Влияние диэлектрической релаксации на результаты бесконтактного измерения удельного электросопротивления высокоомных кристаллов CdZnTe

• Опубліковано в: : Радіофізика та електроніка
• Дата: 2010
• Автори: Абашин, С.Л., Комарь, В.К., Наливайко, Д.П., Олейник, С.В., Пузиков, В.М., Ром, М.А., Сулима, С.В., Чугай, О.Н.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України 2010
• Теми: Радиофизика твердого тела и плазмы
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/105818
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Влияние диэлектрической релаксации на результаты бесконтактного измерения удельного электросопротивления высокоомных кристаллов CdZnTe / С.Л. Абашин, В.К. Комарь, Д.П. Наливайко, С.В. Олейник, В.М. Пузиков, М.А. Ром, С.В. Сулима, О.Н. Чугай // Радіофізика та електроніка. — 2009. — Т. 1(15), № 3. — С. 71-77. — Бібліогр.: 17 назв. — рос.

Установлено различие величин удельного электросопротивления ρ кристаллов Сd1–x ZnxTe (х = 0,12…0,16), измеренных в постоянном и переменном электрических полях. Показано, что это различие связано с диссипацией энергии переменного электрического поля, обусловленной диэлектрической релаксацией (ДР). Для оценки вклада ДР в  предложено использовать функцию распределения релаксаторов по частоте, которая может быть найдена из частотной зависимости диэлектрической проницаемости (ДП) кристалла. Встановлено відмінність величин питомого електроопору ρ кристалів Сd1–xZnxTe (х = 0,12…0,16), виміряних в постійному та змінному електричних полях. Показано, що ця відмінність пов’язана з дисипацією енергії змінного електричного поля, яка обумовлена діелектричною релаксацією. Для оцінки внеску діелектричної релаксації в  запропоновано використовувати функцію розподілу релаксаторів за частотою, яку може бути отримано з частотної залежності діелектричної проникності кристала. The difference in values of electric resistivity ρ measured in both stationary and alternating electric fields was established for Сd1–xZnxTe crystals (х = 0,12…0,16). It was shown that this difference is related to energy dissipation of alternating electric field caused by dielectric relaxation (DR). To evaluate the contribution of DR in , it was proposed to employ a relaxation oscillator frequency distribution function, which can be found from the frequency dependence of crystal permittivity.