Диоды Ганна на основе варизонных InBN и GaBN
В статье представлены результаты численных экспериментов по генерации электромагнитных колебаний в диапазоне 0,03…0,7 ТГц с помощью n+–n–n+-диодов Ганна на основе варизонных полупроводниковых соединений InBN и GaBN при различном распределении BN. У статті наведено результати числових експериментів з...
Saved in:
| Published in: | Радіофізика та електроніка |
|---|---|
| Date: | 2014 |
| Main Authors: | , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України
2014
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/106070 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Диоды Ганна на основе варизонных InBN и GaBN / И.П. Стороженко, А.Н. Ярошенко, Ю.В. Аркуша // Радіофізика та електроніка. — 2014. — Т. 5(19), № 2. — С. 77-81. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-106070 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Стороженко, И.П. Ярошенко, А.Н. Аркуша, Ю.В. 2016-09-16T05:42:54Z 2016-09-16T05:42:54Z 2014 Диоды Ганна на основе варизонных InBN и GaBN / И.П. Стороженко, А.Н. Ярошенко, Ю.В. Аркуша // Радіофізика та електроніка. — 2014. — Т. 5(19), № 2. — С. 77-81. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. 1028-821X https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/106070 621.382.2 В статье представлены результаты численных экспериментов по генерации электромагнитных колебаний в диапазоне 0,03…0,7 ТГц с помощью n+–n–n+-диодов Ганна на основе варизонных полупроводниковых соединений InBN и GaBN при различном распределении BN. У статті наведено результати числових експериментів з генерації електромагнітних коливань у діапазоні 0,03...0,7 ТГц за допомогою n+–n–n+-діодів Ганна на основі варизонних напівпровідникових сполук InBN і GaBN при різному розподілі BN. The paper presents the results of numerical experiments on the oscillation generation in the range of 0.03...0.7 THz using the n+–n–n+ Gunn diodes based on InBN and GaBN graded gap semiconductor compounds at different BN distribution. ru Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України Радіофізика та електроніка Вакуумная и твердотельная электроника Диоды Ганна на основе варизонных InBN и GaBN Діоди Ганна на основі варизонних InBN i GaBN InBN and GaBN graded gap Gunn diodes Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Диоды Ганна на основе варизонных InBN и GaBN |
| spellingShingle |
Диоды Ганна на основе варизонных InBN и GaBN Стороженко, И.П. Ярошенко, А.Н. Аркуша, Ю.В. Вакуумная и твердотельная электроника |
| title_short |
Диоды Ганна на основе варизонных InBN и GaBN |
| title_full |
Диоды Ганна на основе варизонных InBN и GaBN |
| title_fullStr |
Диоды Ганна на основе варизонных InBN и GaBN |
| title_full_unstemmed |
Диоды Ганна на основе варизонных InBN и GaBN |
| title_sort |
диоды ганна на основе варизонных inbn и gabn |
| author |
Стороженко, И.П. Ярошенко, А.Н. Аркуша, Ю.В. |
| author_facet |
Стороженко, И.П. Ярошенко, А.Н. Аркуша, Ю.В. |
| topic |
Вакуумная и твердотельная электроника |
| topic_facet |
Вакуумная и твердотельная электроника |
| publishDate |
2014 |
| language |
Russian |
| container_title |
Радіофізика та електроніка |
| publisher |
Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Діоди Ганна на основі варизонних InBN i GaBN InBN and GaBN graded gap Gunn diodes |
| description |
В статье представлены результаты численных экспериментов по генерации электромагнитных колебаний в диапазоне 0,03…0,7 ТГц с помощью n+–n–n+-диодов Ганна на основе варизонных полупроводниковых соединений InBN и GaBN при различном распределении BN.
У статті наведено результати числових експериментів з генерації електромагнітних коливань у діапазоні 0,03...0,7 ТГц за допомогою n+–n–n+-діодів Ганна на основі варизонних напівпровідникових сполук InBN і GaBN при різному розподілі BN.
The paper presents the results of numerical experiments on the oscillation generation in the range of 0.03...0.7 THz using the n+–n–n+ Gunn diodes based on InBN and GaBN graded gap semiconductor compounds at different BN distribution.
|
| issn |
1028-821X |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/106070 |
| citation_txt |
Диоды Ганна на основе варизонных InBN и GaBN / И.П. Стороженко, А.Н. Ярошенко, Ю.В. Аркуша // Радіофізика та електроніка. — 2014. — Т. 5(19), № 2. — С. 77-81. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT storoženkoip diodygannanaosnovevarizonnyhinbnigabn AT ârošenkoan diodygannanaosnovevarizonnyhinbnigabn AT arkušaûv diodygannanaosnovevarizonnyhinbnigabn AT storoženkoip díodigannanaosnovívarizonnihinbnigabn AT ârošenkoan díodigannanaosnovívarizonnihinbnigabn AT arkušaûv díodigannanaosnovívarizonnihinbnigabn AT storoženkoip inbnandgabngradedgapgunndiodes AT ârošenkoan inbnandgabngradedgapgunndiodes AT arkušaûv inbnandgabngradedgapgunndiodes |
| first_indexed |
2025-11-28T21:52:54Z |
| last_indexed |
2025-11-28T21:52:54Z |
| _version_ |
1850854170818510848 |