Эффективность генерации диодов с резонансно-туннельными границами в "сэндвич"-варианте

• Опубліковано в: : Радіофізика та електроніка
• Дата: 2012
• Автори: Прохоров, Э.Д., Боцула, О.В., Клименко, О.А., Стороженко, И.П.
• Формат: Стаття
• Мова: Російська
• Опубліковано: Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України 2012
• Теми: Вакуумная и твердотельная электроника
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/105898
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Эффективность генерации диодов с резонансно-туннельными границами в "сэндвич"-варианте / Э.Д. Прохоров, О.В. Боцула, О.А. Клименко, И.П. Стороженко // Радіофізика та електроніка. — 2012. — Т. 3(17), № 3. — С. 72-78. — Бібліогр.: 12 назв. — рос.

Исследуются вольтамперные характеристики и эффективность генерации диодов с резонансно-туннельными границами (РТГ) в структурах типа «сэндвич» на основе GaAs. Рассмотрены одно- и двухуровневые модели РТГ. Оценен частотный предел работы диодов с РТГ. Показана возможность генерации гармоник и умножения частоты на диодах с РТГ в диапазоне несколько десятков гигагерц. Досліджено вольтамперні характеристики та ефективність генерації діодів з резонансно-тунельними межами (РТМ) в структурах типу «сандвич» на основі GaAs. Розглянуто одно- і дворівневі моделі РТМ. Оцінено частотну межу роботи діодів з РТМ. Показано можливість генерації гармонік і множення частоти на діодах з РТМ у діапазоні кілька десятків гігагерц. We study the current-voltage characteristics and the efficiency of generation diodes with resonant-tunnel boundaries in the structures of the «sandwich» type based on GaAs. We consider single-level and two-level model of the resonant-tunnel border. Frequency limit of the diode with resonant-tunnel border was estimated. A possibility of harmonic generation and frequency multiplication of the diodes with resonant tunnel border in the range of tens to hundreds of GHz was shown.