Слабка локалізація – можлива причина особливостей температурної поведінки електроопору аморфних сплавів на основі кобальту
Досліджено та проаналізовано температурні залежності електроопору R(T) аморфних сплавів Сo80xFexB20 (2 ≤ x ≤ 20). Наведено арґументи на користь того, що особливості поведінки R(T) цих сплавів можуть бути пояснені з точки зору не тільки розупорядкованості атомної структури, але й ефектів слабкої лок...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Металлофизика и новейшие технологии |
|---|---|
| Дата: | 2014 |
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Ukrainian |
| Опубліковано: |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
2014
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/106885 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Слабка локалізація – можлива причина особливостей температурної поведінки електроопору аморфних сплавів на основі кобальту / М.П. Семенько // Металлофизика и новейшие технологии. — 2014. — Т. 36, № 2. — С. 195-204. — Бібліогр.: 24 назв. — укр. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Резюме: | Досліджено та проаналізовано температурні залежності електроопору R(T) аморфних сплавів Сo80xFexB20 (2 ≤ x ≤ 20). Наведено арґументи на користь того, що особливості поведінки R(T) цих сплавів можуть бути пояснені з точки зору не тільки розупорядкованості атомної структури, але й ефектів слабкої локалізації. Розглянуто можливий вплив електронної структури сплавів на ці ефекти.
Исследованы и проанализированы температурные зависимости электросопротивления R(T) аморфных сплавов Сo80xFexB20 (2 ≤ x ≤ 20). Приведены аргументы в пользу того, что особенности поведения R(T) этих сплавов являются следствием не только разупорядоченности атомной структуры, но и эффектов слабой локализации. Рассмотрено возможное влияние электронной структуры сплавов на эти эффекты.
Temperature dependences of the electrical resistivity, R(T), of the amorphous Сo80xFexB20 alloys (2 ≤ x ≤ 20) are investigated and analysed. As argued, the revealed peculiarities in the R(T) curves arise not only due to the disordered atomic structure, but also due to the weak localisation effects. The possible influence of electronic structure of the alloys on these effects is discussed.
|
|---|---|
| ISSN: | 1024-1809 |