Резонансные частоты диодов Ганна на основе варизонных полупроводниковых нитридов

• Veröffentlicht in: Радіофізика та електроніка
• Datum: 2012
• 1. Verfasser: Стороженко, И.П.
• Format: Artikel
• Sprache: Russian
• Veröffentlicht: Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України 2012
• Schlagworte: Вакуумная и твердотельная электроника
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/105899
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Резонансные частоты диодов Ганна на основе варизонных полупроводниковых нитридов / И.П. Стороженко // Радіофізика та електроніка. — 2012. — Т. 3(17), № 3. — С. 79-82. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.

Изучен дрейф доменов и колебания тока в приборах на основе варизонных полупроводниковых нитридов InGaN, AlGaN, AlInN, InBN, GaBN и AlBN. Показано, что применение варизонных полупроводников позволяет увеличить ширину рабочего диапазона частот диодов Ганна. Проведен обзор варизонных полупроводников А3В5 с подобным эффектом. Вивчено дрейф доменів і коливання струму в приладах на основі варизонних напівпровідникових нітридів InGaN, AlGaN, AlInN, InBN, GaBN і AlBN. Показано, що застосування варизонних напівпровідників дозволяє збільшити ширину робочого діапазону частот діодів Ганна. Проведено огляд варизонних напівпровідників А3В5 з подібним ефектом. The drifting domain and current oscillations in devices based on graded-gap semiconductors are studied. It is shown that the use of graded-gap semiconductors can increase the width of the working frequency of Gunn diodes. The review of graded-gap semiconductors A3B5 having a similar effect is given.