Образование переходного диффузионного слоя "покрытие—подложка" при электрокристаллизации

Рассмотрено образование переходного диффузионного слоя «покрытие—подложка» при электрокристаллизации. Результаты микрорентгено-спектрального анализа показали, что толщина диффузионного слоя при электроосаждении никеля на медной подложке составила 1,5—3 мкм при изменении катодного потенциала от 0,1 д...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Металлофизика и новейшие технологии
Дата:2014
Автори: Штапенко, Э.Ф., Заблудовский, В.А., Дудкина, В.В.
Формат: Стаття
Мова:Російська
Опубліковано: Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України 2014
Теми:
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/106871
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Образование переходного диффузионного слоя "покрытие—подложка" при электрокристаллизации / Э.Ф. Штапенко, В.А. Заблудовский, В.В. Дудкина // Металлофизика и новейшие технологии. — 2014. — Т. 36, № 1. — С. 39-48. — Бібліогр.: 14 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
_version_ 1862636257077624832
author Штапенко, Э.Ф.
Заблудовский, В.А.
Дудкина, В.В.
author_facet Штапенко, Э.Ф.
Заблудовский, В.А.
Дудкина, В.В.
citation_txt Образование переходного диффузионного слоя "покрытие—подложка" при электрокристаллизации / Э.Ф. Штапенко, В.А. Заблудовский, В.В. Дудкина // Металлофизика и новейшие технологии. — 2014. — Т. 36, № 1. — С. 39-48. — Бібліогр.: 14 назв. — рос.
collection DSpace DC
container_title Металлофизика и новейшие технологии
description Рассмотрено образование переходного диффузионного слоя «покрытие—подложка» при электрокристаллизации. Результаты микрорентгено-спектрального анализа показали, что толщина диффузионного слоя при электроосаждении никеля на медной подложке составила 1,5—3 мкм при изменении катодного потенциала от 0,1 до 0,3 В, а при электроосаждении цинка на медной подложке – 0,5—2 мкм при изменении потенциала от 0,2 до 0,4 В. В рамках модели несовпадающих сфер в теории упругости рассчитаны энергии, необходимые для встраивания адсорбированных атомов никеля и цинка в кристаллическую решётку медной подложки. Показано, что для систем, образующих твёрдые растворы Ni—Cu и Zn—Cu, энергии, необходимые для встраивания атомов никеля или цинка в кристаллическую решётку медной подложки, являются достаточными, но недостаточными для встраивания атомов в кристаллическую решётку вольфрамовой подложки, что подтверждается результатами микрорентгеноспектрального анализа. Розглянуто утворення перехідного дифузійного шару «покриття—підложжя» при електрокристалізації. Результати мікрорентґеноспектрального аналізу показали, що товщина дифузійного шару при електроосадженні ніклю на мідному підложжі склала 1,5—3 мкм при зміні катодного потенціялу від 0,1 до 0,3 В, а при електроосадженні цинку на мідному підложжі – 0,5—2 мкм при зміні потенціялу від 0,2 до 0,4 В. В межах моделю незбіжних сфер у теорії пружности розраховано енергії, необхідні для вбудовування адсорбованих атомів ніклю та цинку в кристалічну ґратницю мідного підложжя. Показано, що для систем, які утворюють тверді розчини Ni—Cu и Zn—Cu, енергії, що необхідні для вбудовування атомів ніклю чи цинку в кристалічну ґратницю мідного підложжя, є достатніми, але недостатніми для вбудовування атомів у кристалічну ґратницю вольфрамового підложжя, що підтверджується результатами мікрорентґено-спектрального аналізу. The formation of transient diffusion layer at electrocrystallization in the transition ‘coating—substrate’ layer is considered. Results of the micro-Xray spectral analysis show that depth of a diffusion layer at nickel electrodeposition on a copper substrate is equal to 1.5—3 μm at variation of cathodic potential from 0.1 to 0.3 V and is equal to 0.5—2 μm at zinc electrodeposition on a copper substrate at potential variation from 0.2 to 0.4 V. Within the scope of the model of not coinciding spheres in the elasticity theory, energies, which are necessary for introduction of the adsorbed atoms of nickel and zinc into a crystal lattice of a copper substrate, are calculated. As shown, for systems, which form solid Ni—Cu and Zn—Cu solutions, the energy required for embedding of nickel or zinc into the crystal lattice of the copper substrate is sufficient, but it is not sufficient to embed atoms into the crystal lattice of the tungsten substrate. It is confirmed by results of the micro-X-ray spectral analysis.
first_indexed 2025-11-30T20:42:54Z
format Article
fulltext
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-106871
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
issn 1024-1809
language Russian
last_indexed 2025-11-30T20:42:54Z
publishDate 2014
publisher Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
record_format dspace
spelling Штапенко, Э.Ф.
Заблудовский, В.А.
Дудкина, В.В.
2016-10-08T08:53:22Z
2016-10-08T08:53:22Z
2014
Образование переходного диффузионного слоя "покрытие—подложка" при электрокристаллизации / Э.Ф. Штапенко, В.А. Заблудовский, В.В. Дудкина // Металлофизика и новейшие технологии. — 2014. — Т. 36, № 1. — С. 39-48. — Бібліогр.: 14 назв. — рос.
1024-1809
DOI: http://dx.doi.org/10.15407/mfint.36.01.0039
PACS numbers: 61.72.S-, 68.35.Fx,68.55.Ln,81.15.-z,81.65.-b,81.70.Jb, 82.80.Pv
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/106871
Рассмотрено образование переходного диффузионного слоя «покрытие—подложка» при электрокристаллизации. Результаты микрорентгено-спектрального анализа показали, что толщина диффузионного слоя при электроосаждении никеля на медной подложке составила 1,5—3 мкм при изменении катодного потенциала от 0,1 до 0,3 В, а при электроосаждении цинка на медной подложке – 0,5—2 мкм при изменении потенциала от 0,2 до 0,4 В. В рамках модели несовпадающих сфер в теории упругости рассчитаны энергии, необходимые для встраивания адсорбированных атомов никеля и цинка в кристаллическую решётку медной подложки. Показано, что для систем, образующих твёрдые растворы Ni—Cu и Zn—Cu, энергии, необходимые для встраивания атомов никеля или цинка в кристаллическую решётку медной подложки, являются достаточными, но недостаточными для встраивания атомов в кристаллическую решётку вольфрамовой подложки, что подтверждается результатами микрорентгеноспектрального анализа.
Розглянуто утворення перехідного дифузійного шару «покриття—підложжя» при електрокристалізації. Результати мікрорентґеноспектрального аналізу показали, що товщина дифузійного шару при електроосадженні ніклю на мідному підложжі склала 1,5—3 мкм при зміні катодного потенціялу від 0,1 до 0,3 В, а при електроосадженні цинку на мідному підложжі – 0,5—2 мкм при зміні потенціялу від 0,2 до 0,4 В. В межах моделю незбіжних сфер у теорії пружности розраховано енергії, необхідні для вбудовування адсорбованих атомів ніклю та цинку в кристалічну ґратницю мідного підложжя. Показано, що для систем, які утворюють тверді розчини Ni—Cu и Zn—Cu, енергії, що необхідні для вбудовування атомів ніклю чи цинку в кристалічну ґратницю мідного підложжя, є достатніми, але недостатніми для вбудовування атомів у кристалічну ґратницю вольфрамового підложжя, що підтверджується результатами мікрорентґено-спектрального аналізу.
The formation of transient diffusion layer at electrocrystallization in the transition ‘coating—substrate’ layer is considered. Results of the micro-Xray spectral analysis show that depth of a diffusion layer at nickel electrodeposition on a copper substrate is equal to 1.5—3 μm at variation of cathodic potential from 0.1 to 0.3 V and is equal to 0.5—2 μm at zinc electrodeposition on a copper substrate at potential variation from 0.2 to 0.4 V. Within the scope of the model of not coinciding spheres in the elasticity theory, energies, which are necessary for introduction of the adsorbed atoms of nickel and zinc into a crystal lattice of a copper substrate, are calculated. As shown, for systems, which form solid Ni—Cu and Zn—Cu solutions, the energy required for embedding of nickel or zinc into the crystal lattice of the copper substrate is sufficient, but it is not sufficient to embed atoms into the crystal lattice of the tungsten substrate. It is confirmed by results of the micro-X-ray spectral analysis.
ru
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
Металлофизика и новейшие технологии
Металлические поверхности и плёнки
Образование переходного диффузионного слоя "покрытие—подложка" при электрокристаллизации
Утворення перехідного дифузійного шару «покриття—підложжя» при електрокристалізації
Formation of the ‘Coating—Substrate’ Transient Diffusion Layer at Electrocrystallization
Article
published earlier
spellingShingle Образование переходного диффузионного слоя "покрытие—подложка" при электрокристаллизации
Штапенко, Э.Ф.
Заблудовский, В.А.
Дудкина, В.В.
Металлические поверхности и плёнки
title Образование переходного диффузионного слоя "покрытие—подложка" при электрокристаллизации
title_alt Утворення перехідного дифузійного шару «покриття—підложжя» при електрокристалізації
Formation of the ‘Coating—Substrate’ Transient Diffusion Layer at Electrocrystallization
title_full Образование переходного диффузионного слоя "покрытие—подложка" при электрокристаллизации
title_fullStr Образование переходного диффузионного слоя "покрытие—подложка" при электрокристаллизации
title_full_unstemmed Образование переходного диффузионного слоя "покрытие—подложка" при электрокристаллизации
title_short Образование переходного диффузионного слоя "покрытие—подложка" при электрокристаллизации
title_sort образование переходного диффузионного слоя "покрытие—подложка" при электрокристаллизации
topic Металлические поверхности и плёнки
topic_facet Металлические поверхности и плёнки
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/106871
work_keys_str_mv AT štapenkoéf obrazovanieperehodnogodiffuzionnogosloâpokrytiepodložkapriélektrokristallizacii
AT zabludovskiiva obrazovanieperehodnogodiffuzionnogosloâpokrytiepodložkapriélektrokristallizacii
AT dudkinavv obrazovanieperehodnogodiffuzionnogosloâpokrytiepodložkapriélektrokristallizacii
AT štapenkoéf utvorennâperehídnogodifuzíinogošarupokrittâpídložžâprielektrokristalízacíí
AT zabludovskiiva utvorennâperehídnogodifuzíinogošarupokrittâpídložžâprielektrokristalízacíí
AT dudkinavv utvorennâperehídnogodifuzíinogošarupokrittâpídložžâprielektrokristalízacíí
AT štapenkoéf formationofthecoatingsubstratetransientdiffusionlayeratelectrocrystallization
AT zabludovskiiva formationofthecoatingsubstratetransientdiffusionlayeratelectrocrystallization
AT dudkinavv formationofthecoatingsubstratetransientdiffusionlayeratelectrocrystallization