Преобразование частоты в pn–i–pn-структурах

В рамках диффузионно-дрейфовой модели полупроводников моделируется процесс преобразования частоты сигналов в Ge, Si и GaAs pn–i–pn-структурах с резкими лавинными p–n-переходами и постоянным обратным смещением. Исследованы нелинейные, частотные и фазовые искажения сигналов. Рассмотрен механизм преобр...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Радіофізика та електроніка
Дата:2012
Автори: Лукин, К.А., Максимов, П.П., Шиян, Ю.А.
Формат: Стаття
Мова:Російська
Опубліковано: Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України 2012
Теми:
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/105897
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Преобразование частоты в pn–i–pn-структурах / К.А. Лукин, П.П. Максимов, Ю.А. Шиян // Радіофізика та електроніка. — 2012. — Т. 3(17), № 3. — С. 65-71. — Бібліогр.: 18 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Опис
Резюме:В рамках диффузионно-дрейфовой модели полупроводников моделируется процесс преобразования частоты сигналов в Ge, Si и GaAs pn–i–pn-структурах с резкими лавинными p–n-переходами и постоянным обратным смещением. Исследованы нелинейные, частотные и фазовые искажения сигналов. Рассмотрен механизм преобразования частоты. Определены факторы, влияющие на преобразовательные свойства pn–i–pn-структур. Показано, что коэффициент преобразования частоты постоянен. В рамках дифузійно-дрейфової моделі напівпровідників моделюється процес перетворення частоти сигналів у Ge, Si і GaAs pn–i–pn-структурах з різкими лавинними p–n-переходами і постійним зворотним зсувом. Досліджено нелінійні, частотні й фазові спотворення сигналів. Розглянуто механізм перетворення частоти. Визначено чинники, що впливають на перетворювальні властивості pn–i–pn-структур. Показано, що коефіцієнт перетворення частоти постійний. Within the framework of diffusive-drifting model of semiconductors, the process of transformation of frequency of signals is designed in Ge, Si and GaAs pn–i–pn-structures with abrupt avalanches p–n-junctions and the permanent reversed bias. Nonlinear, frequency and phase distortions of signal are explored. The new mechanism of transformation of frequency is considered. Factors influencing on transforming properties of pn–i–pn-structures are considered. It is shown that coefficient of transformation of frequencies is constant.
ISSN:1028-821X