Слабка локалізація – можлива причина особливостей температурної поведінки електроопору аморфних сплавів на основі кобальту

Досліджено та проаналізовано температурні залежності електроопору R(T) аморфних сплавів Сo80xFexB20 (2 ≤ x ≤ 20). Наведено арґументи на користь того, що особливості поведінки R(T) цих сплавів можуть бути пояснені з точки зору не тільки розупорядкованості атомної структури, але й ефектів слабкої лок...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Металлофизика и новейшие технологии
Дата:2014
Автор: Семенько, М.П.
Формат: Стаття
Мова:Ukrainian
Опубліковано: Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України 2014
Теми:
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/106885
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Слабка локалізація – можлива причина особливостей температурної поведінки електроопору аморфних сплавів на основі кобальту / М.П. Семенько // Металлофизика и новейшие технологии. — 2014. — Т. 36, № 2. — С. 195-204. — Бібліогр.: 24 назв. — укр.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Опис
Резюме:Досліджено та проаналізовано температурні залежності електроопору R(T) аморфних сплавів Сo80xFexB20 (2 ≤ x ≤ 20). Наведено арґументи на користь того, що особливості поведінки R(T) цих сплавів можуть бути пояснені з точки зору не тільки розупорядкованості атомної структури, але й ефектів слабкої локалізації. Розглянуто можливий вплив електронної структури сплавів на ці ефекти. Исследованы и проанализированы температурные зависимости электросопротивления R(T) аморфных сплавов Сo80xFexB20 (2 ≤ x ≤ 20). Приведены аргументы в пользу того, что особенности поведения R(T) этих сплавов являются следствием не только разупорядоченности атомной структуры, но и эффектов слабой локализации. Рассмотрено возможное влияние электронной структуры сплавов на эти эффекты. Temperature dependences of the electrical resistivity, R(T), of the amorphous Сo80xFexB20 alloys (2 ≤ x ≤ 20) are investigated and analysed. As argued, the revealed peculiarities in the R(T) curves arise not only due to the disordered atomic structure, but also due to the weak localisation effects. The possible influence of electronic structure of the alloys on these effects is discussed.
ISSN:1024-1809