Импеданс и эффективность генерации планарного диода с резонансно-туннельной границей на основе GaAs
В данном исследовании рассматриваются электронные процессы в диодах с РТГ на основе GaAs, при условии, что РТГ ограничена по протяженности. Определяются зависимости активной и реактивной составляющих импеданса планарного диода с РТГ для реальных параметров диодов. Показано, что частотные возможности...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Радіофізика та електроніка |
|---|---|
| Дата: | 2013 |
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України
2013
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/105969 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Импеданс и эффективность генерации планарного диода с резонансно-туннельной границей на основе GaAs / Э.Д. Прохоров, О.В. Боцула, О.А. Реутина // Радіофізика та електроніка. — 2013. — Т. 4(18), № 1. — С. 86-90. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-105969 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Прохоров, Э.Д. Боцула, О.В. Реутина, О.А. 2016-09-13T18:13:14Z 2016-09-13T18:13:14Z 2013 Импеданс и эффективность генерации планарного диода с резонансно-туннельной границей на основе GaAs / Э.Д. Прохоров, О.В. Боцула, О.А. Реутина // Радіофізика та електроніка. — 2013. — Т. 4(18), № 1. — С. 86-90. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. 1028-821X https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/105969 621.382.2 В данном исследовании рассматриваются электронные процессы в диодах с РТГ на основе GaAs, при условии, что РТГ ограничена по протяженности. Определяются зависимости активной и реактивной составляющих импеданса планарного диода с РТГ для реальных параметров диодов. Показано, что частотные возможности диода с РТГ существенно зависят от местоположения границы и эффективность генерации и частотный диапазон уменьшаются при перемещении РТГ к аноду. У даному дослідженні розглядаються електронні процеси в діодах з РТМ на основі GaAs, за умови, що РТМ обмежена по протяжності. Визначаються залежності активної і реактивної складових імпедансу планарного діоду з РТМ для реальних параметрів діодів. Показано, що частотні можливості діоду з РТМ істотно залежать від місця розташування межі і ефективність генерації та частотний діапазон зменшуються при переміщенні РТМ до аноду. In this study electronic processes in diodes with a resonant tunneling boundary based on GaAs are considered, provided that the resonant tunneling is limited by the length of the boundary. Dependences of the active and reactive components of the impedance of a planar diode with resonant tunneling boundaries for the real diode parameters are determined. It is shown that the frequency possibilities of the diode with resonant tunneling boundaries depend strongly on the location of the boundary. It is shown that the efficiency of generation and the frequency range are reduced by moving the resonant-tunneling boundary to the anode. ru Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України Радіофізика та електроніка Вакуумная и твердотельная электроника Импеданс и эффективность генерации планарного диода с резонансно-туннельной границей на основе GaAs Імпеданс та ефективність генерації планарного діода з резонансно-тунельної межею на основі GaAs Impedance and generation efficiency of planar diode with resonant tunneling boundary based on GaAs Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Импеданс и эффективность генерации планарного диода с резонансно-туннельной границей на основе GaAs |
| spellingShingle |
Импеданс и эффективность генерации планарного диода с резонансно-туннельной границей на основе GaAs Прохоров, Э.Д. Боцула, О.В. Реутина, О.А. Вакуумная и твердотельная электроника |
| title_short |
Импеданс и эффективность генерации планарного диода с резонансно-туннельной границей на основе GaAs |
| title_full |
Импеданс и эффективность генерации планарного диода с резонансно-туннельной границей на основе GaAs |
| title_fullStr |
Импеданс и эффективность генерации планарного диода с резонансно-туннельной границей на основе GaAs |
| title_full_unstemmed |
Импеданс и эффективность генерации планарного диода с резонансно-туннельной границей на основе GaAs |
| title_sort |
импеданс и эффективность генерации планарного диода с резонансно-туннельной границей на основе gaas |
| author |
Прохоров, Э.Д. Боцула, О.В. Реутина, О.А. |
| author_facet |
Прохоров, Э.Д. Боцула, О.В. Реутина, О.А. |
| topic |
Вакуумная и твердотельная электроника |
| topic_facet |
Вакуумная и твердотельная электроника |
| publishDate |
2013 |
| language |
Russian |
| container_title |
Радіофізика та електроніка |
| publisher |
Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Імпеданс та ефективність генерації планарного діода з резонансно-тунельної межею на основі GaAs Impedance and generation efficiency of planar diode with resonant tunneling boundary based on GaAs |
| description |
В данном исследовании рассматриваются электронные процессы в диодах с РТГ на основе GaAs, при условии, что РТГ ограничена по протяженности. Определяются зависимости активной и реактивной составляющих импеданса планарного диода с РТГ для реальных параметров диодов. Показано, что частотные возможности диода с РТГ существенно зависят от местоположения границы и эффективность генерации и частотный диапазон уменьшаются при перемещении РТГ к аноду.
У даному дослідженні розглядаються електронні процеси в діодах з РТМ на основі GaAs, за умови, що РТМ обмежена по протяжності. Визначаються залежності активної і реактивної складових імпедансу планарного діоду з РТМ для реальних параметрів діодів. Показано, що частотні можливості діоду з РТМ істотно залежать від місця розташування межі і ефективність генерації та частотний діапазон зменшуються при переміщенні РТМ до аноду.
In this study electronic processes in diodes with a resonant tunneling boundary based on GaAs are considered, provided that the resonant tunneling is limited by the length of the boundary. Dependences of the active and reactive components of the impedance of a planar diode with resonant tunneling boundaries for the real diode parameters are determined. It is shown that the frequency possibilities of the diode with resonant tunneling boundaries depend strongly on the location of the boundary. It is shown that the efficiency of generation and the frequency range are reduced by moving the resonant-tunneling boundary to the anode.
|
| issn |
1028-821X |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/105969 |
| citation_txt |
Импеданс и эффективность генерации планарного диода с резонансно-туннельной границей на основе GaAs / Э.Д. Прохоров, О.В. Боцула, О.А. Реутина // Радіофізика та електроніка. — 2013. — Т. 4(18), № 1. — С. 86-90. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT prohorovéd impedansiéffektivnostʹgeneraciiplanarnogodiodasrezonansnotunnelʹnoigraniceinaosnovegaas AT boculaov impedansiéffektivnostʹgeneraciiplanarnogodiodasrezonansnotunnelʹnoigraniceinaosnovegaas AT reutinaoa impedansiéffektivnostʹgeneraciiplanarnogodiodasrezonansnotunnelʹnoigraniceinaosnovegaas AT prohorovéd ímpedanstaefektivnístʹgeneracííplanarnogodíodazrezonansnotunelʹnoímežeûnaosnovígaas AT boculaov ímpedanstaefektivnístʹgeneracííplanarnogodíodazrezonansnotunelʹnoímežeûnaosnovígaas AT reutinaoa ímpedanstaefektivnístʹgeneracííplanarnogodíodazrezonansnotunelʹnoímežeûnaosnovígaas AT prohorovéd impedanceandgenerationefficiencyofplanardiodewithresonanttunnelingboundarybasedongaas AT boculaov impedanceandgenerationefficiencyofplanardiodewithresonanttunnelingboundarybasedongaas AT reutinaoa impedanceandgenerationefficiencyofplanardiodewithresonanttunnelingboundarybasedongaas |
| first_indexed |
2025-12-07T20:53:00Z |
| last_indexed |
2025-12-07T20:53:00Z |
| _version_ |
1850884258662449152 |