Резонансные частоты диодов Ганна на основе варизонных полупроводниковых нитридов
Изучен дрейф доменов и колебания тока в приборах на основе варизонных полупроводниковых нитридов InGaN, AlGaN, AlInN, InBN, GaBN и AlBN. Показано, что применение варизонных полупроводников позволяет увеличить ширину рабочего диапазона частот диодов Ганна. Проведен обзор варизонных полупроводников А3...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Радіофізика та електроніка |
|---|---|
| Дата: | 2012 |
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України
2012
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/105899 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Резонансные частоты диодов Ганна на основе варизонных полупроводниковых нитридов / И.П. Стороженко // Радіофізика та електроніка. — 2012. — Т. 3(17), № 3. — С. 79-82. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862634977690124288 |
|---|---|
| author | Стороженко, И.П. |
| author_facet | Стороженко, И.П. |
| citation_txt | Резонансные частоты диодов Ганна на основе варизонных полупроводниковых нитридов / И.П. Стороженко // Радіофізика та електроніка. — 2012. — Т. 3(17), № 3. — С. 79-82. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Радіофізика та електроніка |
| description | Изучен дрейф доменов и колебания тока в приборах на основе варизонных полупроводниковых нитридов InGaN, AlGaN, AlInN, InBN, GaBN и AlBN. Показано, что применение варизонных полупроводников позволяет увеличить ширину рабочего диапазона частот диодов Ганна. Проведен обзор варизонных полупроводников А3В5 с подобным эффектом.
Вивчено дрейф доменів і коливання струму в приладах на основі варизонних напівпровідникових нітридів InGaN, AlGaN, AlInN, InBN, GaBN і AlBN. Показано, що застосування варизонних напівпровідників дозволяє збільшити ширину робочого діапазону частот діодів Ганна. Проведено огляд варизонних напівпровідників А3В5 з подібним ефектом.
The drifting domain and current oscillations in devices based on graded-gap semiconductors are studied. It is shown that the use of graded-gap semiconductors can increase the width of the working frequency of Gunn diodes. The review of graded-gap semiconductors A3B5 having a similar effect is given.
|
| first_indexed | 2025-11-30T16:55:28Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-105899 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1028-821X |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-11-30T16:55:28Z |
| publishDate | 2012 |
| publisher | Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Стороженко, И.П. 2016-09-12T19:09:48Z 2016-09-12T19:09:48Z 2012 Резонансные частоты диодов Ганна на основе варизонных полупроводниковых нитридов / И.П. Стороженко // Радіофізика та електроніка. — 2012. — Т. 3(17), № 3. — С. 79-82. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. 1028-821X https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/105899 621.382.2 Изучен дрейф доменов и колебания тока в приборах на основе варизонных полупроводниковых нитридов InGaN, AlGaN, AlInN, InBN, GaBN и AlBN. Показано, что применение варизонных полупроводников позволяет увеличить ширину рабочего диапазона частот диодов Ганна. Проведен обзор варизонных полупроводников А3В5 с подобным эффектом. Вивчено дрейф доменів і коливання струму в приладах на основі варизонних напівпровідникових нітридів InGaN, AlGaN, AlInN, InBN, GaBN і AlBN. Показано, що застосування варизонних напівпровідників дозволяє збільшити ширину робочого діапазону частот діодів Ганна. Проведено огляд варизонних напівпровідників А3В5 з подібним ефектом. The drifting domain and current oscillations in devices based on graded-gap semiconductors are studied. It is shown that the use of graded-gap semiconductors can increase the width of the working frequency of Gunn diodes. The review of graded-gap semiconductors A3B5 having a similar effect is given. ru Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України Радіофізика та електроніка Вакуумная и твердотельная электроника Резонансные частоты диодов Ганна на основе варизонных полупроводниковых нитридов Резонансні частоти діодів Ганна на основі варизонних напівпровідникових нітридів Resonance frequencies of Gunn diodes based on nitride graded-gap semiconductors Article published earlier |
| spellingShingle | Резонансные частоты диодов Ганна на основе варизонных полупроводниковых нитридов Стороженко, И.П. Вакуумная и твердотельная электроника |
| title | Резонансные частоты диодов Ганна на основе варизонных полупроводниковых нитридов |
| title_alt | Резонансні частоти діодів Ганна на основі варизонних напівпровідникових нітридів Resonance frequencies of Gunn diodes based on nitride graded-gap semiconductors |
| title_full | Резонансные частоты диодов Ганна на основе варизонных полупроводниковых нитридов |
| title_fullStr | Резонансные частоты диодов Ганна на основе варизонных полупроводниковых нитридов |
| title_full_unstemmed | Резонансные частоты диодов Ганна на основе варизонных полупроводниковых нитридов |
| title_short | Резонансные частоты диодов Ганна на основе варизонных полупроводниковых нитридов |
| title_sort | резонансные частоты диодов ганна на основе варизонных полупроводниковых нитридов |
| topic | Вакуумная и твердотельная электроника |
| topic_facet | Вакуумная и твердотельная электроника |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/105899 |
| work_keys_str_mv | AT storoženkoip rezonansnyečastotydiodovgannanaosnovevarizonnyhpoluprovodnikovyhnitridov AT storoženkoip rezonansníčastotidíodívgannanaosnovívarizonnihnapívprovídnikovihnítridív AT storoženkoip resonancefrequenciesofgunndiodesbasedonnitridegradedgapsemiconductors |