Туннелирование электронов через нестационарный потенциальный барьер
Исследовано туннелирование электронов через нестационарный туннельный барьер в приближении малой амплитуды переменного электрического поля. Определены условия применимости режима одноквантовых электронных переходов через нестационарный потенциальный барьер. Рассмотрена зависимость плотности высокоч...
Gespeichert in:
| Datum: | 2008 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України
2008
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/10581 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Туннелирование электронов через нестационарный потенциальный барьер / Д.В. Абдулкадыров, Н.Н. Белецкий // Радіофізика та електроніка. — 2008. — Т. 13, № 2. — С. 218-226. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |