Влияние штыря в полудисковом частично экранированном квазиоптическом диэлектрическом резонаторе на частоту генератора на диоде Ганна, стабилизированного им

Рассмотрена возможность перестройки частоты генератора на диоде Ганна при помощи неоднородности в виде металлического либо диэлектрического штыря, вводимого в частично экранированный квазиоптический диэлектрический резонатор. Приведены характеристики перестройки частоты генератора для различных типо...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Радіофізика та електроніка
Datum:	2012
Hauptverfasser:	Кривенко, Е.В., Кириченко, А.Я., Луценко, В.И., Когут, А.Е.
Format:	Artikel
Sprache:	Russisch
Veröffentlicht:	Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України 2012
Schlagworte:	Микроволновая электродинамика
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/105876
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Влияние штыря в полудисковом частично экранированном квазиоптическом диэлектрическом резонаторе на частоту генератора на диоде Ганна, стабилизированного им / Е.В. Кривенко, А.Я. Кириченко, В.И. Луценко, А.Е. Когут // Радіофізика та електроніка. — 2012. — Т. 3(17), № 2. — С. 20-29. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

_version_	1859901188727635968
author	Кривенко, Е.В. Кириченко, А.Я. Луценко, В.И. Когут, А.Е.
author_facet	Кривенко, Е.В. Кириченко, А.Я. Луценко, В.И. Когут, А.Е.
citation_txt	Влияние штыря в полудисковом частично экранированном квазиоптическом диэлектрическом резонаторе на частоту генератора на диоде Ганна, стабилизированного им / Е.В. Кривенко, А.Я. Кириченко, В.И. Луценко, А.Е. Когут // Радіофізика та електроніка. — 2012. — Т. 3(17), № 2. — С. 20-29. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.
collection	DSpace DC
container_title	Радіофізика та електроніка
description	Рассмотрена возможность перестройки частоты генератора на диоде Ганна при помощи неоднородности в виде металлического либо диэлектрического штыря, вводимого в частично экранированный квазиоптический диэлектрический резонатор. Приведены характеристики перестройки частоты генератора для различных типов колебаний и штыря из различных материалов. Разработана модель, позволяющая оценить влияние вводимого в резонатор штыря на его собственные частоты и частоту генерации стабилизированного им генератора. Розглянуто можливість перестроювання частоти генератора на діоді Ганна за допомогою неоднорідності у вигляді металевого або діелектричного штиря, що вводиться в частково екранований квазіоптичний діелектричний резонатор. Приведено характеристики перестроювання частоти генератора для різних типів коливань і штиря з різних матеріалів. Розроблено модель, що дозволяє оцінити вплив штиря, що вводиться в резонатор, на його власні частоти і частоту генерації стабілізованого ним генератора. Possibility of frequency tuning of a Gunn-diode oscillator by means of inhomogeneity in metal or dielectric stub , injected on a partly shielded quasioptical dielectric semidisk resonator is considered.The characteristics of frequency tuning on oscillator for different type of oscillations and a stub from different materials are shown. A model which allows to estimate the influence of stub on the resonator on its own frequency and oscillation frequency of oscillator stabilized by it is worked up.
first_indexed	2025-12-07T15:57:16Z
format	Article
fulltext	ММИИККРРООВВООЛЛННООВВААЯЯ ЭЭЛЛЕЕККТТРРООДДИИННААММИИККАА _________________________________________________________________________________________________________________ __________ ISSN 1028821X Радиофизика и электроника. 2012. Т. 3(17). № 2 © ИРЭ НАН Украины, 2012 УДК 621.372.413 Е. В. Кривенко, А. Я. Кириченко, В. И. Луценко, А. Е. Когут Институт радиофизики и электроники им. А. Я. Усикова НАН Украины 12, ул. Ак. Проскуры, Харьков, 61085, Украина E-mail: lutsenko@ire.kharkov.ua ВЛИЯНИЕ ШТЫРЯ В ПОЛУДИСКОВОМ ЧАСТИЧНО ЭКРАНИРОВАННОМ КВАЗИОПТИЧЕСКОМ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОМ РЕЗОНАТОРЕ НА ЧАСТОТУ ГЕНЕРАТОРА НА ДИОДЕ ГАННА, СТАБИЛИЗИРОВАННОГО ИМ Рассмотрена возможность перестройки частоты генератора на диоде Ганна при помощи неоднородности в виде металли- ческого либо диэлектрического штыря, вводимого в частично экранированный квазиоптический диэлектрический резонатор. Приведены характеристики перестройки частоты генератора для различных типов колебаний и штыря из различных материалов. Разработана модель, позволяющая оценить влияние вводимого в резонатор штыря на его собственные частоты и частоту генерации стабилизированного им генератора. Ил. 6. Библиогр.: 9 назв. Ключевые слова: диэлектрическая постоянная, квазиоптический диэлектрический резонатор, автогенератор. Новые возможности для управления час- тотой генерируемого сигнала открываются при использовании генераторов Ганна, стабилизиро- ванных квазиоптическим диэлектрическим резо- натором (КДР) [1]. Задачей проведенных иссле- дований является изучение управления частотой стабилизированного генератора с помощью ци- линдрической неоднородности (в виде штыря), вносимой в электромагнитное поле частично экранированного полудискового КДР. Частичное экранирование заключалось в том, что кроме зеркала, на котором расположен полудиск, его цилиндрическая поверхность и одно из основа- ний, перпендикулярное оси полудиска, закрыты металлом. 1. Условия постановки эксперимента. Объектом исследования был автогенератор на основе диода Ганна, стабилизированный частич- но экранированным КДР. В эксперименте ис- пользовались два КДР в форме полудиска (тол- щиной h  7,2 мм), изготовленные из фтороплас- та, разного диаметра. Меньший полудиск имел радиус 01R  17 мм, а больший – 02R  39 мм. Фторопластовый полудиск 1 своим диаметраль- ным срезом размещался на полированной метал- лической поверхности 2, именуемой в дальней- шем зеркалом (рис. 1). Z X x0 R0 Рис. 1. Схематическое изображение полудискового частично экранированного резонатора Для связи полудиска с диодом Ганна 3 или с элементами измерительной схемы в зеркале выполнялась узкая щель 4, шириной 0,1…0,2 мм, параллельная оси полудиска. Металлизированной была и криволинейная поверхность 5 полудиска. При размещении этой щели вблизи цилиндриче- ской поверхности в резонаторе предусматривает- ся преимущественное возбуждение мод шепчу- щей галереи (ШГ) типа EHmnp (m – азимутальный, n – радиальный, p – аксиальный индексы колеба- ний резонатора). В опытах была предусмотрена также возможность расположения щели в центре полудиска для возбуждения в резонаторе колеба- ний типа прыгающий мячик (ПМ). Параллельно оси полудиска в нем выполнялось цилиндриче- ское отверстие 6 диаметром 2 мм, которое распо- лагалось под углом   90 к плоскости зеркала на расстоянии от цилиндрической поверхности на 3 мм в полудиске меньшего диаметра и 2 мм – в полудиске большего диаметра. Кроме этого, в полудиске с большим диаметром создавалось отверстие в 2 мм под углом   30 к плоскости зеркала на расстоянии 2 мм от цилиндрической поверхности полудиска. В цилиндрические от- верстия постепенно в направлении параллельном оси резонатора вносились металлические или диэлектрические штыри диаметром 2 мм, возму- щающие поля колебаний резонатора. Это приво- дило к смещению резонансной частоты и измене- нию добротности в зависимости от глубины L погружения штыря. Знак изменения частоты можно опреде- лить по изменению волнового числа k возмущен- ного резонатора на основе соотношения, широко используемого для объемных резонаторов [2]:   0 2 0 2 /1 WWWkk HE  , (1) где 0k – волновое число невозмущенного резона- тора; EW и HW – изменения максимальных значений электрической и магнитной энергии Z X 1 6 5 R0 x0 x0 3 4 2  mailto:lutsenko@ire.kharkov.ua Е. В. Кривенко и др. / Влияние штыря в полудисковом… _________________________________________________________________________________________________________________ 21 резонатора при возмущении; 0W – энергия резо- натора в невозмущенном состоянии. Подключение к возбуждающей щели в зеркале диода Ганна позволяло изучать зависимос- ти перестройки частоты f генератора, стабилизи- рованного КДР в зависимости от глубины L погружения возмущающего штыря. Типичный вид амплитудно-частотных характеристик коэффициента стоячей волны по напряжению (КСВН) полудисковых частично экранированных КДР, различающихся диамет- ром, приведен на рис. 2. Внесение в резонатор цилиндрических неоднородностей приводит к расщеплению некоторых спектральных линий резонанса (обозначено цифрой 1 на рис. 2). Для колебаний ШГ при четном числе полуволн неод- нородность, внесенная под азимутальным углом   90, располагается в нуле (в узле) электриче- ской составляющей электромагнитного поля и слабо влияет на собственную частоту резонатора. При нечетном количестве полуволн, укладываю- щихся вдоль угловой координаты, неоднород- ность при   90 располагается в максимуме (пучности) поля и ее влияние на собственную частоту резонатора оказывается максимальным. Для колебаний типа ПМ изменение индекса с четного на нечетный также определяет степень влияния на амплитудно-частотную зависимость. а) б) в) г) Рис. 2. Частотные характеристики полудисковых частично экранированных КДР: для 2R0  34 мм: а) – ПМ; б) – ШГ; для 2R0  76 мм: в) – ПМ; г) – ШГ В качестве примера на рис. 3 приведены частотные характеристики частично экраниро- ванного полудискового резонатора из фтороплас- та диаметром 34 мм для случаев, когда в полость резонатора вводился штырь из металла, диэлект- рика, либо она оставалась пустой. Рис. 3. Частотные характеристики неоднородного частично экранированного квазиоптического резонатора из фторопласта На этом рисунке представлены данные для случая полного заполнения полости элемен- том подстройки. Видно, что заполнение полости диэлектриком 3, а затем металлом 1 приводит к снижению собственных частот резонатора, при- чем различен характер изменений для четных и нечетных азимутальных индексов (кривая 2 – заполнение полости воздухом). Исследование характеристик собственных частот резонатора для различных типов неоднородностей показыва- ет, что для нечетных азимутальных индексов наблюдается большее влияние неоднородности на собственную частоту резонатора (смещение собст- венной резонансной частоты на 0,37...0,32 ГГц), чем при четных (смещение собственной резо- нансной частоты на 0,26 ГГц). При введении в полость металлического штыря для четных ази- мутальных индексов наблюдалось расщепление линии собственной частоты. Для оценки индекса m колебаний по ази- мутальной координате (при слабом различии в скоростях распространения рядом расположен- ных мод колебаний) можно использовать экспе- риментально полученные значения резонансных частот f0m и разницу частот между соседними ре- зонансами Δf0m [3] )./(/~ )1(00000  mmmmm fffffm С ростом азимутального индекса m мак- симальное значение поля сдвигается к цилиндри- ческой поверхности, а значит, удлиняется путь распространения волн при лучевом рассмотрении процессов колебаний мод ШГ. Это должно при- водить к уменьшению разноса частот между со- седними резонансными колебаниями. 2. Изучение характеристик пере- стройки генератора, стабилизированного КДР. Результаты измерений перестройки часто- 28 32 36 Частота, ГГц 28 32 36 Частота, ГГц 5 3 1 5 3 1 К С В Н К С В Н 1 1 5 3 1 28 32 36 Частота, ГГц 28 32 36 Частота, ГГц 5 3 1 К С В Н К С В Н 1 1 m  17 m  18 m  19 30 31 32 33 34 35 36 ГГц 0 –10 –20 дБ Е. В. Кривенко и др. / Влияние штыря в полудисковом… _________________________________________________________________________________________________________________ 22 ты генератора Ганна, стабилизированного ча- стично экранированным полудисковым диэлект- рическим резонатором диаметром 34 мм, приве- дены на рис. 4. а) б) в) Рис. 4. Зависимость частоты генерации и коэффициента отра- жения от глубины погружения штыря для диода Ганна, стаби- лизированного резонатором диаметром 34 мм Изменение частоты генерации для мод ШГ и ПМ от глубины погружения как металличе- ского (латунь), так и диэлектрического (фторо- пласт) штыря показано на рис. 4, а (1 – ПМ, ме- талл; 2 – ПМ, фторопласт; 3 – ШГ, металл). На рис. 4, б приведены полученные при этом сдвиги генерируемых частот. Видно, что введение ци- линдрической неоднородности (металлического или диэлектрического штыря) в диэлектрический резонатор, стабилизирующий генератор Ганна, приводит к снижению частоты генерации. По- добное снижение частоты свойственно и для ре- зонаторов других типов [4] при более сильном возмущении электрической составляющей элек- тромагнитного поля по сравнению с магнитной составляющей. Возмущение частоты металлическим штырем оказывается более сильным, чем диэлект- рическим. Влияние штыря на перестройку по час- тоте генератора, стабилизированного резонато- ром с колебаниями типа ШГ, больше, чем при колебаниях с модами ПМ. В диапазоне погруже- ния цилиндра на глубину, составляющую при- мерно hL /  0,3…0,7 от высоты резонатора, наблюдается почти линейная зависимость пере- стройки частоты. Частота генерации моды ШГ близка к собственной частоте резонатора в этом режиме, в то время как для режима ПМ она значи- тельно ниже собственной частоты в режиме ШГ. Интересное немонотонное поведение за- висимостей коэффициента отражения Г на резо- нансной частоте от глубины погружения цилиндри- ческого штыря в резонатор иллюстрирует рис. 4, в (1 – ПМ, штырь – металл, f 34,2 ГГц; 2 – ШГ, штырь – металл, f 35,8 ГГц; 3 – ШГ, штырь – фторопласт, f 35,4 ГГц; 4 – ШГ, штырь – фторопласт, f 33,5 ГГц). Экстремаль- ные значения Г наблюдаются при погружении возмущающего штыря примерно до половины толщины диска 2/hL  . В работе [4] такая осо- бенность связывается с повышенным значением возмущения, производимого торцом штыря в об- ласти максимума напряженности электрической составляющей поля в средней части высоты резо- натора. Кроме этого, наблюдается экстремальное значение Г при 2/3hL  . При стабилизации генератора резонато- ром с большим диаметром (78 мм) зависимости перестроечных кривых представлены на рис. 5, где 1, 2 – металлический штырь, 3, 4 – диэлектри- ческий штырь, причем 1, 3 –   90; 2, 4 –   30. Введение возмущающего штыря в этом случае приводит к повышению частоты генерато- ра, в отличие от случая использования резонатора меньшего диаметра (34 мм). Это может быть свя- –0,5 0 0,5 1 L/h 0 –20 –40 –60 –80 –100 –120 f, MГц 0 0,5 1 1,25 L/h –12 –14 –16 –18 –20 –22 –24 –26 –28 –30 –32 –34 Г, дБ 1 4 3 2 0 0,5 1 L/h f, ГГц 33,18 33,16 33,14 33,12 33,10 33,08 33,06 33,04 1 2 3 Е. В. Кривенко и др. / Влияние штыря в полудисковом… _________________________________________________________________________________________________________________ 23 зано с более сильным возмущением стержнем магнитной составляющей электромагнитного поля. а) б) в) Рис. 5. Перестроечные характеристики генератора Ганна, стабилизированного резонатором диаметром 78 мм, штырь на 2 мм от боковой поверхности резонатора: а) – зависимость частоты от глубины погружения штыря; б) – перестройка частоты от глубины погружения штыря; в) – зависимость крутизны электронной перестройки от глубины погружения штыря На это может указывать и меньший сдвиг частоты при возмущении резонансного поля. Пе- рестройка частоты генератора с помощью ди- электрического штыря оказывается весьма сла- бой. Введение в резонатор возмущающего штыря под углом   30 к плоскости металлического зеркала оказывает немного более сильное влияние на возмущение резонансной частоты, что может быть связано с большей амплитудой электриче- ской составляющей электромагнитного поля в этой точке, несмотря на удаление возмущающего штыря от цилиндрической поверхности резонатора. Следует отметить, что изменение пита- ющего напряжения на диоде Ганна слабо сказы- вается на характеристиках перестройки. Как для металлического, так и для диэлектрического стержней изменение глубины погружения прак- тически не влияет на крутизну электрической перестройки генератора, а значит, и на доброт- ность резонатора [3]. Однако при погружении штыря на глубину до середины диска отмечается некоторое повышение крутизны перестройки ге- нератора (экстремум на кривой 2, рис. 5, в). Эта особенность в виде максимума или минимума на кривой зависимости, по-видимому, связана с по- вышенным рассеянием поля концом штыря при его расположении в максимуме электромагнитно- го поля. Заметим, как указывалось ранее [4], что при 2/hL  существуют экстремумы и на зави- симости коэффициента отражения (рис. 4, в). 3. Модель влияния штыря на собст- венную частоту резонатора. Для колебаний раз- личных типов отличаются механизмы воздейст- вия диэлектрического и металлического стержней на собственную частоту резонатора, а значит, и частоту стабилизированного им генератора. В зависимости от этого для колебаний типа ШГ вводился металлический штырь ближе или даль- ше к центру резонатора, происходило «отжима- ние» либо «прижатие» поля к центру резонатора и, как следствие, уменьшение либо увеличение собственной частоты резонатора и, соответствен- но, частоты стабилизированного им генератора. Диэлектрический штырь с одной стороны приво- дит к возрастанию фазовой задержки сигнала, а значит, и уменьшению частоты, но с другой тоже может изменять траекторию каустики так же, как и металлический штырь, что в свою очередь мо- жет приводить как к возрастанию, так и умень- шению частоты. Диэлектрический штырь, колебания типа ШГ. Собственная частота 0f однородного резона- тора определяется уравнением баланса фаз [3, 5] . 1 2 ;Re;)(;22 0 0 000 m L c f ndndlLmkL     (2) 0 0,5 1 L/h f, ГГц 33,83 33,82 33,81 33,80 33,79 33,78 33,77 1 2 3 4 0 0,5 1 L/h 45 40 35 30 25 20 15 10 5 0 –5 f, MГц 4 3 2 1 0 0,5 1 L/h 30 25 20 15 10 5 0 S, МГц/В 4 3 2 1 Е. В. Кривенко и др. / Влияние штыря в полудисковом… _________________________________________________________________________________________________________________ 24 Здесь 0, fk – волновое число и собственная часто- та резонатора; 0L – электрическая длина каустики электромагнитной волны (ЭМВ) в резонаторе; 0l – длина пути ЭМВ в материале однородного резонатора (без отверстия) 10 Rl  , где 1R – ради- ус каустики поля; 02rd  – электрическая длина пути в отверстии; n, 1n – действительная часть коэффициента преломления материала резонатора. Тогда максимальное приращение часто- ты f при полностью выведенном и введенном стержне из диэлектрика с действительной частью коэффициента преломления 1n может достигать величины )1( )1( 10 1 0     ndnl nd f f . (3) Оценки с использованием сотношения (3) для штыря диаметром 2 мм, изготовленного из того же материала, что и резонатор, показывают, что приращение частоты для резонатора диамет- ром 34 мм может достигать 2 0 10/  ff . Такое приращение частоты будет при нахождении шты- ря в максимуме поля (в центре каустики), т. е. при полной связи штыря с полем резонатора. В то же время реально в эксперименте с резонатором 34 мм получены значения около 3 0 10/  ff , т. е. примерно на порядок меньше. Это связано с тем, что месторасположение штыря и его разме- ры обеспечивали частичную, примерно с коэф- фициентом 0,1, связь с полем резонатора. Оста- новимся на этом моменте подробнее. Аксиальный индекс p рабочей моды поля неэкранированного диэлектрического резонатора близок к нулю. Это означает, что распределение поля по этой координате, в первом приближении, может счи- таться равномерным. По радиальной координате распределение поля описывается функцией )(I . При азимутальном индексе m по каустике поля укладывается такое же количество полуволн стоя- чей волны. Это означает, что от азимутального угла размещения штыря зависит место его распо- ложения в поле стоячей волны, а значит, и его запитка. Результирующий коэффициент связи 0K с полем EHm1 волны резонатора можно опреде- лить как произведение коэффициентов связи по аксиальной zK , радиальной K и азимутальной K координатам KKKK z0 . (4) Здесь    0 0 0 )( )( z h z dzzI dzzI K – коэффициент связи, опре- деляемый глубиной погружения штыря;      0 01 01 0 )( )( R rк rк dI dI K    – коэффициент связи, опреде- ляемый неравномерностью распределения поля по радиальной координате;               0 0 0 0 )( d dI K          0 0 )( dI – коэффициент связи, определяе- мый неравномерностью распределения поля сто- ячей волны по азимуту, где 1 02 2 R r  – угловой размер вводимого штыря. Соотношение (4) является приближением общего соотношения, которое определяет коэф- фициент связи с полем резонатора как часть поля, сосредоточенную в пределах области простран- ства , занимаемого вводимой неоднородностью по отношению ко всему полю объема 0 резона- тора: . )( )( )( )( )( ),,( ),,( 0 0 0 0 0 01 01 0 0 00 0 0           KKK d dI dI dI dzzI dzzI dzI dzI K z R rr rr z h                       (5) где цилиндрическая граница области , занимае- мая подстроечным стержнем, апроксимируется сегментом с такими же размерами по радиальной координате 02 r и углу 10 /22 Rr :       .,;,;,0 000101   rrrrh (6) Выражение (4) справедливо для высших типов колебаний типа ШГ и лучевых колебаний типа n-угольника. При этом в плоскости, перпен- дикулярной направлению распространения вол- ны, нормировка интеграла от части поля, захва- тываемого областью штыря, осуществляется на интеграл от общего распределения поля по этой координате. В направлении распространения данных типов колебаний устанавливается стоячая волна, определяющая эффективность запитки, и поэтому нормировка осуществляется на размеры зоны, занимаемой неоднородностью по этой ко- ординате. Распределение поля по аксиальной ко- ординате, определяется выражением [6] Е. В. Кривенко и др. / Влияние штыря в полудисковом… _________________________________________________________________________________________________________________ 25                      .резонаторастенокторцевыхческой диэлектридругойакой,металличес однойдля,1приsin резонаторастенокторцевых кихметалличесдля,1при,sin поляооднородног аксиальнодляе. т.,0при,1 )( 00 0      z z z z zI (7) Распределение поля по радиальной коор- динате полуцилиндрического резонатора с метал- лизированной боковой поверхностью описывает- ся зависимостями вида [7] )()(  nkJI l  . (8) Коэффициенты связи в зависимости от вида аксиального распределения поля имеют вид 0 0 0 0 )( )( z h dzzI dzzI K z h z    , 0 ; 2 cos1 0z h K z   , 1 ; (9) 00 0 00 cos1 cos1          z z z h K z , 1 , где 0 – расстояние от торца диэлектрического резонатора, и поле можно полагать равным нулю. Азимутальное распределение поля опи- сывается выражением )sin()( 1  nkRI  , (10) где )(max )( )( 0 0 0 0 1    I dI dI R R R    – радиус каусти- ки поля, определяемый, например, по центру тя- жести его распределения. При симметричном распределении )(I оно совпадает с максимумом поля. Поскольку )(max I определяется из решения уравнения 0/)(  I , учитывая, что радиальное распределение поля описывается функцией Бесселя )( 0R nkJnm   , для первой вариа- ции поля 1n при больших значениях азиму- тального индекса 1m решение уравнения 0)( 0 1  R nkJ m  для первого нуля mj1 , дающего значение координаты максимума распределения поля, будет иметь асимптотическое разложение [8] .094,005097,0 072490,08086165,0 3/51 3/13/1 1     mm mmmj m (11) В то же время для первого нуля mj1 ра- диального распределения поля 0)( 0 1  R nkJ m  , реализуемого на металлизированной боковой по- верхности резонатора 0R , справедливо асимптотическое представление [8] .043,00908,000397,0 033150,185575,1 3/73/51 3/13/1 1     mmm mmmj m (12) Учитывая, что нуль E-компоненты поля в экранированном резонаторе реализуется на боко- вой поверхности 0R при значении аргумента mj1 , т. е. 0)( 11 mm jJ , а максимум max)( 11 mm jJ поля 1R , то его радиус 1R определится выражением m m j j R R 1 1 0 1   . (13) Выражение (13) с учетом (11), (12) мож- но использовать при геометро-оптическом рас- смотрении задачи для оценки радиуса поля в за- висимости от азимутального индекса (рис. 6, а). На этом же рисунке значками показаны верхняя и нижняя каустики поля по уровню поло- винной мощности. Видно, что возрастание азиму- тального индекса приводит к увеличению радиуса траектории распространения волны, который при m стремится к 0R (поле сильнее «при- жимается» к металлизированной боковой поверх- ности резонатора) (рис. 6, б, где 1 – ;5m 2 – ;10m 3 – 20m ; 4 – 40m ). Интеграл рас- пределения поля (функция распределения) для различных азимутальных индексов показывает, что медиана поля 5,0M смещена относительно максимума поля )(max mJ ближе к центру ре- зонатора примерно на –4…–2 % для азимуталь- ных индексов 4010  m . Смещение среднего значения относительно положения максимума поля для тех же азимутальных индексов состав- ляет примерно –5...–2,5 %. Поскольку разные подходы дают несущественно отличающиеся по- ложения, то можно при расчетах использовать в качестве каустики поля положение максимума поля. Е. В. Кривенко и др. / Влияние штыря в полудисковом… _________________________________________________________________________________________________________________ 26 а) б) в) г) Рис. 6. Характеристики поля резонатора: а) – зависимость радиуса каустики поля от азимутального индекса; б) – распределение поля по радиальной координате для различных азимутальных индексов; в) – зависимость коэффициента связи с полем от глубины погружения штыря; г) – смещение медианы 1 и среднего 2 относительно максимума поля ___________________________________________ Необходимо отметить, что соотношение (13) позволяет уточнить выражение (3):     ,/)2(/)1( ))2((/))1(( )2(1 )2(1 )11 )1(1 00 0000            m m m m j j j j RR RfRf (14) где 1 и 2 – обозначают, к какому из резонаторов относятся характеристики. Оценки с использова- нием выражения (14) показывают, что получае- мая при этом ошибка не превышает 3 %. Коэф- фициент связи с полем ),( 01 rrK можно опреде- лить через интегральные распределения поля  00 00 0 )(/)()( R mm dJdJK    ;     001 01 0 01 )(/)(),( R m rr rr m dJdJrrK  (15) )()( 0101 rrKrrK   . Интегральное распределение поля, ха- рактеризующее коэффициент связи (15), как вид- но из рис. 6, в, на котором показано погружение штыря со стороны центра резонатора для различ- ных азимутальных индексов (1 – ;5m 2 – ;10m 3 – ;20m 4 – 40m и со стороны боковой по- верхности 5 – ;5m 6 – ;10m 7 – ;20m 8 – 40m ), на интервале )9,0;1,0()( K можно аппроксимировать линейной зависимостью 000 0 )(/)()( R BAdJdJK R mm       . (16) Тогда выражение (15) с учетом (16) за- пишем в виде ./2),( 0001 BRrrrK  (17) Возрастание азимутального индекса m приводит к увеличению наклона B, причем уже линейная аппроксимация дает приемлемую для практических нужд точность .1,073,1 mB  (18) Соотношения (17), (18) позволяют оце- нить значения коэффициента связи от располо- жения штыря подстройки. Для резонатора диа- метром 34 мм, азимутальном индексе колебаний  0 20 40 60 80 100 Азимутальный индекс, m 1,0 0,9 0,8 0,7 0,6 0,5 0,4 Р ад и у с к ау ст и к и , R /R 0        –2,0 –2,5 –3,0 –3,5 –4,0 –4,5 –5,0 С м ещ ен и е к ау ст и к и  10 15 20 25 30 35 40 Азимутальный индекс, m 1 2 4 3 1 К о эф ф и ц и ен т св я зи 1,0 0,8 0,6 0,4 0,2 0,0 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 R/R0 2 5 6 7 8 1,0 0,8 0,6 0,4 0,2 0,0 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 R/R0 J m (R )/ J m ax (R ) 4 3 1 2 Е. В. Кривенко и др. / Влияние штыря в полудисковом… _________________________________________________________________________________________________________________ 27 16m , расположении штыря диаметром 2 мм на расстоянии 14 мм от центра резонатора коэффи- циент связи около 0,4, а для резонатора с диамет- ром 78 мм, колебаний 40m , расположении штыря диаметром 2 мм на расстоянии 37 мм от центра резонатора коэффициент связи около 0,25. Азимутальное распределение поля (10) )(I обеспечивает в месте штыря, расположенно- го под азимутальным углом 0 и имеющем ма- лые угловые размеры 1 2 2 1 0  R r  , получение коэффициента связи K : )sin( 01  nkRK  . (19) Оценить сдвиг частоты, получаемый при вводе в резонатор диэлектрического штыря из материала с коэффициентом преломления 1n можно, рассматривая векторную сумму волн: обычной, проходящей в резонаторе без штыря 0s , и дополнительной волны, прошедшей через ди- электрический штырь 1s : 10 ssS   ; (20) )1( 00 Ks  ; dnikKs )1(exp 101  . (21) Сдвиг частоты при введении диэлектри- ческого штыря будет определяться дополнитель- ным по отношению к фазе волны, распространя- ющейся в каустике поля, фазовым сдвигом волны  , прошедшей через диэлектрический штырь:            ))1(cos()1( ))1(sin( arctg 100 10 dnkKK dnkK  . (22) При малых значениях коэффициента свя- зи 10 K соотношение (22) приобретает вид ))1(sin( 10 dnkK  , (23) которое при небольших значений фазового сдви- га 1))1( 11  dnk запишем  dnkK )1( 10  . (24) Тогда, сравнивая выражения (2), (3) и (24), можно записать окончательное выражение для смещения частоты резонатора f )1( )1( 0 10 0     ndnl ndK f f . (25) Соотношение (25) совместно с выраже- ниями (11), (12), (15) позволяют оценить диапа- зон перестройки частоты генератора, стабилизи- рованного резонатором. Следует отметить, что диапазон перестройки определяется материалом штыря 1n, его размерами d, местом расположения  KK , и глубиной погружения ZK . Металлический штырь, колебания ти- па ШГ. При использовании для подстройки ча- стоты не диэлектрического, а металлического штыря результат будет зависеть от того, насколь- ко ближе или дальше относительно максимума поля он располагается. При расположении ближе к центру резонатора максимум поля сдвигается в сторону боковой поверхности резонатора, т. е. происходит его «отжимание». Если предполо- жить, что траектория волны превращается в эл- липс с большой осью, совпадающей с направле- нием из центра резонатора на центр штыря (большая ось) 012 rRR  , и малой осью такой же, как и была до его введения в резонатор – 1R , то с учетом соотношений (2) получаем сдвиг частоты 1 0 0 0 2R r K f f   . (26) Коэффициент связи штыря с полем опре- деляется теми же соотношениями, что и в преды- дущем случае. Экспериментально полученные смеще- ния частоты для резонатора 34 мм составляли  0/ ff 3,33·10 –3 , т. е. как и в случае диэлектри- ческого штыря, были примерно на порядок меньше, чем значения, полученные с использова- нием соотношения (25) при 10 K . Если пола- гать, что коэффициент связи 1,00 K , то получа- емые значения перестройки удовлетворительно согласуются с результатами эксперимента. Если штырь расположен ближе к боковой поверхности, чем максимум поля, как в случае резонатора с диаметром 78 мм и расстоянием штыря от боко- вой поверхности в 2 мм, то происходит «прижи- мание» поля к центру резонатора. При этом уменьшается электрическая длина каустики, что приводит к увеличению частоты генерации (см. рис. 5). Смещение частоты при этом для тех же размеров штыря будет примерно в 2 раза меньше, что и наблюдалось в эксперименте. Диэлектрический штырь, колебания ти- па ПМ. Лучевые колебания типа ПМ возбужда- ются при расположении емкостной щели посере- дине резонатора (в центре). Коэффициент связи штыря с полем резонатора по аксиальной коор- динате в зависимости от глубины его погружения будет определяться теми же соотношениями, что и в предыдущем случае (9). По радиальной коор- динате для данного типа колебаний устанавлива- ется стоячая волна с распределением поля )sin()( nkI   . При этом коэффициент связи с полем по радиальной координате будет иметь вид, аналогичный тому, какой был в случае коле- баний ШГ по азимутальной координате (19) )sin( 1nkrK  . (27) Е. В. Кривенко и др. / Влияние штыря в полудисковом… _________________________________________________________________________________________________________________ 28 Это означает, что при расположении штыря в пучности поля коэффициент связи мак- симален 1K , в то время как в узле 0K . Для расширения диапазона частотной перестрой- ки необходимо располагать элемент подстройки в пучности поля. По азимутальной координате  коэффи- циент связи K определяется степенью перекры- тия стержнем первой зоны Френеля, т. е. области, существенной для распространения [9]. При этом коэффициент связи по полю K можно оценить исходя из отношения радиуса штыря 0r и первой зоны Френеля )1(R в месте его расположения: )1( 0 R r K  , (28) где )1(R определяется соотношением [9] 0 101)1( 2 )2( R rRr R    . (29) Из соотношения (24) следует, что 2/2max 0 )1( RR  , а 00 2/2min RrK   . Максимальное смещение частоты при полной связи с полем можно определить с исполь- зованием соотношения (3), заменив 00 Rl  : )1( )1( max 10 1 0     ndnR nd f f . (30) Сопоставление полученных эксперимен- тально значений 4 0 109,2 K с теоретическими оценками означает, что в нашем случае штырь находился на расстоянии, примерно кратном ко- личеству полуволн в диэлектрике  . Металлический штырь, колебания ти- па ПМ. В отличие от диэлектрического штыря, металлический штырь подстройки отражает об- лучающее его поле. За стержнем образуется зона «тени». Поэтому коэффициент связи будет опре- деляться частью перехваченного облучающего его поля и частью поля, попавшего после отраже- ния от штыря в щель связи шириной a: 1 )1( 0 0 2 r a R r K    . (31) Оценки с использованием соотноше- ния (31) показывают, что использование щелей с a  1...2 мм – таких, как использовались в экспе- рименте, дает результаты 310)53,2...26,1( K , примерно соответствующие полученным экспе- риментально 3 0 1021,1/  ff . Фазовый центр рассеяния штыря в направлении щели располагается на расстоя- нии .01 rr  Поэтому разность фаз сигналов, от- раженных от штыря и от боковой поверхности резонатора, составит 1)( 01011  rrRnk . (32) Тогда с учетом выражения (24) можно записать соотношение для оценки максимального смещения частоты   0 010 00 )( max R rrRK f f         , (33) где коэффициенты связи по азимутальному углу K и глубине погружения zK по аксиаль- ной координате определяются выражениями (31) и (9) соответственно. Выводы. Введение в полудисковый час- тично экранированный диэлектрический резона- тор штыря, параллельно его оси, выполненного из металла или диэлектрика, позволяет управлять его резонансной частотой и частотой генерации диода Ганна, стабилизированного таким резона- тором. Увеличение глубины погружения штыря приводит к увеличению частоты перестройки, как колебаний ШГ, так и мод ПМ. Величина пере- стройки зависит как от материала штыря, так и от места его расположения в поле резонатора по радиальной и угловой координатам и может составлять более 100 МГц. Предлагаемый подход можно использо- вать для подстройки частоты генераторов на дио- дах Ганна, стабилизированных КДР. Работа выполнена при частичном финан- сировании по договору с Государственным агентством по вопросам науки инновации и ин- форматизации (договор Д3/467-2011 от 29.09.11 г., шифр «Тропосфера»), а также по Гранту НАН Украины для молодых ученых (договор 15/11 от 01.07.11 г., шифр «Кредо»). Библиографический список 1. Подстройка частоты автогенератора на диоде Ганна, стабилизированного квазиоптическим диэлектрическим резонатором / А. Я. Кириченко, Е. В. Кривенко, В. И. Луцен- ко и др. // 15 Междунар. Крымская конф. (КрыМиКо’10): тез. докл. – Севастополь, 2005. – Т. 2. – С. 529–530. 2. Гуревич А. Г. Полые резонаторы и волноводы / А. Г. Гуре- вич. – М.: Сов. радио, 1952. – 256 с. 3. Кириченко А. Я. Определение электрических характери- стик поглощающих сред по частоте и крутизне электрон- ной перестройки автогенератора на основе диода Ганна, стабилизированного квазиоптическим диэлектрическим ре- зонатором / А. Я. Кириченко, Е. В. Кривенко, В. И. Луцен- ко // Изв. вузов. Радиоэлектрон. – 2006. – 49, № 12. – С. 58–69. 4. Verma A. Measurement of dielectric parameters of small sam- ples at X-band frequencies by cavity perturbation technique / A. Verma, D. C. Dube // IEEE Transactions on Instrumenta- tion and Measurement. – 2005. – 54, N 5. – P. 2120–2123. 5. Кириченко А. Я. Исследование диэлектрических характе- ристик бинарных растворов с использованием автогенера- тора на основе диода Ганна, стабилизированного частично экранированным квазиоптическим диэлектрическим резо- Е. В. Кривенко и др. / Влияние штыря в полудисковом… _________________________________________________________________________________________________________________ 29 натором / А. Я. Кириченко, Е. В. Кривенко, В. И. Луценко // Радиофизика и электрон.: сб. науч. тр. / Ин-т радиофизики и электрон. НАН Украины. – Х., 2005. – 10, № 2. – С. 290–294. 6. Квазиоптические твердотельные резонаторы / А. Я. Кири- ченко, Ю. В. Прокопенко, Ю. Ф. Филиппов, Н. Т. Черпак. – К.: Наук. думка, 2008. – 296 с. 7. Фельдштейн А. Л. Справочник по элементам волноводной техники / А. Л. Фельдштейн, Л. Р. Явич, В. П. Смирнов. – М.: Сов. радио, 1967. – 651 с. 8. Справочник по специальным функциям / под ред. М. Абрамовица, И. Стиган, пер с англ. К. Л. Диткина, Л. Н. Кармазиной. – М.: Наука, 1976. – 830 с. 9. Долуханов М. Н. Распространение радиоволн / М. Н. Долу- ханов. – М.: Связь, 1965. – 400 с. Рукопись поступила 17.10.2011 E. V. Krivenko, A. Ya. Kirichenko, V. I. Lutsenko, A. E. Kogut INFLUENCE OF THE STUB IN THE PARTLY SHIELDED QUASIOPTICAL DIELECTRIC SEMIDISK RESONATOR ON FREQUENCY OF GUNN-DIODE OSCILLATOR STABILIZED BY IT Possibility of frequency tuning of a Gunn-diode oscil- lator by means of inhomogeneity in metal or dielectric stub , in- jected on a partly shielded quasioptical dielectric semidisk resona- tor is considered.The characteristics of frequency tuning on oscil- lator for different type of oscillations and a stub from different materials are shown. A model which allows to estimate the influ- ence of stub on the resonator on its own frequency and oscilla- tion frequency of oscillator stabilized by it is worked up. Key words: permittivity, quasioptical dielectric resonator, self-excited oscillator. О. В. Кривенко, О. Я. Кириченко, В. І. Луценко, О. Є. Когут ВПЛИВ ШТИРЯ У НАПІВДИСКОВОМУ ЧАСТКОВО ЕКРАНОВАНОМУ КВАЗІОПТИЧНОМУ ДІЕЛЕКТРИЧНОМУ РЕЗОНАТОРІ НА ЧАСТОТУ ГЕНЕРАТОРА НА ДІОДІ ГАННА, ЩО СТАБІЛІЗУЄТЬСЯ НИМ Розглянуто можливість перестроювання частоти ге- нератора на діоді Ганна за допомогою неоднорідності у ви- гляді металевого або діелектричного штиря, що вводиться в частково екранований квазіоптичний діелектричний резона- тор. Приведено характеристики перестроювання частоти ге- нератора для різних типів коливань і штиря з різних матеріа- лів. Розроблено модель, що дозволяє оцінити вплив штиря, що вводиться в резонатор, на його власні частоти і частоту гене- рації стабілізованого ним генератора. Ключові слова: Діелектрична стала, квазіоптичний діелектричний резонатор, автогенератор. http://www.lingvo.ua/ru/Search/GlossaryItemExtraInfo?text=%d0%b3%d0%b5%d0%bd%d0%b5%d1%80%d0%b0%d1%82%d0%be%d1%80%20%d0%bd%d0%b0%20%d0%b4%d0%b8%d0%be%d0%b4%d0%b5%20%d0%93%d0%b0%d0%bd%d0%bd%d0%b0&translation=Gunn-diode%20oscillator&srcLang=ru&destLang=en&author=Administrator http://www.lingvo.ua/ru/Search/GlossaryItemExtraInfo?text=%d0%b2%d0%be%d0%b7%d0%bc%d0%be%d0%b6%d0%bd%d0%be%d1%81%d1%82%d1%8c&translation=possibility&srcLang=ru&destLang=en http://www.lingvo.ua/ru/Search/GlossaryItemExtraInfo?text=%d0%bf%d0%b5%d1%80%d0%b5%d1%81%d1%82%d1%80%d0%be%d0%b9%d0%ba%d0%b0%20%d1%87%d0%b0%d1%81%d1%82%d0%be%d1%82%d1%8b&translation=frequency%20tuning&srcLang=ru&destLang=en http://www.lingvo.ua/ru/Search/GlossaryItemExtraInfo?text=%d0%b3%d0%b5%d0%bd%d0%b5%d1%80%d0%b0%d1%82%d0%be%d1%80%20%d0%bd%d0%b0%20%d0%b4%d0%b8%d0%be%d0%b4%d0%b5%20%d0%93%d0%b0%d0%bd%d0%bd%d0%b0&translation=Gunn-diode%20oscillator&srcLang=ru&destLang=en&author=Administrator http://www.lingvo.ua/ru/Search/GlossaryItemExtraInfo?text=%d0%b3%d0%b5%d0%bd%d0%b5%d1%80%d0%b0%d1%82%d0%be%d1%80%20%d0%bd%d0%b0%20%d0%b4%d0%b8%d0%be%d0%b4%d0%b5%20%d0%93%d0%b0%d0%bd%d0%bd%d0%b0&translation=Gunn-diode%20oscillator&srcLang=ru&destLang=en&author=Administrator http://www.lingvo.ua/ru/Search/GlossaryItemExtraInfo?text=%d1%80%d0%b0%d1%81%d1%81%d0%bc%d0%b0%d1%82%d1%80%d0%b8%d0%b2%d0%b0%d1%82%d1%8c&translation=consider&srcLang=ru&destLang=en http://www.lingvo.ua/ru/Search/GlossaryItemExtraInfo?text=%d1%85%d0%b0%d1%80%d0%b0%d0%ba%d1%82%d0%b5%d1%80%d0%b8%d1%81%d1%82%d0%b8%d0%ba%d0%b8&translation=characteristics&srcLang=ru&destLang=en http://www.lingvo.ua/ru/Search/GlossaryItemExtraInfo?text=%d0%be%d1%86%d0%b5%d0%bd%d0%b8%d0%b2%d0%b0%d1%82%d1%8c&translation=estimate&srcLang=ru&destLang=en http://www.lingvo.ua/ru/Search/GlossaryItemExtraInfo?text=%d1%87%d0%b0%d1%81%d1%82%d0%be%d1%82%d0%b0%20%d0%b3%d0%b5%d0%bd%d0%b5%d1%80%d0%b0%d1%86%d0%b8%d0%b8&translation=oscillation%20frequency&srcLang=ru&destLang=en http://www.lingvo.ua/ru/Search/GlossaryItemExtraInfo?text=%d1%87%d0%b0%d1%81%d1%82%d0%be%d1%82%d0%b0%20%d0%b3%d0%b5%d0%bd%d0%b5%d1%80%d0%b0%d1%86%d0%b8%d0%b8&translation=oscillation%20frequency&srcLang=ru&destLang=en
id	nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-105876
institution	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
issn	1028-821X
language	Russian
last_indexed	2025-12-07T15:57:16Z
publishDate	2012
publisher	Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України
record_format	dspace
spelling	Кривенко, Е.В. Кириченко, А.Я. Луценко, В.И. Когут, А.Е. 2016-09-12T06:26:13Z 2016-09-12T06:26:13Z 2012 Влияние штыря в полудисковом частично экранированном квазиоптическом диэлектрическом резонаторе на частоту генератора на диоде Ганна, стабилизированного им / Е.В. Кривенко, А.Я. Кириченко, В.И. Луценко, А.Е. Когут // Радіофізика та електроніка. — 2012. — Т. 3(17), № 2. — С. 20-29. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. 1028-821X https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/105876 621.372.413 Рассмотрена возможность перестройки частоты генератора на диоде Ганна при помощи неоднородности в виде металлического либо диэлектрического штыря, вводимого в частично экранированный квазиоптический диэлектрический резонатор. Приведены характеристики перестройки частоты генератора для различных типов колебаний и штыря из различных материалов. Разработана модель, позволяющая оценить влияние вводимого в резонатор штыря на его собственные частоты и частоту генерации стабилизированного им генератора. Розглянуто можливість перестроювання частоти генератора на діоді Ганна за допомогою неоднорідності у вигляді металевого або діелектричного штиря, що вводиться в частково екранований квазіоптичний діелектричний резонатор. Приведено характеристики перестроювання частоти генератора для різних типів коливань і штиря з різних матеріалів. Розроблено модель, що дозволяє оцінити вплив штиря, що вводиться в резонатор, на його власні частоти і частоту генерації стабілізованого ним генератора. Possibility of frequency tuning of a Gunn-diode oscillator by means of inhomogeneity in metal or dielectric stub , injected on a partly shielded quasioptical dielectric semidisk resonator is considered.The characteristics of frequency tuning on oscillator for different type of oscillations and a stub from different materials are shown. A model which allows to estimate the influence of stub on the resonator on its own frequency and oscillation frequency of oscillator stabilized by it is worked up. Работа выполнена при частичном финансировании по договору с Государственным агентством по вопросам науки инновации и информатизации (договор Д3/467-2011 от 29.09.11 г., шифр «Тропосфера»), а также по Гранту НАН Украины для молодых ученых (договор 15/11 от 01.07.11 г., шифр «Кредо»). ru Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України Радіофізика та електроніка Микроволновая электродинамика Влияние штыря в полудисковом частично экранированном квазиоптическом диэлектрическом резонаторе на частоту генератора на диоде Ганна, стабилизированного им Вплив штиря у напівдисковому частково екранованому квазіоптичному діелектричному резонаторі на частоту генератора на діоді Ганна, що стабілізується ним Influence of the stub in the partly shielded quasioptical dielectric semidisk resonator on frequency of Gunn-diode oscillator stabilized by it Article published earlier
spellingShingle	Влияние штыря в полудисковом частично экранированном квазиоптическом диэлектрическом резонаторе на частоту генератора на диоде Ганна, стабилизированного им Кривенко, Е.В. Кириченко, А.Я. Луценко, В.И. Когут, А.Е. Микроволновая электродинамика
title	Влияние штыря в полудисковом частично экранированном квазиоптическом диэлектрическом резонаторе на частоту генератора на диоде Ганна, стабилизированного им
title_alt	Вплив штиря у напівдисковому частково екранованому квазіоптичному діелектричному резонаторі на частоту генератора на діоді Ганна, що стабілізується ним Influence of the stub in the partly shielded quasioptical dielectric semidisk resonator on frequency of Gunn-diode oscillator stabilized by it
title_full	Влияние штыря в полудисковом частично экранированном квазиоптическом диэлектрическом резонаторе на частоту генератора на диоде Ганна, стабилизированного им
title_fullStr	Влияние штыря в полудисковом частично экранированном квазиоптическом диэлектрическом резонаторе на частоту генератора на диоде Ганна, стабилизированного им
title_full_unstemmed	Влияние штыря в полудисковом частично экранированном квазиоптическом диэлектрическом резонаторе на частоту генератора на диоде Ганна, стабилизированного им
title_short	Влияние штыря в полудисковом частично экранированном квазиоптическом диэлектрическом резонаторе на частоту генератора на диоде Ганна, стабилизированного им
title_sort	влияние штыря в полудисковом частично экранированном квазиоптическом диэлектрическом резонаторе на частоту генератора на диоде ганна, стабилизированного им
topic	Микроволновая электродинамика
topic_facet	Микроволновая электродинамика
url	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/105876
work_keys_str_mv	AT krivenkoev vliânieštyrâvpoludiskovomčastičnoékranirovannomkvazioptičeskomdiélektričeskomrezonatorenačastotugeneratoranadiodegannastabilizirovannogoim AT kiričenkoaâ vliânieštyrâvpoludiskovomčastičnoékranirovannomkvazioptičeskomdiélektričeskomrezonatorenačastotugeneratoranadiodegannastabilizirovannogoim AT lucenkovi vliânieštyrâvpoludiskovomčastičnoékranirovannomkvazioptičeskomdiélektričeskomrezonatorenačastotugeneratoranadiodegannastabilizirovannogoim AT kogutae vliânieštyrâvpoludiskovomčastičnoékranirovannomkvazioptičeskomdiélektričeskomrezonatorenačastotugeneratoranadiodegannastabilizirovannogoim AT krivenkoev vplivštirâunapívdiskovomučastkovoekranovanomukvazíoptičnomudíelektričnomurezonatorínačastotugeneratoranadíodígannaŝostabílízuêtʹsânim AT kiričenkoaâ vplivštirâunapívdiskovomučastkovoekranovanomukvazíoptičnomudíelektričnomurezonatorínačastotugeneratoranadíodígannaŝostabílízuêtʹsânim AT lucenkovi vplivštirâunapívdiskovomučastkovoekranovanomukvazíoptičnomudíelektričnomurezonatorínačastotugeneratoranadíodígannaŝostabílízuêtʹsânim AT kogutae vplivštirâunapívdiskovomučastkovoekranovanomukvazíoptičnomudíelektričnomurezonatorínačastotugeneratoranadíodígannaŝostabílízuêtʹsânim AT krivenkoev influenceofthestubinthepartlyshieldedquasiopticaldielectricsemidiskresonatoronfrequencyofgunndiodeoscillatorstabilizedbyit AT kiričenkoaâ influenceofthestubinthepartlyshieldedquasiopticaldielectricsemidiskresonatoronfrequencyofgunndiodeoscillatorstabilizedbyit AT lucenkovi influenceofthestubinthepartlyshieldedquasiopticaldielectricsemidiskresonatoronfrequencyofgunndiodeoscillatorstabilizedbyit AT kogutae influenceofthestubinthepartlyshieldedquasiopticaldielectricsemidiskresonatoronfrequencyofgunndiodeoscillatorstabilizedbyit

Влияние штыря в полудисковом частично экранированном квазиоптическом диэлектрическом резонаторе на частоту генератора на диоде Ганна, стабилизированного им

Institution

Ähnliche Einträge