Субмиллиметровый диод на арсенид–галлиевой наноструктуре

• Опубліковано в: : Радіофізика та електроніка
• Дата: 2014
• Автори: Гончарук, Н.М., Карушкин, Н.Ф., Ореховский, В.А., Малышко, В.В.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України 2014
• Теми: Вакуумная и твердотельная электроника
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/106051
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Субмиллиметровый диод на арсенид–галлиевой наноструктуре / Н.М. Гончарук, Н.Ф. Карушкин, В.А. Ореховский, В.В. Малышко // Радіофізика та електроніка. — 2014. — Т. 5(19), № 1. — С. 55-61. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.

Рабочая частота диода субмиллиметрового диапазона на AlGaN/GaN однобарьерной наноструктуре с нерезонансным туннелированием электронов определяется инерционностью их туннелирования через потенциальный барьер этой структуры. С целью повышения рабочей частоты исследуется аналогичный диод на AlGaAs/GaAs...