напряжения смещения. Показано, что активная часть плотности высокочастотного электронного тока может быть отрицательной при надбарьерном прохождении электронов через барьер. Досліджено тунелювання електронів крізь нестаціонарний тунельний бар’єр у наближенні малої амплітуди змінного електричного поля. Визначені умови застосування режиму одноквантових електронних переходів крізь нестаціонарний потенціальний бар’єр. Досліджена залежність щільності високочастотного електронного струму крізь бар’єр від частоти і прикладеної сталої напруги зміщення. Показано, що активна частина щільності високочастотного електронного струму може бути негативною при надбар’єрному проходженні електронів крізь бар’єр. Tunneling electrons through a non-stationary tunnel barrier in approximation of small amplitude of a variable electric field is investigated. Conditions of applicability of a mode of onequantum electronic transitions through a nonstationary potential barrier are determined. Dependence of density of a high-frequency electronic current through a barrier from frequency and the enclosed constant bias voltage of displacement is considered. It is shown, that the active part of density of a highfrequency electronic current can be negative at the abovebarrieric passage electrons through a barrier. ru Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України Радиофизика твердого тела и плазмы Туннелирование электронов через нестационарный потенциальный барьер Тунелювання електронів крізь нестаціонарний потенціальний бар’єр Tunneling electrons through the non-stationary potential barrier Article published earlier |
| spellingShingle | Туннелирование электронов через нестационарный потенциальный барьер Абдулкадыров, Д.В. Белецкий, Н.Н. Радиофизика твердого тела и плазмы |
| title | Туннелирование электронов через нестационарный потенциальный барьер |
| title_alt | Тунелювання електронів крізь нестаціонарний потенціальний бар’єр Tunneling electrons through the non-stationary potential barrier |
| title_full | Туннелирование электронов через нестационарный потенциальный барьер |
| title_fullStr | Туннелирование электронов через нестационарный потенциальный барьер |
| title_full_unstemmed | Туннелирование электронов через нестационарный потенциальный барьер |
| title_short | Туннелирование электронов через нестационарный потенциальный барьер |
| title_sort | туннелирование электронов через нестационарный потенциальный барьер |
| topic | Радиофизика твердого тела и плазмы |
| topic_facet | Радиофизика твердого тела и плазмы |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/10581 |
| work_keys_str_mv | AT abdulkadyrovdv tunnelirovanieélektronovčereznestacionarnyipotencialʹnyibarʹer AT beleckiinn tunnelirovanieélektronovčereznestacionarnyipotencialʹnyibarʹer AT abdulkadyrovdv tunelûvannâelektronívkrízʹnestacíonarniipotencíalʹniibarêr AT beleckiinn tunelûvannâelektronívkrízʹnestacíonarniipotencíalʹniibarêr AT abdulkadyrovdv tunnelingelectronsthroughthenonstationarypotentialbarrier AT beleckiinn tunnelingelectronsthroughthenonstationarypotentialbarrier |