Электродинамическая модель открытого резонатора с диэлектрическим слоем

• Опубліковано в: : Радіофізика та електроніка
• Дата: 2010
• Автор: Попков, А.Ю.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України 2010
• Теми: Электродинамика СВЧ
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/105812
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Электродинамическая модель открытого резонатора с диэлектрическим слоем / А.Ю. Попков // Радіофізика та електроніка. — 2009. — Т. 1(15), № 3. — С. 35-39. — Бібліогр.: 5 назв. — рос.

Построена приближенная математическая модель и теоретически исследован объемный резонатор с диэлектрическим слоем. Такая система при возбуждении в резонансном объеме высокодобротных колебаний эквивалентна полусферическому открытому резонатору с отрезком закороченного сверхразмерного круглого волновода в центре плоского зеркала. Построены зависимости частот собственных колебаний от толщины и диэлектрической проницаемости слоя. Показано, что эти зависимости носят квазипериодический характер. Побудована наближена математична модель і теоретично досліджений об’ємний резонатор з діелектричним шаром. Така система при збудженні в резонансному об’ємі високодобротних коливань еквівалентна півсферичному відкритому резонатору з відрізком закороченого надрозмірного круглого хвилеводу в центрі плоского дзеркала. Побудовано залежності частот власних коливань від товщини та діелектричної проникності шару. Показано, що ці залежності носять квазіперіодичний характер. The work is devoted to constructing an approximate mathematical model and theoretical study of the cavity resonator with a dielectrical layer. Such system supports high-Q axially-symmetrical oscillations. In this case the system is equivalent to a hemispherical open resonator with a segment of one-side shorted oversized circular waveguide. The dependences of the frequency of natural oscillations of the thickness and permittivity of dielectric layer are calculated. It is shown that the dependences have quasiperiodic behaviour.