Диод с катодным статическим доменом на основе гетероструктуры

• Published in: Радіофізика та електроніка
• Date: 2015
• Main Authors: Боцула, О.В., Приходько, К.Г.
• Format: Article
• Language: Russian
• Published: Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України 2015
• Subjects: Радиофизика твердого тела и плазмы
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/106241
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Диод с катодным статическим доменом на основе гетероструктуры / О.В. Боцула, К.Г. Приходько // Радіофізика та електроніка. — 2015. — Т. 6(20), № 3. — С. 66-71. — Бібліогр.: 13 назв. — рос.

В данной работе исследуются статические, импедансные и шумовые характеристики структур GaAs–AlGaAs и AlGaAs–GaAs, в которых за счет профиля легирования на гетеропереходе формируется статический домен сильного поля. Характеристики рассматриваемых диодов сравниваются с характеристиками аналогичных при...