Поверхностные электромагнитные колебания терагерцевого диапазона в плазмоподобных средах, содержащих потоки заряженных частиц

В кинетическом приближении рассмотрено взаимодействие заряженных частиц с поверхностными плазмонами в структуре полупроводник-диэлектрик (вакуум). Учитывается влияние потенциального барьера, существующего на границе сред, на это взаимодействие. Найден инкремент неустойчивости поверхностных плазмонов...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Радіофізика та електроніка
Datum:2010
Hauptverfasser: Ханкина, С.И., Яковенко, В.М., Яковенко, И.В.
Format: Artikel
Sprache:Russian
Veröffentlicht: Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України 2010
Schlagworte:
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/105829
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Поверхностные электромагнитные колебания терагерцевого диапазона в плазмоподобных средах, содержащих потоки заряженных частиц / С.И. Ханкина, В.М. Яковенко, И.В. Яковенко // Радіофізика та електроніка. — 2009. — Т. 1(15), № 4. — С. 51-57. — Бібліогр.: 5 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Beschreibung
Zusammenfassung:В кинетическом приближении рассмотрено взаимодействие заряженных частиц с поверхностными плазмонами в структуре полупроводник-диэлектрик (вакуум). Учитывается влияние потенциального барьера, существующего на границе сред, на это взаимодействие. Найден инкремент неустойчивости поверхностных плазмонов. Показано, что наличие потенциального барьера приводит к его уменьшению У кінетичному наближенні розглянуто взаємодію заряджених часток з поверхневими плазмонами в структурі напівпровідник-діелектрик (вакуум). Враховано вплив потенційного бар’єра, що існує на межі середовищ, на цю взаємодію. Знайдено інкремент нестійкості поверхневих плазмонів. Показано, що наявність потенційного бар’єра зменшує інкремент. In a kinetic approximation an interaction between the charged particles and surface plasmons in a semiconductor-dielectric (vacuum) structure is considered. The impact of the potential barrier at the interface on this interaction is taken into account. An instability increment of surface plasmons is found. The existence of the potential barrier results in a decreased of increment.
ISSN:1028-821X