Анализ периодических структур на базе П- и Н-образных щелевых резонаторов в заземляющем слое полосковой линии передачи

• Veröffentlicht in: Радіофізика та електроніка
• Datum: 2010
• ISSN: 1028-821X
• Hauptverfasser: Рассохина, Ю.В., Крыжановский, В.Г.
• Format: Artikel
• Sprache: Russisch
• Veröffentlicht: Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України 2010
• Schlagworte: Электродинамика СВЧ
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/105824
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Анализ периодических структур на базе П- и Н-образных щелевых резонаторов в заземляющем слое полосковой линии передачи / Ю.В. Рассохина, В.Г. Крыжановский // Радіофізика та електроніка. — 2009. — Т. 1(15), № 4. — С. 16-22. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.

Методом поперечного резонанса рассчитаны спектр резонансных частот и характеристики рассеяния П- и Н-образных щелевых резонаторов в заземляющем слое микрополосковой линии передачи. Показано, что П- и Н-образные щелевые резонаторы формируют характеристику рассеяния основной волны микрополосковой линии в виде двух полос заграждения. Методом поперечного резонансу розраховано спектр резонансних частот та характеристики розсіювання П- та Н-подібних щілинних резонаторів у заземлюючому шарі мікрострічкової лінії передачі. Показано, що П- та Н-подібні щілинні резонатори формують характеристику розсіювання основної хвилі мікрострічкової лінії у вигляді двох смуг загородження. The scattering characteristics of П- and H-shaped slot resonators in microstrip line ground plane was calculated by transverse resonance technique. It was demonstrated that the microstrip line fundamental mode transfer coefficient of the periodic structure built on these resonators has a characteristic of a two-band rejection filter.