Резонансные частоты диодов Ганна на основе варизонных полупроводниковых нитридов
Изучен дрейф доменов и колебания тока в приборах на основе варизонных полупроводниковых нитридов InGaN, AlGaN, AlInN, InBN, GaBN и AlBN. Показано, что применение варизонных полупроводников позволяет увеличить ширину рабочего диапазона частот диодов Ганна. Проведен обзор варизонных полупроводников А3...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Радіофізика та електроніка |
|---|---|
| Datum: | 2012 |
| 1. Verfasser: | |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України
2012
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/105899 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Резонансные частоты диодов Ганна на основе варизонных полупроводниковых нитридов / И.П. Стороженко // Радіофізика та електроніка. — 2012. — Т. 3(17), № 3. — С. 79-82. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-105899 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Стороженко, И.П. 2016-09-12T19:09:48Z 2016-09-12T19:09:48Z 2012 Резонансные частоты диодов Ганна на основе варизонных полупроводниковых нитридов / И.П. Стороженко // Радіофізика та електроніка. — 2012. — Т. 3(17), № 3. — С. 79-82. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. 1028-821X https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/105899 621.382.2 Изучен дрейф доменов и колебания тока в приборах на основе варизонных полупроводниковых нитридов InGaN, AlGaN, AlInN, InBN, GaBN и AlBN. Показано, что применение варизонных полупроводников позволяет увеличить ширину рабочего диапазона частот диодов Ганна. Проведен обзор варизонных полупроводников А3В5 с подобным эффектом. Вивчено дрейф доменів і коливання струму в приладах на основі варизонних напівпровідникових нітридів InGaN, AlGaN, AlInN, InBN, GaBN і AlBN. Показано, що застосування варизонних напівпровідників дозволяє збільшити ширину робочого діапазону частот діодів Ганна. Проведено огляд варизонних напівпровідників А3В5 з подібним ефектом. The drifting domain and current oscillations in devices based on graded-gap semiconductors are studied. It is shown that the use of graded-gap semiconductors can increase the width of the working frequency of Gunn diodes. The review of graded-gap semiconductors A3B5 having a similar effect is given. ru Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України Радіофізика та електроніка Вакуумная и твердотельная электроника Резонансные частоты диодов Ганна на основе варизонных полупроводниковых нитридов Резонансні частоти діодів Ганна на основі варизонних напівпровідникових нітридів Resonance frequencies of Gunn diodes based on nitride graded-gap semiconductors Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Резонансные частоты диодов Ганна на основе варизонных полупроводниковых нитридов |
| spellingShingle |
Резонансные частоты диодов Ганна на основе варизонных полупроводниковых нитридов Стороженко, И.П. Вакуумная и твердотельная электроника |
| title_short |
Резонансные частоты диодов Ганна на основе варизонных полупроводниковых нитридов |
| title_full |
Резонансные частоты диодов Ганна на основе варизонных полупроводниковых нитридов |
| title_fullStr |
Резонансные частоты диодов Ганна на основе варизонных полупроводниковых нитридов |
| title_full_unstemmed |
Резонансные частоты диодов Ганна на основе варизонных полупроводниковых нитридов |
| title_sort |
резонансные частоты диодов ганна на основе варизонных полупроводниковых нитридов |
| author |
Стороженко, И.П. |
| author_facet |
Стороженко, И.П. |
| topic |
Вакуумная и твердотельная электроника |
| topic_facet |
Вакуумная и твердотельная электроника |
| publishDate |
2012 |
| language |
Russian |
| container_title |
Радіофізика та електроніка |
| publisher |
Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Резонансні частоти діодів Ганна на основі варизонних напівпровідникових нітридів Resonance frequencies of Gunn diodes based on nitride graded-gap semiconductors |
| description |
Изучен дрейф доменов и колебания тока в приборах на основе варизонных полупроводниковых нитридов InGaN, AlGaN, AlInN, InBN, GaBN и AlBN. Показано, что применение варизонных полупроводников позволяет увеличить ширину рабочего диапазона частот диодов Ганна. Проведен обзор варизонных полупроводников А3В5 с подобным эффектом.
Вивчено дрейф доменів і коливання струму в приладах на основі варизонних напівпровідникових нітридів InGaN, AlGaN, AlInN, InBN, GaBN і AlBN. Показано, що застосування варизонних напівпровідників дозволяє збільшити ширину робочого діапазону частот діодів Ганна. Проведено огляд варизонних напівпровідників А3В5 з подібним ефектом.
The drifting domain and current oscillations in devices based on graded-gap semiconductors are studied. It is shown that the use of graded-gap semiconductors can increase the width of the working frequency of Gunn diodes. The review of graded-gap semiconductors A3B5 having a similar effect is given.
|
| issn |
1028-821X |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/105899 |
| citation_txt |
Резонансные частоты диодов Ганна на основе варизонных полупроводниковых нитридов / И.П. Стороженко // Радіофізика та електроніка. — 2012. — Т. 3(17), № 3. — С. 79-82. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT storoženkoip rezonansnyečastotydiodovgannanaosnovevarizonnyhpoluprovodnikovyhnitridov AT storoženkoip rezonansníčastotidíodívgannanaosnovívarizonnihnapívprovídnikovihnítridív AT storoženkoip resonancefrequenciesofgunndiodesbasedonnitridegradedgapsemiconductors |
| first_indexed |
2025-11-30T16:55:28Z |
| last_indexed |
2025-11-30T16:55:28Z |
| _version_ |
1850858242696019968 |