Импеданс и эффективность генерации планарного диода с резонансно-туннельной границей на основе GaAs

• Published in: Радіофізика та електроніка
• Date: 2013
• Main Authors: Прохоров, Э.Д., Боцула, О.В., Реутина, О.А.
• Format: Article
• Language: Russian
• Published: Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України 2013
• Subjects: Вакуумная и твердотельная электроника
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/105969
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Импеданс и эффективность генерации планарного диода с резонансно-туннельной границей на основе GaAs / Э.Д. Прохоров, О.В. Боцула, О.А. Реутина // Радіофізика та електроніка. — 2013. — Т. 4(18), № 1. — С. 86-90. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.

В данном исследовании рассматриваются электронные процессы в диодах с РТГ на основе GaAs, при условии, что РТГ ограничена по протяженности. Определяются зависимости активной и реактивной составляющих импеданса планарного диода с РТГ для реальных параметров диодов. Показано, что частотные возможности...