Преобразование частоты в pn–i–pn-структурах
В рамках диффузионно-дрейфовой модели полупроводников моделируется процесс преобразования частоты сигналов в Ge, Si и GaAs pn–i–pn-структурах с резкими лавинными p–n-переходами и постоянным обратным смещением. Исследованы нелинейные, частотные и фазовые искажения сигналов. Рассмотрен механизм преобр...
Saved in:
| Published in: | Радіофізика та електроніка |
|---|---|
| Date: | 2012 |
| Main Authors: | , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України
2012
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/105897 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Преобразование частоты в pn–i–pn-структурах / К.А. Лукин, П.П. Максимов, Ю.А. Шиян // Радіофізика та електроніка. — 2012. — Т. 3(17), № 3. — С. 65-71. — Бібліогр.: 18 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862710824761556992 |
|---|---|
| author | Лукин, К.А. Максимов, П.П. Шиян, Ю.А. |
| author_facet | Лукин, К.А. Максимов, П.П. Шиян, Ю.А. |
| citation_txt | Преобразование частоты в pn–i–pn-структурах / К.А. Лукин, П.П. Максимов, Ю.А. Шиян // Радіофізика та електроніка. — 2012. — Т. 3(17), № 3. — С. 65-71. — Бібліогр.: 18 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Радіофізика та електроніка |
| description | В рамках диффузионно-дрейфовой модели полупроводников моделируется процесс преобразования частоты сигналов в Ge, Si и GaAs pn–i–pn-структурах с резкими лавинными p–n-переходами и постоянным обратным смещением. Исследованы нелинейные, частотные и фазовые искажения сигналов. Рассмотрен механизм преобразования частоты. Определены факторы, влияющие на преобразовательные свойства pn–i–pn-структур. Показано, что коэффициент преобразования частоты постоянен.
В рамках дифузійно-дрейфової моделі напівпровідників моделюється процес перетворення частоти сигналів у Ge, Si і GaAs pn–i–pn-структурах з різкими лавинними p–n-переходами і постійним зворотним зсувом. Досліджено нелінійні, частотні й фазові спотворення сигналів. Розглянуто механізм перетворення частоти. Визначено чинники, що впливають на перетворювальні властивості pn–i–pn-структур. Показано, що коефіцієнт перетворення частоти постійний.
Within the framework of diffusive-drifting model of semiconductors, the process of transformation of frequency of signals is designed in Ge, Si and GaAs pn–i–pn-structures with abrupt avalanches p–n-junctions and the permanent reversed bias. Nonlinear, frequency and phase distortions of signal are explored. The new mechanism of transformation of frequency is considered. Factors influencing on transforming properties of pn–i–pn-structures are considered. It is shown that coefficient of transformation of frequencies is constant.
|
| first_indexed | 2025-12-07T17:26:59Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-105897 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1028-821X |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T17:26:59Z |
| publishDate | 2012 |
| publisher | Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Лукин, К.А. Максимов, П.П. Шиян, Ю.А. 2016-09-12T19:09:14Z 2016-09-12T19:09:14Z 2012 Преобразование частоты в pn–i–pn-структурах / К.А. Лукин, П.П. Максимов, Ю.А. Шиян // Радіофізика та електроніка. — 2012. — Т. 3(17), № 3. — С. 65-71. — Бібліогр.: 18 назв. — рос. 1028-821X https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/105897 621.382.029 В рамках диффузионно-дрейфовой модели полупроводников моделируется процесс преобразования частоты сигналов в Ge, Si и GaAs pn–i–pn-структурах с резкими лавинными p–n-переходами и постоянным обратным смещением. Исследованы нелинейные, частотные и фазовые искажения сигналов. Рассмотрен механизм преобразования частоты. Определены факторы, влияющие на преобразовательные свойства pn–i–pn-структур. Показано, что коэффициент преобразования частоты постоянен. В рамках дифузійно-дрейфової моделі напівпровідників моделюється процес перетворення частоти сигналів у Ge, Si і GaAs pn–i–pn-структурах з різкими лавинними p–n-переходами і постійним зворотним зсувом. Досліджено нелінійні, частотні й фазові спотворення сигналів. Розглянуто механізм перетворення частоти. Визначено чинники, що впливають на перетворювальні властивості pn–i–pn-структур. Показано, що коефіцієнт перетворення частоти постійний. Within the framework of diffusive-drifting model of semiconductors, the process of transformation of frequency of signals is designed in Ge, Si and GaAs pn–i–pn-structures with abrupt avalanches p–n-junctions and the permanent reversed bias. Nonlinear, frequency and phase distortions of signal are explored. The new mechanism of transformation of frequency is considered. Factors influencing on transforming properties of pn–i–pn-structures are considered. It is shown that coefficient of transformation of frequencies is constant. ru Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України Радіофізика та електроніка Вакуумная и твердотельная электроника Преобразование частоты в pn–i–pn-структурах Перетворення частоти в pn–i–pn-структурах Transformation of frequency in pn–i–pn structures Article published earlier |
| spellingShingle | Преобразование частоты в pn–i–pn-структурах Лукин, К.А. Максимов, П.П. Шиян, Ю.А. Вакуумная и твердотельная электроника |
| title | Преобразование частоты в pn–i–pn-структурах |
| title_alt | Перетворення частоти в pn–i–pn-структурах Transformation of frequency in pn–i–pn structures |
| title_full | Преобразование частоты в pn–i–pn-структурах |
| title_fullStr | Преобразование частоты в pn–i–pn-структурах |
| title_full_unstemmed | Преобразование частоты в pn–i–pn-структурах |
| title_short | Преобразование частоты в pn–i–pn-структурах |
| title_sort | преобразование частоты в pn–i–pn-структурах |
| topic | Вакуумная и твердотельная электроника |
| topic_facet | Вакуумная и твердотельная электроника |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/105897 |
| work_keys_str_mv | AT lukinka preobrazovaniečastotyvpnipnstrukturah AT maksimovpp preobrazovaniečastotyvpnipnstrukturah AT šiânûa preobrazovaniečastotyvpnipnstrukturah AT lukinka peretvorennâčastotivpnipnstrukturah AT maksimovpp peretvorennâčastotivpnipnstrukturah AT šiânûa peretvorennâčastotivpnipnstrukturah AT lukinka transformationoffrequencyinpnipnstructures AT maksimovpp transformationoffrequencyinpnipnstructures AT šiânûa transformationoffrequencyinpnipnstructures |