Диоды Ганна на основе варизонных InBN и GaBN

• Published in: Радіофізика та електроніка
• Date: 2014
• Main Authors: Стороженко, И.П., Ярошенко, А.Н., Аркуша, Ю.В.
• Format: Article
• Language: Russian
• Published: Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України 2014
• Subjects: Вакуумная и твердотельная электроника
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/106070
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Диоды Ганна на основе варизонных InBN и GaBN / И.П. Стороженко, А.Н. Ярошенко, Ю.В. Аркуша // Радіофізика та електроніка. — 2014. — Т. 5(19), № 2. — С. 77-81. — Бібліогр.: 11 назв. — рос.

В статье представлены результаты численных экспериментов по генерации электромагнитных колебаний в диапазоне 0,03…0,7 ТГц с помощью n+–n–n+-диодов Ганна на основе варизонных полупроводниковых соединений InBN и GaBN при различном распределении BN. У статті наведено результати числових експериментів з генерації електромагнітних коливань у діапазоні 0,03...0,7 ТГц за допомогою n+–n–n+-діодів Ганна на основі варизонних напівпровідникових сполук InBN і GaBN при різному розподілі BN. The paper presents the results of numerical experiments on the oscillation generation in the range of 0.03...0.7 THz using the n+–n–n+ Gunn diodes based on InBN and GaBN graded gap semiconductor compounds at different BN distribution.