Диоды Ганна на основе варизонных InBN и GaBN

В статье представлены результаты численных экспериментов по генерации электромагнитных колебаний в диапазоне 0,03…0,7 ТГц с помощью n+–n–n+-диодов Ганна на основе варизонных полупроводниковых соединений InBN и GaBN при различном распределении BN. У статті наведено результати числових експериментів з...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Радіофізика та електроніка
Date:2014
Main Authors: Стороженко, И.П., Ярошенко, А.Н., Аркуша, Ю.В.
Format: Article
Language:Russian
Published: Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України 2014
Subjects:
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/106070
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Диоды Ганна на основе варизонных InBN и GaBN / И.П. Стороженко, А.Н. Ярошенко, Ю.В. Аркуша // Радіофізика та електроніка. — 2014. — Т. 5(19), № 2. — С. 77-81. — Бібліогр.: 11 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
_version_ 1862610424609898496
author Стороженко, И.П.
Ярошенко, А.Н.
Аркуша, Ю.В.
author_facet Стороженко, И.П.
Ярошенко, А.Н.
Аркуша, Ю.В.
citation_txt Диоды Ганна на основе варизонных InBN и GaBN / И.П. Стороженко, А.Н. Ярошенко, Ю.В. Аркуша // Радіофізика та електроніка. — 2014. — Т. 5(19), № 2. — С. 77-81. — Бібліогр.: 11 назв. — рос.
collection DSpace DC
container_title Радіофізика та електроніка
description В статье представлены результаты численных экспериментов по генерации электромагнитных колебаний в диапазоне 0,03…0,7 ТГц с помощью n+–n–n+-диодов Ганна на основе варизонных полупроводниковых соединений InBN и GaBN при различном распределении BN. У статті наведено результати числових експериментів з генерації електромагнітних коливань у діапазоні 0,03...0,7 ТГц за допомогою n+–n–n+-діодів Ганна на основі варизонних напівпровідникових сполук InBN і GaBN при різному розподілі BN. The paper presents the results of numerical experiments on the oscillation generation in the range of 0.03...0.7 THz using the n+–n–n+ Gunn diodes based on InBN and GaBN graded gap semiconductor compounds at different BN distribution.
first_indexed 2025-11-28T21:52:54Z
format Article
fulltext
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-106070
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
issn 1028-821X
language Russian
last_indexed 2025-11-28T21:52:54Z
publishDate 2014
publisher Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України
record_format dspace
spelling Стороженко, И.П.
Ярошенко, А.Н.
Аркуша, Ю.В.
2016-09-16T05:42:54Z
2016-09-16T05:42:54Z
2014
Диоды Ганна на основе варизонных InBN и GaBN / И.П. Стороженко, А.Н. Ярошенко, Ю.В. Аркуша // Радіофізика та електроніка. — 2014. — Т. 5(19), № 2. — С. 77-81. — Бібліогр.: 11 назв. — рос.
1028-821X
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/106070
621.382.2
В статье представлены результаты численных экспериментов по генерации электромагнитных колебаний в диапазоне 0,03…0,7 ТГц с помощью n+–n–n+-диодов Ганна на основе варизонных полупроводниковых соединений InBN и GaBN при различном распределении BN.
У статті наведено результати числових експериментів з генерації електромагнітних коливань у діапазоні 0,03...0,7 ТГц за допомогою n+–n–n+-діодів Ганна на основі варизонних напівпровідникових сполук InBN і GaBN при різному розподілі BN.
The paper presents the results of numerical experiments on the oscillation generation in the range of 0.03...0.7 THz using the n+–n–n+ Gunn diodes based on InBN and GaBN graded gap semiconductor compounds at different BN distribution.
ru
Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України
Радіофізика та електроніка
Вакуумная и твердотельная электроника
Диоды Ганна на основе варизонных InBN и GaBN
Діоди Ганна на основі варизонних InBN i GaBN
InBN and GaBN graded gap Gunn diodes
Article
published earlier
spellingShingle Диоды Ганна на основе варизонных InBN и GaBN
Стороженко, И.П.
Ярошенко, А.Н.
Аркуша, Ю.В.
Вакуумная и твердотельная электроника
title Диоды Ганна на основе варизонных InBN и GaBN
title_alt Діоди Ганна на основі варизонних InBN i GaBN
InBN and GaBN graded gap Gunn diodes
title_full Диоды Ганна на основе варизонных InBN и GaBN
title_fullStr Диоды Ганна на основе варизонных InBN и GaBN
title_full_unstemmed Диоды Ганна на основе варизонных InBN и GaBN
title_short Диоды Ганна на основе варизонных InBN и GaBN
title_sort диоды ганна на основе варизонных inbn и gabn
topic Вакуумная и твердотельная электроника
topic_facet Вакуумная и твердотельная электроника
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/106070
work_keys_str_mv AT storoženkoip diodygannanaosnovevarizonnyhinbnigabn
AT ârošenkoan diodygannanaosnovevarizonnyhinbnigabn
AT arkušaûv diodygannanaosnovevarizonnyhinbnigabn
AT storoženkoip díodigannanaosnovívarizonnihinbnigabn
AT ârošenkoan díodigannanaosnovívarizonnihinbnigabn
AT arkušaûv díodigannanaosnovívarizonnihinbnigabn
AT storoženkoip inbnandgabngradedgapgunndiodes
AT ârošenkoan inbnandgabngradedgapgunndiodes
AT arkušaûv inbnandgabngradedgapgunndiodes