Импеданс и эффективность генерации планарного диода с резонансно-туннельной границей на основе GaAs
В данном исследовании рассматриваются электронные процессы в диодах с РТГ на основе GaAs, при условии, что РТГ ограничена по протяженности. Определяются зависимости активной и реактивной составляющих импеданса планарного диода с РТГ для реальных параметров диодов. Показано, что частотные возможности...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Радіофізика та електроніка |
|---|---|
| Datum: | 2013 |
| Hauptverfasser: | , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України
2013
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/105969 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Импеданс и эффективность генерации планарного диода с резонансно-туннельной границей на основе GaAs / Э.Д. Прохоров, О.В. Боцула, О.А. Реутина // Радіофізика та електроніка. — 2013. — Т. 4(18), № 1. — С. 86-90. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862747913895018496 |
|---|---|
| author | Прохоров, Э.Д. Боцула, О.В. Реутина, О.А. |
| author_facet | Прохоров, Э.Д. Боцула, О.В. Реутина, О.А. |
| citation_txt | Импеданс и эффективность генерации планарного диода с резонансно-туннельной границей на основе GaAs / Э.Д. Прохоров, О.В. Боцула, О.А. Реутина // Радіофізика та електроніка. — 2013. — Т. 4(18), № 1. — С. 86-90. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Радіофізика та електроніка |
| description | В данном исследовании рассматриваются электронные процессы в диодах с РТГ на основе GaAs, при условии, что РТГ ограничена по протяженности. Определяются зависимости активной и реактивной составляющих импеданса планарного диода с РТГ для реальных параметров диодов. Показано, что частотные возможности диода с РТГ существенно зависят от местоположения границы и эффективность генерации и частотный диапазон уменьшаются при перемещении РТГ к аноду.
У даному дослідженні розглядаються електронні процеси в діодах з РТМ на основі GaAs, за умови, що РТМ обмежена по протяжності. Визначаються залежності активної і реактивної складових імпедансу планарного діоду з РТМ для реальних параметрів діодів. Показано, що частотні можливості діоду з РТМ істотно залежать від місця розташування межі і ефективність генерації та частотний діапазон зменшуються при переміщенні РТМ до аноду.
In this study electronic processes in diodes with a resonant tunneling boundary based on GaAs are considered, provided that the resonant tunneling is limited by the length of the boundary. Dependences of the active and reactive components of the impedance of a planar diode with resonant tunneling boundaries for the real diode parameters are determined. It is shown that the frequency possibilities of the diode with resonant tunneling boundaries depend strongly on the location of the boundary. It is shown that the efficiency of generation and the frequency range are reduced by moving the resonant-tunneling boundary to the anode.
|
| first_indexed | 2025-12-07T20:53:00Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-105969 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1028-821X |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T20:53:00Z |
| publishDate | 2013 |
| publisher | Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Прохоров, Э.Д. Боцула, О.В. Реутина, О.А. 2016-09-13T18:13:14Z 2016-09-13T18:13:14Z 2013 Импеданс и эффективность генерации планарного диода с резонансно-туннельной границей на основе GaAs / Э.Д. Прохоров, О.В. Боцула, О.А. Реутина // Радіофізика та електроніка. — 2013. — Т. 4(18), № 1. — С. 86-90. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. 1028-821X https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/105969 621.382.2 В данном исследовании рассматриваются электронные процессы в диодах с РТГ на основе GaAs, при условии, что РТГ ограничена по протяженности. Определяются зависимости активной и реактивной составляющих импеданса планарного диода с РТГ для реальных параметров диодов. Показано, что частотные возможности диода с РТГ существенно зависят от местоположения границы и эффективность генерации и частотный диапазон уменьшаются при перемещении РТГ к аноду. У даному дослідженні розглядаються електронні процеси в діодах з РТМ на основі GaAs, за умови, що РТМ обмежена по протяжності. Визначаються залежності активної і реактивної складових імпедансу планарного діоду з РТМ для реальних параметрів діодів. Показано, що частотні можливості діоду з РТМ істотно залежать від місця розташування межі і ефективність генерації та частотний діапазон зменшуються при переміщенні РТМ до аноду. In this study electronic processes in diodes with a resonant tunneling boundary based on GaAs are considered, provided that the resonant tunneling is limited by the length of the boundary. Dependences of the active and reactive components of the impedance of a planar diode with resonant tunneling boundaries for the real diode parameters are determined. It is shown that the frequency possibilities of the diode with resonant tunneling boundaries depend strongly on the location of the boundary. It is shown that the efficiency of generation and the frequency range are reduced by moving the resonant-tunneling boundary to the anode. ru Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України Радіофізика та електроніка Вакуумная и твердотельная электроника Импеданс и эффективность генерации планарного диода с резонансно-туннельной границей на основе GaAs Імпеданс та ефективність генерації планарного діода з резонансно-тунельної межею на основі GaAs Impedance and generation efficiency of planar diode with resonant tunneling boundary based on GaAs Article published earlier |
| spellingShingle | Импеданс и эффективность генерации планарного диода с резонансно-туннельной границей на основе GaAs Прохоров, Э.Д. Боцула, О.В. Реутина, О.А. Вакуумная и твердотельная электроника |
| title | Импеданс и эффективность генерации планарного диода с резонансно-туннельной границей на основе GaAs |
| title_alt | Імпеданс та ефективність генерації планарного діода з резонансно-тунельної межею на основі GaAs Impedance and generation efficiency of planar diode with resonant tunneling boundary based on GaAs |
| title_full | Импеданс и эффективность генерации планарного диода с резонансно-туннельной границей на основе GaAs |
| title_fullStr | Импеданс и эффективность генерации планарного диода с резонансно-туннельной границей на основе GaAs |
| title_full_unstemmed | Импеданс и эффективность генерации планарного диода с резонансно-туннельной границей на основе GaAs |
| title_short | Импеданс и эффективность генерации планарного диода с резонансно-туннельной границей на основе GaAs |
| title_sort | импеданс и эффективность генерации планарного диода с резонансно-туннельной границей на основе gaas |
| topic | Вакуумная и твердотельная электроника |
| topic_facet | Вакуумная и твердотельная электроника |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/105969 |
| work_keys_str_mv | AT prohorovéd impedansiéffektivnostʹgeneraciiplanarnogodiodasrezonansnotunnelʹnoigraniceinaosnovegaas AT boculaov impedansiéffektivnostʹgeneraciiplanarnogodiodasrezonansnotunnelʹnoigraniceinaosnovegaas AT reutinaoa impedansiéffektivnostʹgeneraciiplanarnogodiodasrezonansnotunnelʹnoigraniceinaosnovegaas AT prohorovéd ímpedanstaefektivnístʹgeneracííplanarnogodíodazrezonansnotunelʹnoímežeûnaosnovígaas AT boculaov ímpedanstaefektivnístʹgeneracííplanarnogodíodazrezonansnotunelʹnoímežeûnaosnovígaas AT reutinaoa ímpedanstaefektivnístʹgeneracííplanarnogodíodazrezonansnotunelʹnoímežeûnaosnovígaas AT prohorovéd impedanceandgenerationefficiencyofplanardiodewithresonanttunnelingboundarybasedongaas AT boculaov impedanceandgenerationefficiencyofplanardiodewithresonanttunnelingboundarybasedongaas AT reutinaoa impedanceandgenerationefficiencyofplanardiodewithresonanttunnelingboundarybasedongaas |