Субмиллиметровый диод на арсенид–галлиевой наноструктуре
Рабочая частота диода субмиллиметрового диапазона на AlGaN/GaN однобарьерной наноструктуре с нерезонансным туннелированием электронов определяется инерционностью их туннелирования через потенциальный барьер этой структуры. С целью повышения рабочей частоты исследуется аналогичный диод на AlGaAs/GaAs...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Радіофізика та електроніка |
|---|---|
| Datum: | 2014 |
| Hauptverfasser: | , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України
2014
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/106051 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Субмиллиметровый диод на арсенид–галлиевой наноструктуре / Н.М. Гончарук, Н.Ф. Карушкин, В.А. Ореховский, В.В. Малышко // Радіофізика та електроніка. — 2014. — Т. 5(19), № 1. — С. 55-61. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |