Interaction between Electron and Phonon Subsystems in Hafnium Diboride
Ab initio розрахунок функцій електрон-фононного зв’язку виконано за методом ЛМТО з використанням повного потенціалу. Низьке значення усередненої константи електрон-фононної взаємодії для HfB₂ λ=0,17 свідчить, що немає підстав для виникнення надпровідного стану в цій сполуці. Вперше було розраховано...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Металлофизика и новейшие технологии |
|---|---|
| Datum: | 2014 |
| 1. Verfasser: | |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | English |
| Veröffentlicht: |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
2014
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/106903 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Interaction between Electron and Phonon Subsystems in Hafnium Diboride / S.M. Sichkar // Металлофизика и новейшие технологии. — 2014. — Т. 36, № 3. — С. 419-429. — Бібліогр.: 26 назв. — англ. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-106903 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Sichkar, S.M. 2016-10-08T19:07:58Z 2016-10-08T19:07:58Z 2014 Interaction between Electron and Phonon Subsystems in Hafnium Diboride / S.M. Sichkar // Металлофизика и новейшие технологии. — 2014. — Т. 36, № 3. — С. 419-429. — Бібліогр.: 26 назв. — англ. 1024-1809 PACS: 63.20.dk, 71.15.-m, 71.15.Mb, 71.38.-k, 72.10.Di, 72.15.Eb DOI: http://dx.doi.org/10.15407/mfint.36.03.0419 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/106903 Ab initio розрахунок функцій електрон-фононного зв’язку виконано за методом ЛМТО з використанням повного потенціалу. Низьке значення усередненої константи електрон-фононної взаємодії для HfB₂ λ=0,17 свідчить, що немає підстав для виникнення надпровідного стану в цій сполуці. Вперше було розраховано електричний опір і коефіцієнт анізотропії ρz/ρx=1,079 (Т=300 К) для дибориду гафнію. Було досягнуто добру узгодженість з експериментальними даними для електричного опору. У роботі виконано порівняльний аналіз результатів розрахунків фононних спектрів методами ABINIT, SIESTA, VASP та запропонованим методом ЛМТО з детальним обговоренням одержаних відмінностей. Ab initio расчёт функций электрон-фононной связи выполнен в рамках метода ЛМТО с использованием полного потенциала. Низкое значение усреднённой константы электрон-фононного взаимодействия для HfB₂ λ=0,17 свидетельствует, что нет оснований для возникновения сверхпроводящего состояния в этом соединении. Впервые были рассчитаны электрическое сопротивление и коэффициент анизотропии ρz/ρx=1,079 (T=300 К) для диборида гафния. Было достигнуто хорошее согласие с экспериментальными данными для электрического сопротивления. В работе выполнен сравнительный анализ результатов расчётов фононных спектров методами ABINIT, Siesta, VASP и предложенным методом ЛМТО с детальным обсуждением полученных различий Ab initio calculation of the electron—phonon coupling functions is carried out, using full potential LMTO method. Low value of the averaged electron— phonon interaction constant for HfB₂ λ=0.17 indicates that there is no evidence of superconductivity in this compound. Electrical resistivity and anisotropy factor ρz/ρx=1.079 (T=300 K) are theoretically calculated. A good agreement with experimental data of electrical resistivity is achieved. Comparative analysis of ABINIT, SIESTA, VASP, and present LMTO method for phonon spectra calculating is performed. en Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України Металлофизика и новейшие технологии Электронные структура и свойства Interaction between Electron and Phonon Subsystems in Hafnium Diboride Взаємодія між електронними і фононними підсистемами в дибориді гафнію Взаимодействие между электронными и фононными подсистемами в дибориде гафния Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Interaction between Electron and Phonon Subsystems in Hafnium Diboride |
| spellingShingle |
Interaction between Electron and Phonon Subsystems in Hafnium Diboride Sichkar, S.M. Электронные структура и свойства |
| title_short |
Interaction between Electron and Phonon Subsystems in Hafnium Diboride |
| title_full |
Interaction between Electron and Phonon Subsystems in Hafnium Diboride |
| title_fullStr |
Interaction between Electron and Phonon Subsystems in Hafnium Diboride |
| title_full_unstemmed |
Interaction between Electron and Phonon Subsystems in Hafnium Diboride |
| title_sort |
interaction between electron and phonon subsystems in hafnium diboride |
| author |
Sichkar, S.M. |
| author_facet |
Sichkar, S.M. |
| topic |
Электронные структура и свойства |
| topic_facet |
Электронные структура и свойства |
| publishDate |
2014 |
| language |
English |
| container_title |
Металлофизика и новейшие технологии |
| publisher |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Взаємодія між електронними і фононними підсистемами в дибориді гафнію Взаимодействие между электронными и фононными подсистемами в дибориде гафния |
| description |
Ab initio розрахунок функцій електрон-фононного зв’язку виконано за методом ЛМТО з використанням повного потенціалу. Низьке значення усередненої константи електрон-фононної взаємодії для HfB₂ λ=0,17 свідчить, що немає підстав для виникнення надпровідного стану в цій сполуці. Вперше було розраховано електричний опір і коефіцієнт анізотропії ρz/ρx=1,079 (Т=300 К) для дибориду гафнію. Було досягнуто добру узгодженість з експериментальними даними для електричного опору. У роботі виконано порівняльний аналіз результатів розрахунків фононних спектрів методами ABINIT, SIESTA, VASP та запропонованим методом ЛМТО з детальним обговоренням одержаних відмінностей.
Ab initio расчёт функций электрон-фононной связи выполнен в рамках метода ЛМТО с использованием полного потенциала. Низкое значение усреднённой константы электрон-фононного взаимодействия для HfB₂ λ=0,17 свидетельствует, что нет оснований для возникновения сверхпроводящего состояния в этом соединении. Впервые были рассчитаны электрическое сопротивление и коэффициент анизотропии ρz/ρx=1,079 (T=300 К) для диборида гафния. Было достигнуто хорошее согласие с экспериментальными данными для электрического сопротивления. В работе выполнен сравнительный анализ результатов расчётов фононных спектров методами ABINIT, Siesta, VASP и предложенным методом ЛМТО с детальным обсуждением полученных различий
Ab initio calculation of the electron—phonon coupling functions is carried out, using full potential LMTO method. Low value of the averaged electron— phonon interaction constant for HfB₂ λ=0.17 indicates that there is no evidence of superconductivity in this compound. Electrical resistivity and anisotropy factor ρz/ρx=1.079 (T=300 K) are theoretically calculated. A good agreement with experimental data of electrical resistivity is achieved. Comparative analysis of ABINIT, SIESTA, VASP, and present LMTO method for phonon spectra calculating is performed.
|
| issn |
1024-1809 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/106903 |
| citation_txt |
Interaction between Electron and Phonon Subsystems in Hafnium Diboride / S.M. Sichkar // Металлофизика и новейшие технологии. — 2014. — Т. 36, № 3. — С. 419-429. — Бібліогр.: 26 назв. — англ. |
| work_keys_str_mv |
AT sichkarsm interactionbetweenelectronandphononsubsystemsinhafniumdiboride AT sichkarsm vzaêmodíâmíželektronnimiífononnimipídsistemamivdiboridígafníû AT sichkarsm vzaimodeistviemežduélektronnymiifononnymipodsistemamivdiboridegafniâ |
| first_indexed |
2025-12-07T17:26:19Z |
| last_indexed |
2025-12-07T17:26:19Z |
| _version_ |
1850871255206461440 |