Влияние диэлектрической релаксации на результаты бесконтактного измерения удельного электросопротивления высокоомных кристаллов CdZnTe

Влияние диэлектрической релаксации на результаты бесконтактного измерения удельного электросопротивления высокоомных кристаллов CdZnTe

Установлено различие величин удельного электросопротивления ρ кристаллов Сd1–x ZnxTe (х = 0,12…0,16), измеренных в постоянном и переменном электрических полях. Показано, что это различие связано с диссипацией энергии переменного электрического поля, обусловленной диэлектрической релаксацией (ДР). Дл...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Радіофізика та електроніка
Datum:2010
Hauptverfasser: Абашин, С.Л., Комарь, В.К., Наливайко, Д.П., Олейник, С.В., Пузиков, В.М., Ром, М.А., Сулима, С.В., Чугай, О.Н.
Format: Artikel
Sprache:Russian
Veröffentlicht: Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України 2010
Schlagworte:
Радиофизика твердого тела и плазмы
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/105818
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Влияние диэлектрической релаксации на результаты бесконтактного измерения удельного электросопротивления высокоомных кристаллов CdZnTe / С.Л. Абашин, В.К. Комарь, Д.П. Наливайко, С.В. Олейник, В.М. Пузиков, М.А. Ром, С.В. Сулима, О.Н. Чугай // Радіофізика та електроніка. — 2009. — Т. 1(15), № 3. — С. 71-77. — Бібліогр.: 17 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-105818
record_format dspace
spelling Абашин, С.Л.
Комарь, В.К.
Наливайко, Д.П.
Олейник, С.В.
Пузиков, В.М.
Ром, М.А.
Сулима, С.В.
Чугай, О.Н.
2016-09-10T17:52:09Z
2016-09-10T17:52:09Z
2010
Влияние диэлектрической релаксации на результаты бесконтактного измерения удельного электросопротивления высокоомных кристаллов CdZnTe / С.Л. Абашин, В.К. Комарь, Д.П. Наливайко, С.В. Олейник, В.М. Пузиков, М.А. Ром, С.В. Сулима, О.Н. Чугай // Радіофізика та електроніка. — 2009. — Т. 1(15), № 3. — С. 71-77. — Бібліогр.: 17 назв. — рос.
1028-821X
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/105818
537.226.2/3
Установлено различие величин удельного электросопротивления ρ кристаллов Сd1–x ZnxTe (х = 0,12…0,16), измеренных в постоянном и переменном электрических полях. Показано, что это различие связано с диссипацией энергии переменного электрического поля, обусловленной диэлектрической релаксацией (ДР). Для оценки вклада ДР в  предложено использовать функцию распределения релаксаторов по частоте, которая может быть найдена из частотной зависимости диэлектрической проницаемости (ДП) кристалла.
Встановлено відмінність величин питомого електроопору ρ кристалів Сd1–xZnxTe (х = 0,12…0,16), виміряних в постійному та змінному електричних полях. Показано, що ця відмінність пов’язана з дисипацією енергії змінного електричного поля, яка обумовлена діелектричною релаксацією. Для оцінки внеску діелектричної релаксації в  запропоновано використовувати функцію розподілу релаксаторів за частотою, яку може бути отримано з частотної залежності діелектричної проникності кристала.
The difference in values of electric resistivity ρ measured in both stationary and alternating electric fields was established for Сd1–xZnxTe crystals (х = 0,12…0,16). It was shown that this difference is related to energy dissipation of alternating electric field caused by dielectric relaxation (DR). To evaluate the contribution of DR in , it was proposed to employ a relaxation oscillator frequency distribution function, which can be found from the frequency dependence of crystal permittivity.
ru
Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України
Радіофізика та електроніка
Радиофизика твердого тела и плазмы
Влияние диэлектрической релаксации на результаты бесконтактного измерения удельного электросопротивления высокоомных кристаллов CdZnTe
Вплив діелектричної релаксації на результати безконтактного вимірювання питомого електроопору високоомних кристалів CdZnTe
Influence of dielectric relaxation on the results of contactless resistivity measurement of semiinsulating CdZnTe crystals
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Влияние диэлектрической релаксации на результаты бесконтактного измерения удельного электросопротивления высокоомных кристаллов CdZnTe
spellingShingle Влияние диэлектрической релаксации на результаты бесконтактного измерения удельного электросопротивления высокоомных кристаллов CdZnTe
Абашин, С.Л.
Комарь, В.К.
Наливайко, Д.П.
Олейник, С.В.
Пузиков, В.М.
Ром, М.А.
Сулима, С.В.
Чугай, О.Н.
Радиофизика твердого тела и плазмы
title_short Влияние диэлектрической релаксации на результаты бесконтактного измерения удельного электросопротивления высокоомных кристаллов CdZnTe
title_full Влияние диэлектрической релаксации на результаты бесконтактного измерения удельного электросопротивления высокоомных кристаллов CdZnTe
title_fullStr Влияние диэлектрической релаксации на результаты бесконтактного измерения удельного электросопротивления высокоомных кристаллов CdZnTe
title_full_unstemmed Влияние диэлектрической релаксации на результаты бесконтактного измерения удельного электросопротивления высокоомных кристаллов CdZnTe
title_sort влияние диэлектрической релаксации на результаты бесконтактного измерения удельного электросопротивления высокоомных кристаллов cdznte
author Абашин, С.Л.
Комарь, В.К.
Наливайко, Д.П.
Олейник, С.В.
Пузиков, В.М.
Ром, М.А.
Сулима, С.В.
Чугай, О.Н.
author_facet Абашин, С.Л.
Комарь, В.К.
Наливайко, Д.П.
Олейник, С.В.
Пузиков, В.М.
Ром, М.А.
Сулима, С.В.
Чугай, О.Н.
topic Радиофизика твердого тела и плазмы
topic_facet Радиофизика твердого тела и плазмы
publishDate 2010
language Russian
container_title Радіофізика та електроніка
publisher Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України
format Article
title_alt Вплив діелектричної релаксації на результати безконтактного вимірювання питомого електроопору високоомних кристалів CdZnTe
Influence of dielectric relaxation on the results of contactless resistivity measurement of semiinsulating CdZnTe crystals
description Установлено различие величин удельного электросопротивления ρ кристаллов Сd1–x ZnxTe (х = 0,12…0,16), измеренных в постоянном и переменном электрических полях. Показано, что это различие связано с диссипацией энергии переменного электрического поля, обусловленной диэлектрической релаксацией (ДР). Для оценки вклада ДР в  предложено использовать функцию распределения релаксаторов по частоте, которая может быть найдена из частотной зависимости диэлектрической проницаемости (ДП) кристалла. Встановлено відмінність величин питомого електроопору ρ кристалів Сd1–xZnxTe (х = 0,12…0,16), виміряних в постійному та змінному електричних полях. Показано, що ця відмінність пов’язана з дисипацією енергії змінного електричного поля, яка обумовлена діелектричною релаксацією. Для оцінки внеску діелектричної релаксації в  запропоновано використовувати функцію розподілу релаксаторів за частотою, яку може бути отримано з частотної залежності діелектричної проникності кристала. The difference in values of electric resistivity ρ measured in both stationary and alternating electric fields was established for Сd1–xZnxTe crystals (х = 0,12…0,16). It was shown that this difference is related to energy dissipation of alternating electric field caused by dielectric relaxation (DR). To evaluate the contribution of DR in , it was proposed to employ a relaxation oscillator frequency distribution function, which can be found from the frequency dependence of crystal permittivity.
issn 1028-821X
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/105818
citation_txt Влияние диэлектрической релаксации на результаты бесконтактного измерения удельного электросопротивления высокоомных кристаллов CdZnTe / С.Л. Абашин, В.К. Комарь, Д.П. Наливайко, С.В. Олейник, В.М. Пузиков, М.А. Ром, С.В. Сулима, О.Н. Чугай // Радіофізика та електроніка. — 2009. — Т. 1(15), № 3. — С. 71-77. — Бібліогр.: 17 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT abašinsl vliâniediélektričeskoirelaksaciinarezulʹtatybeskontaktnogoizmereniâudelʹnogoélektrosoprotivleniâvysokoomnyhkristallovcdznte
AT komarʹvk vliâniediélektričeskoirelaksaciinarezulʹtatybeskontaktnogoizmereniâudelʹnogoélektrosoprotivleniâvysokoomnyhkristallovcdznte
AT nalivaikodp vliâniediélektričeskoirelaksaciinarezulʹtatybeskontaktnogoizmereniâudelʹnogoélektrosoprotivleniâvysokoomnyhkristallovcdznte
AT oleiniksv vliâniediélektričeskoirelaksaciinarezulʹtatybeskontaktnogoizmereniâudelʹnogoélektrosoprotivleniâvysokoomnyhkristallovcdznte
AT puzikovvm vliâniediélektričeskoirelaksaciinarezulʹtatybeskontaktnogoizmereniâudelʹnogoélektrosoprotivleniâvysokoomnyhkristallovcdznte
AT romma vliâniediélektričeskoirelaksaciinarezulʹtatybeskontaktnogoizmereniâudelʹnogoélektrosoprotivleniâvysokoomnyhkristallovcdznte
AT sulimasv vliâniediélektričeskoirelaksaciinarezulʹtatybeskontaktnogoizmereniâudelʹnogoélektrosoprotivleniâvysokoomnyhkristallovcdznte
AT čugaion vliâniediélektričeskoirelaksaciinarezulʹtatybeskontaktnogoizmereniâudelʹnogoélektrosoprotivleniâvysokoomnyhkristallovcdznte
AT abašinsl vplivdíelektričnoírelaksacíínarezulʹtatibezkontaktnogovimírûvannâpitomogoelektrooporuvisokoomnihkristalívcdznte
AT komarʹvk vplivdíelektričnoírelaksacíínarezulʹtatibezkontaktnogovimírûvannâpitomogoelektrooporuvisokoomnihkristalívcdznte
AT nalivaikodp vplivdíelektričnoírelaksacíínarezulʹtatibezkontaktnogovimírûvannâpitomogoelektrooporuvisokoomnihkristalívcdznte
AT oleiniksv vplivdíelektričnoírelaksacíínarezulʹtatibezkontaktnogovimírûvannâpitomogoelektrooporuvisokoomnihkristalívcdznte
AT puzikovvm vplivdíelektričnoírelaksacíínarezulʹtatibezkontaktnogovimírûvannâpitomogoelektrooporuvisokoomnihkristalívcdznte
AT romma vplivdíelektričnoírelaksacíínarezulʹtatibezkontaktnogovimírûvannâpitomogoelektrooporuvisokoomnihkristalívcdznte
AT sulimasv vplivdíelektričnoírelaksacíínarezulʹtatibezkontaktnogovimírûvannâpitomogoelektrooporuvisokoomnihkristalívcdznte
AT čugaion vplivdíelektričnoírelaksacíínarezulʹtatibezkontaktnogovimírûvannâpitomogoelektrooporuvisokoomnihkristalívcdznte
AT abašinsl influenceofdielectricrelaxationontheresultsofcontactlessresistivitymeasurementofsemiinsulatingcdzntecrystals
AT komarʹvk influenceofdielectricrelaxationontheresultsofcontactlessresistivitymeasurementofsemiinsulatingcdzntecrystals
AT nalivaikodp influenceofdielectricrelaxationontheresultsofcontactlessresistivitymeasurementofsemiinsulatingcdzntecrystals
AT oleiniksv influenceofdielectricrelaxationontheresultsofcontactlessresistivitymeasurementofsemiinsulatingcdzntecrystals
AT puzikovvm influenceofdielectricrelaxationontheresultsofcontactlessresistivitymeasurementofsemiinsulatingcdzntecrystals
AT romma influenceofdielectricrelaxationontheresultsofcontactlessresistivitymeasurementofsemiinsulatingcdzntecrystals
AT sulimasv influenceofdielectricrelaxationontheresultsofcontactlessresistivitymeasurementofsemiinsulatingcdzntecrystals
AT čugaion influenceofdielectricrelaxationontheresultsofcontactlessresistivitymeasurementofsemiinsulatingcdzntecrystals
first_indexed 2025-12-07T17:54:58Z
last_indexed 2025-12-07T17:54:58Z
_version_ 1850873058198290432

Ähnliche Einträge